初探國際半導體大廠ROHM之SiC碳化矽專利佈局
帶隙能量(bandgap energy)比第一和第二代半導體 (諸如Si、GaAs) 寬,且具有高電場耐壓性能;因此能實現高耐壓化、大電流化、低導通電阻化、高效率化、低功耗化、高速開關等的碳化矽 (SiC) 第三代半導體而備受矚目。第三代半導體材料主要用於光電子器件、電力電子器件 (即功率半導體) 以及微波 (Microwave) 或射頻 (Radio frequency,RF) 器件。汽車是碳排放的重要來源,低碳排放的趨勢驅動全球電動汽車產業崛起,帶動電力電子 (即功率半導體) 快速增長。......
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【相控陣列變頻微波技術開發】❄低溫退火技術助攻產業升級再進化!
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隨著半導體製程的演進,元件線寬及膜厚均達10奈米左右之尺吋,容易因傳統超過攝氏900度以上🔥高溫退火帶來的副作用,導致元件失效。 經濟部技術處偕同工研院,研發微波退火環節中的技術創新,透過微波相位與變頻整合控制,可直接均勻加熱半導體薄膜材料,不僅將溫度降至攝氏500度以下,成本還可節省近一半,極具產業競爭力💪。
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工研菁英獎創新研發做護國群山最佳後盾
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