臺積電以先進封裝技術搶佔5G和高性能運算芯片市場 客戶羣已囊括所有5G芯片供應商
PS：在下一代半導體的核心技術中，絕不僅僅只有EUV光刻那麼簡單，高階封裝絕對會是另一個核心科技，尤其是3D異質整合技術，是維繫半導體芯片尺寸不斷微縮和效能不斷提升的關鍵因素。之前也講過，臺積電下一階段的經營重點之一會集中在先進封裝技術上 。
下一代3D異質整合技術事實上也離不開光刻（理論上講也是可以轉做電晶體的刻蝕，但只能用於14-16nm製程工藝，已經算不上先進製程）。3D IC光刻這個技術臺灣是相當領先的，我也做過介紹（圖3）。這個刻蝕技術主要是用來微縮並堆疊矽薄膜通道所用，通過對矽薄膜通道的光刻和TSV（垂直穿孔技術）縮短電子在電晶體之間移動的距離，當不同類型的電晶體以同一種矽薄膜材料爲基板時，就能實現不同電晶體之間的異質整合和3維化堆疊，大幅縮小元件尺寸的同時也縮小了不同元件之間的電子通道距離（3D IC堆疊可以縮短最少90%間距），帶來的是電子遷移更快，提升整合芯片系統的整體運算頻率。
原理雖然簡單，但是光是3D IC光刻技術就是非常高的門檻，更別提厚度僅有15nm的矽薄膜材料如何在數十層甚至數百層的堆疊和打孔過程中保證任何一層都不能破損、折斷，這些技術也是困擾業界將近20年的難題，到今天來說，臺積電是唯一一家可以小規模量產並提供這項技術的廠商。本人仔細查閱了臺積電的技術資料，沒有提供更多的技術細節，因此這個技術如何實現還是商業機密，應該短期內沒有公開的可能性。
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