關於 電漿蝕刻 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 電漿蝕刻技術於晶圓切割產業之應用 - 機械工業網

摘要：電漿蝕刻製程在半導體晶片製造中為相當成熟的前段製程技術，已廣泛被應用於微機電(MEMS)微加工與立體(3D)封裝中的穿孔蝕刻等流程，而近年來因應後段半導體製程之 ...

#12. 感應耦合式電漿蝕刻系統

感應耦合式電漿蝕刻系統. (Inductive Couple Plasma Etcher, ICP Etcher). 標準製程(Standard Recipes). • HAR (High Aspect Ratio) recipe: Etch Rate. ~3um/min.

#13. 半導體製程技術 - 聯合大學

選擇性蝕刻是將光阻上的IC設計圖案轉移到晶圓表面. ▫ 其他的應用: 光罩製作, ... 恰當的化學蝕刻亦可踢除. ▫ 氧電漿灰化製程(Oxygen plasma ashing): 去除有機殘餘物.

#14. 常壓電漿束於矽蝕刻之應用

常壓電漿束於矽蝕刻之應用. Silicon Wafer Etching Technology by Atmospheric-Pressure Plasma. 1 劉志宏/ 2 黃駿/ 3 劉威霆. 1 工研院機械所先進製造技術組電漿系統 ...

#15. 感應耦合電漿離子蝕刻技術應用於3D IC 玻璃穿孔導線封裝研究

應耦合電漿離子蝕刻(inductively coupled plasma-reactive ion etching, ICP-RIE) 系統，以八氟環丁烷(C4F8). 與氦氣(He) 混和氣體作為反應氣體，對石英玻璃進行穿孔 ...

#16. 感應耦合式(ICP-RIE)電漿蝕刻系統RIE-350iPC｜Samco Inc.

採用電感偶合式電漿(inductively coupled plasma)放電模式的載盤(Tray)傳送型高密度電漿蝕刻系統. Max.ø350mm可處理多片的批次製程. 堅固及可靠的硬體及卓越製程控管 ...

#17. 氮化鎵發光二極體之電漿蝕刻特性研究

關鍵字: GaN;氮化鎵;Inductively coupled plasma;Etch rate;Selectivity;Etch angle;感應耦合式電漿;蝕刻速率;選擇比;蝕刻角度;粗糙度. 出版社: 精密工程學系所.

#18. 電漿晶圓蝕刻 - Tech-X

低溫電漿的一個常見用途是在被稱為晶圓蝕刻的領域，其中電漿衝擊晶圓，以蝕刻各種 ... 在電漿材料處理中，電漿是用電容耦合法（CCP）或電感耦合法（ICP）或兩者的組合 ...

#19. Plasma Dicing | SPTS

電漿 切割適用於電漿切割的Mosaic™ 系統採用深層反應式離子蝕刻(DRIE) 制程的電漿切片迅速獲得半導體產業的認可，成為使用鋸片或雷射的傳統分離方式的可行替代方案。

#20. 以SF6/O2/Ar 感應偶合電漿蝕刻碳化矽材料 - CHUR

題目：以SF6/O2/Ar 感應偶合電漿蝕刻碳化矽材料. SF6/O2/Ar Inductively Coupled Plasma Etching of SiC. 系所別：機械與航太工程研究所. 學號姓名：M09408039 黃書瑋.

#21. 博碩士論文行動網

論文名稱: 半導體電漿蝕刻機台減少汙染粒子型態缺陷與田口實驗分析. 論文名稱(外文):, Particle Reduction and Taguchi Analysis for Semi-conductor Plasma Etching ...

#22. 半導體厚光阻與電漿蝕刻製程: 中文版第一版林劉恭博士 ...

Achetez et téléchargez ebook 半導體厚光阻與電漿蝕刻製程: 中文版第一版林劉恭博士Semiconductor thick photoresist and HDP Plasma dry etch process (Traditional ...

#23. 電漿蝕刻製程參數對聚醯亞胺製程之蝕刻設備特性

聚醯亞胺電漿蝕刻製程 ； 四氟化碳 ； dummy recipe and idle function ； polyimide plasma etching process ； CF4 ； dummy recipe and idle function.

