關於 退火半導體 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 半導體製程技術 - 聯合大學

半導體 製程技術 ... USG CMP; USG 退火; 氮化矽和襯墊氧化層剝除. STI製程中的襯墊氧化層和阻擋氧化層 ... 關閉氧氣開始通入氮氣，進行氧化物退火.

#12. 功率半導體製造工序中不可或缺的技術——SiC用雷射退火設備 ...

功率半導體製造工序中不可或缺的技術——SiC用雷射退火設備的光源選擇住友重工機電一體化事業部解決方案網站。

#13. 退火爐 - 矽碁科技股份有限公司

該製程包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達到不同的效果。 ... 該過程稱為退火。 爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，也可以單獨處理。

#14. 客製化高溫爐垂直升降爐半導體晶片退火石墨稀高真空純化設備 ...

最專業精密加熱製程設備供應商. 客製化. 垂直升降爐. 半導體晶片退火. 高真空渦輪幫浦. 石墨烯. 純化設備. LED 退火. LPCVD 控制介面. 垂直CVD 製程. 快速退火爐RTA ...

#15. #半導體微波退火hashtag on Instagram • Photos and Videos

1 Posts - See Instagram photos and videos from '半導體微波退火' hashtag.

#16. 快速升溫製程處理(RTP)

退火 產品廣泛應用於半導體元件製造，目的是改變材料的電性或物理特性（電導率、介電常數、緻密化或減少污染）。 ... 以長溫退火、瞬間退火、毫秒級退火、和自由基熱氧化製程 ...

#17. 使用雷射退火之鍺基底N 型 - 中華大學

目前半導體業界廣泛使用的退火處理為快速退火RTA(Rapid thermal annealing). 及準分子雷射退火(Excimer laser annealing) 兩種，在使用上因快速退火RTA 的成. 本便宜故VLSI ...

#18. 瀚笙科技:專注於太陽能、再生能源、光電子技術及半導體市場 ...

microPRO™ RTP新型雷射退火系統用於半導體、功率器件與微機電系統製造的幾個關鍵製程，結合最先進的雷射光學模組與3D-Micromac 的模組化半導體晶圓製造平台，多元化的 ...

#19. 水平爐管個別原理

因LPCVD TEOS Oxide 的Step Coverage 能力甚佳，已廣泛為半導體業 ... 結構會影響其本身的電性，因此退火在半導體製程上的應用，主要在恢復或改善. 材料電子性質。

#20. 第二十三章半導體製造概論

在這個體系中，半導體製造，也就是一般所稱的晶圓加工（Wafer fabrication），是資金與 ... 將晶片在嚴格控制的條件下退火，以使晶片的阻質穩定。

#21. RTP設備總覽與製程 - 鉅安科技股份有限公司

目前RTA設備可運用於高溫退火、擴散、熱氧化處理、奈米粒子製程、LED/III-V族半導體合金化－減少歐姆接觸、ITO回熔、多晶矽退火…等。本公司已成功開發出一系列桌上型、 ...

#22. 尖峰式退火之模擬與熱積存控制

近年來，半導體產業的驅勢大多以單晶圓、大尺寸製程以及線寬之窄化。而由於快速熱製程(rapid thermal process，簡稱RTP)的處理時間較短，熱效率高且為單晶製程，近年來 ...

#23. 各家角逐的量子霸權，能真正派上用途的富士通數位退火技術

數位退火使用汎用半導體技術、量子力學原理及非馮‧諾伊曼架構，被稱為最具產業實用價值與新藍海戰略的高性能數位計算。富士通於2018年推出數位退火晶片DAU ...

#24. 雷射退火Laser Annealing | ProPowertek宜錦科技

對晶背離子植入做退火，使植入離子活化，並修補因離子植入所造成的晶格破壞。由於加熱時間很短，且集中在局部小區域，儘管高溫達800~1100度C，但高溫的深度只有數um ...

#25. Y5T187半导体工艺中的“退火” - 新闻- 腾讯

半导体 工艺中，经常看到“退火”这个词。比如离子注入后要退火，比如溅射金属镀膜后要退火。 退火的流程描述很简单：加热再降温.

