這篇文章解讀某個學生在所提出的一個問題，這個難題的其核心是：他的老師提出了一個布林方程式，要求他創建相應的真值表，然後再告訴他要進行卡諾圖最簡化；最後要他必須只使用NAND Gate或只使用NOR Gate來實現這個電路…
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紫光集團進行組織重整：紫光存儲朝DRAM、長江存儲朝3D NAND發展
在紫光展銳剛獲大基金注資22.5億元的同時，市場傳出紫光集團旗下子公司紫光存儲即將解散之消息。隨之，紫光存儲出面闢謠表示，將對相關業務進行重新聚焦，也就是壓縮了NAND部分產品線，未來隨著長江存儲3D NAND穩步量產，相關業務將逐步轉移到長江存儲；同時，紫光存儲將朝增強DRAM部分產品線方向前進。
其實，紫光集團2014年確立發展儲存型快閃記憶體(NAND Flash) 路線，由長江存儲、合肥長鑫、福建晉華為研發主力，後來合肥長鑫併入長江存儲。.....
https://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=16470
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三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD
新的V-NAND利用3D記憶體提升，突破目前的儲存單元堆疊限制(cell stacking limitations)。新產品為之前的9x層單層結構增加了大約40％的單元。該公司構建由136層組成的導電模具疊層實現了這一目標，然後從上到下垂直穿透圓柱形孔，形成均勻的3D電荷陷阱閃存（charge trap flash；CTF）單元。該公司稱這種方法為“通道孔蝕刻”(channel hole etching)技術。
隨著每個單元區域中的模具堆疊的高度增加，NAND閃存晶片往往更容易受到錯誤和讀取延遲的影響。三星表示，它通過採用速度優化的電路設計克服了這些限制。....