#24. 電漿蝕刻應用 - 友威科技股份有限公司

產品說明. 等離子乾式蝕刻設備; 表面改質、粗糙化、清潔、深孔蝕刻; 蝕刻材料: PP, PR, Dry Film, Epoxy,…(各式聚合物); 基材: Wafer, Si, Glass, PP, PMMA,Cu…

#25. 反應離子刻蝕- 維基百科，自由的百科全書

反應離子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或簡寫為RIE）是一種半導體生產加工工藝，它利用由電漿體強化後的反應離子氣體轟擊目標材料，來達到刻蝕的目的。

#26. plasma etching - 電漿蝕刻 - 國家教育研究院雙語詞彙

出處/學術領域, 英文詞彙, 中文詞彙. 學術名詞 化學工程名詞-兩岸化學工程名詞, plasma etching, 電漿蝕刻[法]. 學術名詞 化學工程名詞, plasma etching, 電漿蝕刻[法].

#27. TW201448030A - 脈衝式直流電漿蝕刻方法以及設備 - Google ...

在一個態樣中揭示了一種電漿蝕刻設備，該電漿蝕刻設備包括具有製程腔室的電漿主體，該製程腔室適用於接收基板；耦接至RF電極的射頻(RF)源；位於該製程腔室中並適用於 ...

#28. Chapter 7 電漿的基礎原理

列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ...

#29. [06A344]Plasma Etching and Deposition 電漿蝕刻與沈積

課程目標(Workshop Benefits). Help engineers and scientists better understand fundamentals and advances in Etch & Deposition processing.

#30. 蝕刻 - 解釋頁

蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)與乾蝕刻(dry etching)兩類。 ... 乾式蝕刻（又稱電漿蝕刻）是目前最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，藉由電漿能量 ...

#31. Etch - 精密分析與材料研發中心

電漿蝕刻 機. 廠牌：Kao Duen Technology Corporation. 型號：KD-02 Plasma. 製程項目：利用電漿氣體改質玻璃、金屬等各材料表面性質(如:清潔、增減表面能、粗糙度等)。

#32. 什麼是蝕刻(Etching)？

橫向蝕刻會導致所謂『底切』(undercut)的現象發生，使得圖形無法精確轉移至晶片。 乾蝕刻(Dry Etching). 乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(Plasma Etching)，由於 ...

#33. 常問問題

Wafer Charging Monitors, Inc. 常問問題（進階FAQ）. 電漿蝕刻和光阻去除過程中的晶圓充電 ...

#34. 晶圓電漿蝕刻機上電極Silicon, AC-140S系列, 日清紡 - 清隆企業 ...

晶圓電漿蝕刻機上電極Silicon, AC-140S系列. 日清紡. 產品說明. 晶圓電漿蝕刻機上電極; 單晶矽，非結晶狀碳質電極及石墨材浸鍍非結晶狀碳電極等三種; 不會散出粉塵.

#35. 產品介紹 - 緯利股份有限公司

PE BT1/TT1 基板電漿蝕刻機. 型號: 你會發現BT-1加工處理您的產品，無論是大或小塑料零件、醫療植入物、晶片或電子元件，都可以均勻處理。它給你帶來的好處是提供更好 ...

#36. 反應式離子蝕刻機RIE - ishien vacuum 部落格- 痞客邦

一般將蝕刻分為濕式蝕刻和乾式蝕刻，而乾式蝕刻（Dry Etching）又稱為. 電漿蝕刻（Plasma Etching）且屬於非等向性蝕刻，所以是目前最常使用的蝕.

#37. 蝕刻技術 - DigiTimes

蝕刻技術(etching technology)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除 ... 乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)，由於蝕刻作用的不同，電漿 ...

#38. 【製程設備】總覽與收費標準 - 國立清華大學奈微與材料科技中心

感應耦合電漿式離子蝕刻機 ... 非等向性離子反應式深矽蝕刻系統. (Deep RIE). 工三館後棟 ... 電漿輔助化學氣相沈積系統( SAMCO PECVD System ). 【設備簡介】.