#26. 工研菁英獎半導體退火.高深寬比技術領先全球！

幫 半導體 晶圓材料 退火 ，能降低晶片生成缺陷。工研院提供低溫均勻 退火 的「相控陣列變頻微波技術」，解決 半導體 晶圓材料的硬力問題，增加耐用度。另外，「 ...

#27. 最新消息- 經濟部技術處

半導體退火 是將離子佈植完後的晶圓加熱到高溫，藉以矽晶格恢復單晶及使摻雜物質活化。退火過程攸關半導體產品良率，以七奈米製程為例，退火過程中磊晶 ...

#28. 盛美半導體大舉拓展立式爐產品組合迅速導入超高溫熱製程產線

... Fn立式爐幹法製程設備產品系列，增加了更多的先進半導體製程，包含非摻雜的多晶矽沉積、摻雜的多晶矽沉積、柵極氧化物沉積、高溫氧化和高溫退火.

#29. ULVAC - 優貝克科技(半導體・電子材料用赤外線燈管加熱裝置 ...

半導體 ・電子材料用赤外線燈管加熱裝置RTA, www.ulvac.com.tw||產品資訊|中古機|半導體|平面顯示器|LED|能源與環境|真空 ... PZT和SBT等强誘導體薄膜的結晶化退火。

#30. SiFusion 高溫退火晶舟 - 台灣飛羅得股份有限公司

生產和銷售半導體等設備相關產品，電子器件產品，汽車相關產品。有刊登公司信息和新聞。 ... SiFusion 高溫退火晶舟. 紅外線的穿透性. SiFusion產品比石英和SiC產品 ...

#31. 「半導體退火目的」+1 - 藥師+全台藥局、藥房、藥品資訊

「半導體退火目的」+1。跳到半導體的退火-在半導體工業中，矽晶圓需要進行退火。因半導體材料中掺杂了雜質如硼、磷或砷等，會產生大量空位，使原子排列混亂， ...

#32. 快速退火升溫爐 - 國立中興大學-光電半導體製程中心

快速退火升溫爐. 英文名稱. RETA(Rapidly Enhanced Temporature annealing). 儀器經費來源. 江雨龍. 購入日期. 1998-06-01. 儀器位置. 擴散室. 儀器狀態. 正常使用中 ...

#33. 高溫真空退火爐/高溫真空氧化爐/高溫真空還原爐

【半導體的退火】. 在半導體工業中，矽晶圓需要進行退火，因半導體摻入雜質如硼、磷或砷等時. 會產生大量空位，使原子排列混亂，導致半導體材料性質 ...

#34. 當年度經費： 232 千元 - 政府研究資訊系統GRB

關鍵字：半導體奈米線；電子束微影；異質結構；摻雜；自旋場效電晶體；快速退火；臨場加熱穿透電影顯微鏡. 本研究計畫將進行相關磁性金屬電極/氧化鋅奈米線異質結構之 ...

#35. 5 Thermal Processes

使你的工作或產品與半導體製程做連結 ... 使用在front-end 半導體製程，通常在稱. 做擴散爐的高溫爐中 ... 在STI形成過程中氧氣被使用在USG退火上.

#36. 《科技與創新》相控陣列變頻微波技術 - 自由財經

以半導體為例，半導體前段晶圓摻雜製程，就是透過加熱來恢復晶體的單晶結構，並活化當中的摻雜物質，但退火的溫度和速度是門大學問。 工研院機械與機電 ...

#37. 半导体设备研究系列四

氧化/扩散/退火设备：半导体制造环节中的重要热工艺设备。氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围. 中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应 ...

#38. 工業應用選例 - 國家同步輻射研究中心

在先進半導體製程中，薄膜材料的晶相控制、界面型態調整與缺陷抑制表現為重要的製程工作，亦是影響元件電性的關鍵因素。目前中心已進行發展半導體熱退火的製程設備，將結合 ...

#39. 研究氧空缺與退火效應對氧化鋅摻鈷薄膜之影響 - 國立中山大學

稀磁性半導體中，ZnO 摻雜過渡金屬離子被預測為最有潛力的室溫稀磁性半. 導體，但其磁性來源尚未明瞭，有許多研究指出，材料中的氧空缺可以增強磁矩的.

