目前GaN兩大陣營,納維(Navitas)的GaNFast是外置的GaN功率元件+Gate Driver(閘極驅動),然後搭配獨立QR Flyback控制器,因為要兩個功率元件+控制器,佈局上比較複雜些
但是最好運用的就是直接整合GaN功率元件、閘極驅動、一次側QR Flyback控制、二次側同步整流控制的PowerIntegrations "PowiGaN" InnoSwitch系列家族,最高階的型號可以在充電器內空間且無散熱片下輸出100W功率,另也有其他較低輸出功率款式,所以最近GaN才會一直冒出來
同時也有10000部Youtube影片,追蹤數超過2,910的網紅コバにゃんチャンネル,也在其Youtube影片中提到,...
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#電源管理 #USB-PD #發光二極體LED #寬能隙WBG #氮化鎵GaN #碳化矽SiC
【USB PD 100W,不再只是供仰望的參考指標!】
電源技術正隨著引入氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 這樣的新材料發生改變,由於新材料帶來更高的轉換效率,使得電源轉換 IC 的發熱更小,因而尺寸可以成倍,大型器件甚至十數倍的體積縮減,各種大小設備供電系統的更新換代正在形成一個巨大的市場。儘管幾年前,USB-IF 宣佈 USB PD 100W 供電的規格,但在相當長的一段時間內,USB PD 的供電功率被限制在 60W 左右,直到從 2018 年下半年開始,隨著 GaN 材料技術的發展,越來越多小尺寸電源產品開始向 100W 功率挑戰。
延伸閱讀:
《Power Integrations:GaN 催化 USB 100W 和大功率 LED 照明市場》
http://www.compotechasia.com/a/tactic/2019/0909/42733.html
#PowerIntegrations #InnoSwitch3 #LYTSwitch6
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#電源設計 #閘極驅動器 #隔離Isolation #汽車電子 #工業控制 #IGBT #MOSFET
【集成隔離功能的閘極驅動器】
IGBT 和 MOSFET 等高電壓、大電流應用越來越多,為免雷擊或系統本身誤動作傷及設備及人員,「隔離」(Isolation) 日受重視;除了分立器件外,功率閘極驅動器也開始集成隔離功能,好處是:以一個單極隔離電壓源即可穩定閘極電壓、不需額外主動元件,且可視狀況添加外部放大器。
延伸閱讀:
《SID11x2KQ: Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver with Reinforced Isolation for Automotive Applications》
https://gate-driver.power.com/…/scale-idriver-i…/sid11x2kq/…
#PowerIntegrations #SCALE-iDriver IC #FluxLink #SID11x2KQ