#39. 電漿蝕刻機PI01

電漿蝕刻 機PI01. 產品功能. 適用於太陽能電池製程，對矽晶片之邊緣做蝕刻. 產品特色 ．專利設計之特殊電漿電極．高密度電漿源．處理速度快、產能高、可靠度高．

#40. PLASMA BT-1 基板電漿蝕刻機 - 岳冠科技有限公司

BT-1是完善的工業級電漿蝕刻機，能夠進行電漿清洗、電漿蝕刻，反應離子蝕刻(RIE)等。 詳細介紹; 檔案下載.

#41. 淺談電漿蝕刻對低溫複晶矽薄膜電晶體之損傷效應 - 材料世界網

可是隨著面板與基板的尺寸越來越大，製程的穩定性與可靠度是邁入量產技術必須考量的重要因素，本文將以低溫複晶矽薄膜電晶體製程的觀點，闡述乾式蝕刻所 ...

#42. 電漿蝕刻:市場分析及策略性議題

電漿蝕刻 :市場分析及策略性議題. Plasma Etching: Market Analysis and Strategic Issues. 出版日期: 2021年10月01日 ...

#43. 美商科林研發(Lam Research)於乾蝕刻設備之關鍵技術與市場 ...

於半導體製造中，主要可分為鍍膜、微影、蝕刻、離子佈植、氧化擴散等製程， ... 時間、成本逐漸增加圖2 Lam乾蝕刻設備具高度智慧化圖3 電漿蝕刻設備因 ...

#44. 電漿蝕刻機-馗鼎奈米科技股份有限公司 - Touch Taiwan

適用於太陽能電池製程，對矽晶片之邊緣做蝕刻 ¶ 產品特色¶ ．專利設計之特殊電漿電極．高密度電漿源．處理速度快、產能高、可靠度高．可選擇的操作參數多．

#45. 晶圓電漿蝕刻機用上電極 - 清隆企業股份有限公司

清隆企業股份有限公司提供晶圓電漿蝕刻機用上電極產品服務，為專業的晶圓電漿蝕刻機用上電極製造商, 晶圓電漿蝕刻機用上電極供應商及晶圓電漿蝕刻機用上電極出口商.

#46. 雷立強的aePlasma電漿蝕刻PI

#47. 貴儀專區/電漿耦合室離子蝕刻系統 - 高雄大學電機系

貴儀名稱. 電漿耦合式離子蝕刻系統. Inductive Couple Plasma Etching System. 儀器說明. 購置年月 ：96 年 12 月 24 日. 廠牌及型號：Cirie-200. 儀器設備說明.

#48. Cf4 plasma - 四氟化碳電漿 - 政府研究資訊系統GRB

薄膜之元件的製作及量測，並以四氟化碳(CF4 plasma)電漿與氨(NH3 plasma)電漿表面 ... 關鍵字：電感耦合電漿乾蝕刻；太陽電池；大面積玻璃基板；單晶矽基板；表面粗糙 ...

#49. 案號91120919

Reactive Ion Etch)製程是用來蝕刻在矽晶圓上的微. 細圖案。 反應式離子蝕刻包含了將一個有光阻圖案的晶圓. 放在一個具有電漿的反應室。 電漿包括了蝕刻氣體(.

#50. 解決方案| 蝕刻應用 - 元佑實業

濕蝕刻是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的；而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻，利用電漿中離子撞擊晶片表面的物理作用，或者是電漿中活性自由基與晶片表面原子間 ...

#51. 電漿蝕刻機 - 智慧製造展

適用於太陽能電池製程，對矽晶片之邊緣做蝕刻 ¶ 產品特色¶ ．專利設計之特殊電漿電極．高密度電漿源．處理速度快、產能高、可靠度高．可選擇的操作參數多．

#52. 國立中央大學光電中心HDP 高密度電漿蝕刻機使用規範

HDP 高密度電漿蝕刻機使用規範. 一、目的：為維持本實驗室正常運作且發揮其最大功能，特訂定此管理辦法，供使用者依循。 二、設備型號：Nextral 860L TC300.