#40. 快速升溫製程處理(RTP)

退火 產品廣泛應用於半導體元件製造，目的是改變材料的電性或物理特性（電導率、介電常數、緻密化或減少污染）。 以長溫退火、瞬間退火、毫秒級退火、和自由基熱氧化 ...

#41. 工研院微波退火技術入圍全球百大科技獎 - 奇摩新聞

（中央社記者韋樞台北7日電）工研院與相關團隊研發「半導體微波退火」技術，所使用微波管頻率類似家用微波爐，具快速降溫、便宜及達到99.5%晶圓均勻性 ...

#42. 熱退火處理之鈷摻雜氧化鋅稀磁性半導體薄膜其電性 - 月旦知識庫

許華書,黃榮俊,氧化鋅,X光吸收光譜,稀磁性半導體,ZnO,X-ray ahsorptiom spectra,diluted magnetic Semiconductor,我們利用不同溫度的退火研,月旦知識庫,整合十大資料 ...

#43. NEWS 2021.10 | 勤友光電股份有限公司

最新的高效產出雷射退火設備（Laser annealing system)，包含可以對應第三代半導體碳化矽（SiC）製程, IGBT製程, 矽晶圓前段之DSA/LSA製程。最大亮點為WPH (Wafer per ...

#44. 專題演講:微波退火在半導體工業上的應用(104/04/02)

(104/04/02)專題演講: 微波退火在半導體工業上的應用技術分享. 演講內容：微波退火在半導體工業上的應用. 本次活動邀請國家實驗研究院奈米元件實驗室李耀仁博士.

#45. 快速升溫退火爐RTP_SA (RTP(半自動快速升溫退火爐))

○Rapid Thermal Annealing/快速升溫退火爐○高溫退火/高溫擴散(Annealing / Diffusion) ○金屬合金/砷化鎵合金(Metal Alloy, GaAs Contact Alloy)

#46. 晶圓的處理－薄膜

押入使擴散物質朝內部擴散. • 再流動（reflow）：使低熔點物. 質流動，促進表面平坦. 促植離的氣性. • 促進植入離子的電氣活性. • 退火（anneal）：穩定矽與氧.

#47. 退火是一種金屬熱處理工藝之一 - 中文百科知識

退火 指的是將金屬緩慢加熱到一定溫度，保持足夠時間，然後以適宜速度冷卻。目的是降低硬度，改善切削加工性；消除殘餘應力，穩定尺寸，減少 ...

#48. 研究設備與器材

半導體 中高分子溶液加入彈性體後退火和未退火對其導電效能的影響. 4.製作”可拉深且自行修復”有機薄膜電晶體元件之研究. 研究設備與器材. 設備: 微量吸管spin-coator.

#49. 陽明交大與工研院合作研發全球第一顆記憶體內退火加速晶片

... 體元件、記憶體內運算、模擬退火演算法等技術，發表全球第一顆記憶體內退火晶片，未來有機會較現有硬體運算速度快千倍，並廣泛應於半導體製程、生 ...

#50. 退火温度对非晶掺硅氧化锡半导体薄膜特性影响 - ResearchGate

Request PDF | On Dec 15, 2015, Honglong Ning published 退火温度对非晶掺硅氧化锡半导体薄膜特性影响| Find, read and cite all the research you ...

#51. 光伏半導體石英舟光刻片晶圓片退火舟架外延片硅片託架2-12 ...

歡迎前來淘寶網實力旺鋪，選購光伏半導體石英舟光刻片晶圓片退火舟架外延片硅片託架2-12英寸定，該商品由東海縣熱力石英制品有限公司店鋪提供，有問題可以直接諮詢 ...

#52. 閃光燈退火用半導體基板

本發明是一種閃光燈退火用半導體基板，其特徵在於：用於下述製造步驟，該製造步驟是先實行離子佈植並在半導體基板表面形成p-n接面後，藉由閃光燈退火來使離子佈植缺陷 ...

