STI蝕刻技術將成為半導體晶圓廠大幅提高20奈米製程良率的利器!關於STI蝕刻技術的詳盡內容請見以下文章.....
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半導體 製程微縮到20奈米後,晶圓溝槽輪廓的深寬比和形狀均勻度變得極為重要,即便是些微的變異都會對良率造成不可忽視的影響,因此業界已開發出新的淺溝槽隔離(STI)電 ... ... <看更多>
sti半導體 在 Re: [閒聊] 半導體產品有多難做? - c_chat | PTT動漫區 的美食出口停車場
千空回: : "半導體是地獄阿" : "需要5年,不,10年的時間" : 10年. ... STI蝕刻1-b結束之後先挖掉SIN,再挖SIO,最後想辦法挖矽晶圓一路挖到最深d. ... <看更多>
sti半導體 在 [問題] 請教一下版上前輩半導體製程的問題- 看板Electronics 的美食出口停車場
最近研讀半導體製程的書(羅正宗寫的那本)
唸到加熱製程發現有sti跟usg這兩個名詞
usg(undoped silicate glass)用來作為相鄰電晶體的電性隔絕
感覺usg填充只是sti的一個步驟
但是看了CMOS剖面圖卻同時有出現usg跟sti
想知道這兩個的作用什麼不同 謝謝
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