#53. 電漿蝕刻：製造高亮度LED的關鍵技術

化的電漿蝕刻提供了幾種方法以改善元. 件的輸出並降低製造成本，從而實現雙. 重贏利。 理論學者揭示是Auger機制引起LED發. 光效率的降低. 揭開高電子遷移率電晶體HEMT ...

#54. 離子與電漿（Ion and plasma）的產生與應用 - StockFeel 股感

離子（Ion） 原子的中心是原子核（帶正電），原子核外圍繞著許多電子（帶負電），當我們對原子施加能量（光能或電能），則可以將原子核外的一個電子趕 ...

#55. 如何在电浆蚀刻制程中控制晶圆的制程均匀度？ - 手机搜狐

因为相同的电浆会产生两种类型粒子，而且离子对中子的相对数量是息息相关的。因此，参数的影响通常会被用来控制电浆，如电浆供应源功率和蚀刻腔体压力，其也是彼此相关 ...

#56. 電漿蝕刻與沈積(Plasma Etching and Deposition) 國際研討會

『電漿蝕刻與沈積(Plasma Etching and Deposition) 國際研討會』：104/06/22於清華大學合勤演藝廳【全程免費】. 為協助科學研究人員、學校、及技術 ...

#57. 電子材料連水養(S. Y. Lien) 電漿的基礎原理、製程與應用

電漿 製程的應用. • 化學氣相沉積(CVD). • 蝕刻(Etching). • 物理氣相沉積(PVD). • 離子佈植(implant). • 光阻剝除(PR leave-off). • 製程反應室的的乾式清洗(Cleaning) ...

#58. 蝕刻

一般來說乾蝕刻依照產生電漿的模式分三種：(1) PE (Plasma Etching), (2) RIE (Reactive Ion Etching) , and (3) ICP (Inductively Coupled Plasma). 完成develop工程後 ...

#59. 「蝕刻升級篇」剖析干蝕刻和濕蝕刻的作用、製程及其原理

蝕刻蝕刻 的作用：線路成型。蝕刻分為干蝕刻與濕蝕刻，其區別如下：干蝕刻：利用不易被物理、化學作用破壞的物質光阻來阻擋不欲去除的部分，利用電漿的 ...

#60. 【技術資料】電漿蝕刻

電漿蝕刻 法係利用反應性氣體經過電漿解離活化產生具有蝕刻反應的粒子，包括離子、自由基或原子等，以含氟自由基蝕刻矽或二氧化矽為例，其反應如下式：Si(s) ...

#61. 半導體＆ ETCH 知識，你能答對幾個？ - 吳俊逸的數位歷程檔

何謂濕式蝕刻? 答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除. 何謂電漿Plasma?

#62. 晶圓製程中的乾蝕刻與濕蝕刻是什麼? - 品化科技股份有限公司

最近，高微細化的IC也已逐漸採用高密度的電漿蝕刻裝置。 另一方面，使用藥液的濕式蝕刻，大致上可以分為浸漬式與旋轉式兩種。浸漬式 ...

#63. 蝕刻- MoneyDJ理財網

濕蝕刻是將晶片浸沒於適當的化學溶液中，或將化學溶淬噴灑至晶片上，經由 ... 乾式蝕刻（又稱電漿蝕刻）是目前最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的 ...

#64. 人才培訓網

課程名稱: 先進電漿蝕刻技術. 課程內容: 本課程是先對電漿原理與其應用於半導體蝕刻製程做介紹，並說明目前電漿蝕刻在奈米元件製作上所遇到的問題點，之後介紹可解決 ...

#65. 「電漿可視化」 有效管理為品質把關 - 經濟日報

電漿 Plasma由於在材料處理上的特性，為半導體的重要製程之一，應用於濺鍍(Sputtering)、物理氣相沈積(PVD)、電漿輔助化學沈積(PECVD)、乾式蝕刻(Dry ...