#53. 单晶圆雷射退火处理机

单晶圆雷射退火处理机,凯尔迪科技股份有限公司专研半导体湿制程设备，推出清洗机、去光阻机及超音波上光阻机等多款设备，并提供客制化服务。

#54. 雷射退火技術，在半導體工業界有這麼多應用？ - 資訊咖

雷射退火技術，在半導體工業界有這麼多應用？ ... 與此同時，對雷射退火所導致的矽材料表面熔化的熱力學模型與數學方法的研究，也幾乎在同步進行。

#55. 雷射退火技術，在半導體工業界有這麼多應用？ - 每日頭條

1978年，研究人員通過對矽晶體表面時變的反射率測試證實，在雷射退火的過程中單晶矽從熔化的矽表面重新生長。同年，通過光學顯微鏡觀測到了雷射退火後的摻 ...

#56. 半导体行业（八十）——加热工艺（二十一）_过程 - 搜狐

下图显示了一个包含完整栅氧化、多晶硅沉积和多晶硅退火过程的配套系统。 未来将着重于快速加热工艺在临场监测和配套工具上的发展应用，但是高温炉仍 ...

#57. 退火熱處理 - 解釋頁

電子/半導體. 退火熱處理Annealing。 主要是檢查矽晶圓之表面缺陷為主之熱處理。在攝氏1000度左右，經過一次數十小時之熱處理，稱為退火熱處理。 相關字.

#58. 半導體高功率量子阱激光器退火后的電雜訊 - 海词词典

半導體 高功率量子阱激光器退火后的電雜訊的英文翻譯. 基本釋義. Electric noise of high-power quantum well semiconductor lasers after annealing ...

#59. 公司簡介| 環球晶圓股份有限公司

併購SunEdison Semiconductor​ ... 環球晶圓藉此併購案，擁有半導體矽晶圓3吋~ 12吋的磊晶片、退火晶圓、拋光晶圓、擴散晶圓以及尖端技術領先的絕緣層覆矽晶片(SOI) 和中子 ...

#60. 退火

在半導體工業中，矽晶圓需要進行退火。因半導體材料中摻雜了雜質如硼、磷或砷等，會產生大量空位，使原子排列混亂，導致半導體材料性質 ...

#61. 族半导体化合物快速热退火扩Zn 方法研究 - CORE

对InP 快速热退火扩散结果进行分析, 初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。 关键词: 化合物半导体; 锌扩散; 快速热退火; 砷化镓; 磷化铟. 中图分类号: TN3054 ...

#62. 國立高雄科技大學半導體工程系

建構高溫環境完備P、N型材料擴散。 黃光室光罩曝光機經由曝光機所發出紫外光對晶片上光阻照射，可將光罩圖騰轉譯至晶片 ; 電子鎗真空蒸鍍系統(E-Gun). 快速熱退火(RTA) ; 用 ...

#63. 专利名称：一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法

一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法，包括电源模块、整流滤波模块、IGBT模块、PWM信号驱动模块、加热灯管组和计算机控制系统；所述电源模块与所述整流滤波 ...

#64. 激光诱导半导体材料退火过程中非热融化机理的研究 - 仿真秀

为了理解硅等半导体在激光退火过程中的超快非热融化机理，中科院半导体所的骆军委研究团队和汪林望教授合作，利用含时密度泛函理论(rt-TDDFT)方法研究 ...

#65. 包括激光退火的半导体器件制造方法- Patents - Google

H01L21/26513 Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species.

#66. 探索永不止步 - 炬光科技

激光退火（Laser Annealing）是28nm及以下逻辑芯片制造前道工序中不可缺少的关键工艺之一。该工艺采用近红外波段半导体激光光源，通过多组不同功能的激光光学整形系统及 ...

#67. 激光退火技术，在半导体工业界有这么多应用？ - 光电汇

随着超大规模集成电路制造技术、新型薄膜晶体管显示技术和大面积OLED显示技术的日益成熟和规模化，激光退火技术逐渐取代传统的炉管退火、快速热退火、 ...

#68. 氧化/扩散/退火设备：热工艺设备受益国产替代持续关注国内 ...

氧化/扩散/退火设备：半导体制造环节中的重要热工艺设备。氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理，在硅片表面发生化学反应形成 ...

#69. 8486201000hs编码- 氧化、扩散、退火及其他热处理设备

8486201000,,hs编码,氧化、扩散、退火及其他热处理设备,氧化、扩散、退火及其他热处理设备制造半导体器件或集成电路用的,hs code查询,申报要素.

#70. 相控陣列變頻微波技術解決晶片生成缺陷問題 - 新頭條

新竹振道／記者簡舒祺／新竹報導隨著半導體製程的演進，元件線寬及膜厚均達10奈米左右，元件容易因傳統高溫退火帶.

#71. 電流輔助退火在熱電材料性能提升之應用 - 材料世界網

碲化鉍系化合物半導體材料是目前已知在室溫範圍應用最佳之熱電材料。碲化鉍(Bi2Te3)在室溫下之ZT 值約為0.8 ，經適當合金化處理後， ZT 值可提高至1 ...

#72. Ga2S3半导体热退火得到的β-Ga2O3/Ga2S3层状结构的结晶度 ...

摘要在这项工作中，β-Ga2O3 纳米结构是通过β-Ga2S3 单晶在970 K、1070 K 和1170 K 的相对高温下在空气中热退火6 h 获得的。通过X射线衍射（XRD）、 ...

#73. 先進原子層材料與模組技術- 未來科技館Future Tech, FUTEX

因此本計畫開發各式原子層技術，包含原子層沉積、原子層退火、原子層磊晶、以及 ... 實現具有小於1nm精準度之材料沉積、退火、成長、以及蝕刻等先進半導體製程技術。

#74. 退火对高Co含量Ti1-xCoxO2磁性半导体的影响 - 物理学报

利用磁控溅射仪制备了高Co含量的Ti1-xCoxO2磁性半导体样品，并对样品分别在200℃，300℃和400℃进行退火研究.使用透射电子显微镜(TEM)对退火前后样品的结构进行表征， ...

#75. 教學設備 - 屏科材料

根據所需條件可以升溫速率、持溫時間等參數對樣品進行退火處理。 ... 適合半導體100A°~100μm 薄膜段差量測。 NPUSTLogo.svg (1). 91201 屏東縣內埔鄉學府路1號 ...

#76. Vantage® Astra™ DSA | Applied Materials

應用材料公司所提供的Vantage Astra DSA（動態表面退火）系統是應用材料首款雷射式退火工具，針對先進矽化需求提供無可比擬的功能，以持續微縮元件尺寸。

#77. 台工研院微波退火技術入圍全球百大科技獎

結合工研院、交通大學、國家奈米元件實驗室研發的「半導體微波退火」技術，使用的2.45GHz微波管頻率與家用微波爐相似，可提升半導體製程良率， ...

#78. 修正本

種處理,即退火,半導體材料之系統及方法. 藉由. 控制時間、微波功率密度、晶圓邊界條件、氛圍條件及溫. 度(包含升溫速率),其可以修復在將雜質離子植入 ...

#79. 物理气相沉积设备PVD - 半导体装备Semiconductor - 产品&服务

单片退火系统(Single-wafer anneal)应用于集成电路后段制程晶圆的热处理工艺。具体实现功能有：1. 物理去除作用，包含水汽、表面的有机残余去除，有利于恢复CMP之后Low ...

#80. 灯退火等高速升温控制| RKC 理化工业株式会社

RKC 理化工业株式会社 > 应用案例集 > 按行业分类 > 半导体行业 > 灯退火等高速升温控制 ... 灯退火等高速升温控制. 高速升温时使用高速采样的控制器和快速响应调节器.

#81. 半導體元件合金製程作者： 蘇漢儒 - Your.Org

半導體 元件退火製程. 完成合金( Alloy ) 製程的晶片，. 必須經過退火( Anneal ) 的製程。 其目的為藉由逐漸降溫的過程，. 使晶片的材質增加軔性，不易脆.

#82. 交大前瞻研發「超臨界流體技術」提升半導體電晶體元件品質

劉柏村特聘教授研發之「半導體元件製造方法」專利技術，應用微波退火技術於非晶態金屬氧化物半導體製程中，取代傳統長時間(數十分鐘或小時)的爐管熱 ...

#83. 「半導體退火」懶人包資訊整理(1)

今年，日本的氣溫持續高溫不下，四月底至今，已導致125人中暑身亡。我們雖然沒有這麼嚴重，但各地的氣溫也是在不斷攀升，很多人家裡、辦公室的空調都是一打開就不會關掉， ...

#84. SEMICON 2019 國際半導體展：從台灣角度如何看量子電腦 ...