#66. 电浆蚀刻设备、晶圆治具及设置晶圆的方法 - Google

一种电浆蚀刻设备、晶圆治具及设置晶圆的方法，电浆蚀刻设备包含一反应腔、一下电极、一晶圆治具，及一设于反应腔体内并对应位于下电极上方的上电极。

#67. Chapter 9 蝕刻

圖形尺寸小於3 µ m 則無法使用•圖案化蝕刻被電漿蝕刻取代. Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 15. CMOS 截面圖. 鈍化保護介電質2 氮化物

#68. 電漿(Plasma)(註2) - 教育百科

電漿態就是指含有等量正負離子對的氣體狀態，仍屬處於電中性。 ... 在半導體的製程中，蝕刻被用來將某個材質字晶圓表面所移除，而電漿蝕刻是目前最常用的蝕刻方式。

#69. 國立彰化師範大學共同儀器電漿耦合式離子蝕刻機對外服務辦法

中文名稱：電漿耦合式離子蝕刻機(金屬). 英文名稱：Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (ICP-RIE). 二、 儀器廠牌、型號：. 晶研科技NARC、hdpsq.

#70. 反應式離子蝕刻機RIE / 電漿輔助化學沉積系統PECVD - 力丞儀器

電漿 輔助化學沉積系統. ORION II - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Tool 電漿輔助化學沉積系統. The Orion II is the first PECVD system to ...

#71. 矽基電漿蝕刻系統（ICP） - airTMD

矽基電漿蝕刻系統（ICP）. 分享 · 廠牌型號：. ELIONIX INC., EIS-700 Instruction Manual · 加工精度及限制說明：. 1.主要為Si/SiO2/Si3N4高深寬比的乾式蝕刻(Etching ...

#72. 辛耘獲美Plasma-Therm LLC 中、台代理權 - 鉅亨

辛耘指出，電漿加工，由於其屬於「乾式製程」，可用於薄膜的鍍膜(氣相沉積)、去膜(蝕刻、灰化、去光阻)、表面處理(改質、清潔)等，由於其具有節水節能、 ...

#73. 電漿反應系統

電漿 反應系統－電漿增強型鍍膜、蝕刻與表面改質系統. Femto Science. 專業電漿表面處理/蝕刻/塗佈設備，自動控制設計，多種尺寸及功率可供選擇，亦可針對客戶需求客製 ...

#74. 大氣電漿電漿表面處處理工藝藝 - 淞耀

溫電漿。亦即. 其產生的電漿. 度（Tg）趨近 mal Plasma）. 獲得能量。由 ... 大氣電漿. 漿同樣具有高. 矚目。所為大. 率。工業技術. 用的方式包含 ... 劑蝕刻、火.

#75. 電漿蝕刻製程的先進製程控制

The main target of this research project is to establish the theoretical model between the plasma etching equipment and plasma etching process first, ...

#76. 產業評析2008 年全球LCD 蝕刻設備市場與廠商分析

製程中，由於高密度電漿蝕刻有其必要，因此乾式蝕刻設備市場規模正逐漸在擴. 大中。 二、營收分析. 根據2009 LCD Equipment Data Book 公布的統計 ...

#77. 如何在電漿蝕刻製程中控制晶圓的製程均勻度? - 人人焦點

DET 方式干蝕刻於製程上的應用Dry Etching製程評價基礎評價1、 蝕刻速率(Etching Rate ) 2、 蝕刻均一性(Uniform):表示1枚panel內若干點之間E/R 的偏差： Uni.

#78. 反應性電漿離子蝕刻系統 - AST聚昌科技

AST聚昌科技反應式離子蝕刻設備RIE(Crie-100)系統是一台高性能，佔地空間小且均以電腦化介面操作之反應性電漿離子蝕刻系統，Crie-100系統最大可適用於8"晶圓及蝕刻次 ...

#79. 感應耦合電漿蝕刻InGaN/GaN材料特性研究 - 淡江大學機構典藏

关键词: 感應耦合電漿;氮化鎵;氮化銦鎵;電漿蝕刻;氣體流速;Inductively coupled plasma;Gallium nitride (GaN);Indium galliumnitride (InGaN);Plasma ...

#80. 7 Plasma Basic 7 Plasma Basic

列出電漿中的主要三種碰撞. •說明平均自由路徑(mean free path). 說明平均自由路徑(mean free path). • 說明在蝕刻製程及化學氣相沉積(CVD)中. 使用電漿的好處.

#81. 研究電漿蝕刻技術製作奈米級光阻線 - Google Books

研究電漿蝕刻技術製作奈米級光阻線 · What people are saying - Write a review · Bibliographic information.

#82. 電漿蝕刻英文，plasma etching中文，電子工程 - 三度漢語網

中文詞彙 英文翻譯 出處/學術領域 電漿蝕刻 plasma etching 【電子工程】 電漿蝕刻損壞 plasma etch damage 【電子工程】 非等向電漿蝕刻 Anisotropic plasma etching 【電子工程】

#83. 電漿蝕刻與沈積(Plasma Etching and Deposition) 國際研討會

Plasma-Therm LLC and Scientech Corporation將於6/22(星期一) 國立清華大學合勤演藝廳舉辦一場次『電漿蝕刻與沈積(Plasma Etching and Deposition) 國際研討會』。

#84. 半導體乾式蝕刻製程預防保養作業之化學性危害 - CNU IR

對現今蝕刻製程中最常被使用的乾式蝕刻（電漿蝕刻）機台，在進行預防保養期間可能產. 生的化學性危害，作一簡要的整理。 關鍵字：半導體，危害，化學性危害。

#85. 產品資訊- ULVAC - 優貝克科技(電漿耦合乾蝕刻設備, NE系列|)

電漿 耦合乾蝕刻設備, NE系列||產品資訊|中古機|半導體|平面顯示器|LED|能源與環境|真空產品|生技與傳統產業|靶材與其它材料|光學鍍膜|實驗與研究開發|優貝克科技.

#86. 大氣電漿微米級圖案化技術 - 元智大學

隨著半導體工業的發展，在1980 年代的時候開始採用蝕刻技術製備更加精細的圖案表面，隨著更多的微奈米加工技術的發展和應用，已經能在矽晶片表面製備非常複雜而可靠的微奈 ...

#87. 活性離子乾蝕刻機Reactive Ion Etching (RIE) - 國立中山大學 ...

儀器名稱：活性離子乾蝕刻機Reactive Ion Etching (RIE) 用途：對薄膜或基板材料進行乾蝕刻等製程 廠牌與型號：Oxford PlasmaLab 80 重要規格： 具有ECR及RF電漿產生器 ...

#88. 21366-電漿蝕刻技術專題歷史開課資訊

106, 1, 5334 · 選修-電漿蝕刻技術專題, 3-0, 二/10,11,12[ST132], 上限70 現選14 餘額56, 應用物理學系 / 應物系3,4,碩博大3、4可選修；人工選課 ...

#89. 蝕刻技術

蝕刻 技術. (Etching). 嚴大任助理教授. 國立清華大學材料科學工程學系 ... Etch Selectivity (蝕刻選擇比, S=r ... 為例，就是利用電漿放電方式進. 行異向性蝕刻的方法 ...

#90. 半導體乾蝕刻技術| 誠品線上

1975年進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的 ...

#91. 知識力

濕式蝕刻使用「氟化氫水溶液」來將氧化矽溶解掉；乾式蝕刻使用「氟化氫(氣體)」產生氟離子(電漿)來將氧化矽反應去除掉，如＜圖三＞所示，其步驟如下： ➤ ...

#92. 電漿蝕刻機-台灣經貿網 - Taiwantrade

產品功能. 適用於太陽能電池製程，對矽晶片之邊緣做蝕刻. 產品特色. 專利設計之特殊電漿電極. 高密度電漿源. 處理速度快、產能高、可靠度高. 可選擇的指令引數多.

#93. 電漿處理/清理機> 捷東股份有限公司Jiedong

SEM 表面碳斑預防與清理 · EDS分析中碳干擾的預防 · 生物碳膜親水性處理 · 蝕刻/灰化: (建議使用石英chamber) 如利用O2 蝕刻鑽石, 高分子, 鐵氟龍。 利用CF4 蝕刻SiO2, Si3N4

#94. 乾蝕刻電漿蝕刻技術 - Hzkk

· PDF 檔案報告將針對現今蝕刻製程中最常被使用的乾式蝕刻（電漿蝕刻）機臺，電漿中離子的物理性轟擊(Physical Bomboard)，並藉由電漿能量來驅動反應。 蝕刻技術(Etching ...