而日本IT 大廠富士通近期也發表類量子電腦的數位退火技術，能解決傳統運算無法解決的問題。高英聰認為，如同日本一樣整個化學研究產業生態系能產學合作，定能有所突破。

#85. 成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心

在不同的薄膜-基板系統中，退火時所造成的薄膜突起已經被描述超過了四十年。鋁由於它本身的低電阻率、價格低、高的附著性與較佳的開圖案能力，因此被普遍應用在半導體 ...

#86. 常见的退火方法有三种- 头条搜索

感应式导体退火机常用的几种退火方法和退火工艺比较• 摘要： 系统的分析了真空退火炉、 热管. ... 退火技术: 1、半导体退火半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。

#87. 退火熱處理 - 解釋頁

主要是檢查矽晶圓之表面缺陷為主之熱處理。在攝氏1000度左右，經過一次數十小時之熱處理，稱為退火熱處理。 相關字. 標準邏輯IC · pHEMT · 非本徵半導體.

#88. 中国海关HS编码:8486201000; 氧化

氧化、擴散、退火及其他熱處理設備(制造半導體器件或集成電路用的); ... 8486 品目, 專用于或主要用于制造半導體單晶柱或晶圓、半導體器件、集成電路或平闆顯示器的 ...

#89. 立式炉设备

盛美的立式炉设备可大批量处理300毫米的晶圆，该设备平台可应用于高性能的半导体制造LPCVD、氧化、退火和ALD应用。 立式炉设备. 主要优势. 具有高产、可靠 ...

#90. 低溫半導體缺陷消除技術 - One-On-One Matching商務媒合平台

科學突破性, 在半導體製程技術中，一般常使用高溫退火及電漿方式來改善材料的缺陷問題。本團隊開發的低溫缺陷消除技術，其原理新穎，可以導入特定化學物質進入半導體 ...

#91. 徐永贵老师在《半导体技术》发表不同退火氛围对TiN/HfO2 ...

徐永贵老师在《半导体技术》发表不同退火氛围对TiN/HfO2/SiO2/Si 结构电荷分布的影响论文. 发布时间：2021-07-22. 物理与光电工程学院徐永贵在快速热退火调制MOS器件 ...

#92. 鈷:氧化鋅（Co:ZnO）稀磁性半導體室溫鐵磁性機制研究

磁性元件包括：磁感應器、磁阻讀取頭以及磁光紀錄元件等以及半導體元件 ... 因此，利用退火後處理討論稀磁性半導體的磁性來源，以釐清其局域結構是否 ...

#93. 金屬氧化物半導體氣體感測器用材料回顧 - 台灣儀器科技研究中心

透過退火製程產生微晶尺寸，經實驗測試在室溫下1000 ppm 濃度之氫氣擁有2570%. 的靈敏度。該研究透過增加孔隙率製程使得氣體分子容易吸附與脫附，進而提高靈敏度。 Jiang ...

#94. 離子注入半導體瞬時退火設備:簡介,套用,特點,成就 - 中文百科全書

離子注入半導體瞬時退火設備 · 簡介. 其發明特徵是該設備由機械傳動和控制機構、變色紅外接觸式測溫儀、高頻加熱爐、充保護氣裝置和石英退火腔等五部分組成，整個退火過程在 ...

#95. 半導體行業（七十八）——加熱工藝（十九 - 壹讀

當溫度較低時，摻雜物原子的擴散速度比矽原子的退火快；然而在高溫時（超過1000℃），退火過程比較快些，這是因為退火的活化能（約5ev）高於擴散的活化 ...

#96. c.ACTIVATOR用于SiC 和其他材料在氩气 - centrotherm

用于SiC 和其他材料在氩气、氮气和氢气气体氛围下的高温退火工艺. ... 掺杂活化具有成本效益; 在~1700 °C 下进行AlN种子层和AlN外延层退火工艺 ... 半导体和微电子销售.

#97. 半導體製程設備 - 第 246 頁 - Google 圖書結果

6.7 快速熱退火 o 退火( anneal )的目的是修補晶格的傷害。活化能( activation energy )為 3 ~ 4 eV ,以減少已植入摻質的擴散。爐( furnace )退火不適合,因為通常放入 ...