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三星決心GAA搶先台積電推出 但良率是利潤關鍵
三星電子宣佈，作為下世代半導體製程的核心，將提前實現 GAA（Gate all around）技術商業化。三星電子計劃從明年 (2022) 開始將 GAA 應用於 3 奈米製程；台積電預計 2023 年於 2 奈米採用 GAA 技術。
但是，三星晶圓代工難超越台積電，目前台積電晶圓代工市場佔有率 53.9%、三星僅 17.4%。然而，從 GAA 專利技術開發來看，2011 年至 2020 年間，全球 GAA 專利有 31.4% 來自台積電，三星電子則占 20.6%。
GAA 技術的關鍵是將在半導體內部充當「電流開關」的電晶體的結構從 3D（FinFET）改為 4D（GAA）。三星電子稱，在 2019 年曾與客戶進行 3 奈米 GAA 製程設計工具測試顯示，GAA 技術將晶片面積減少了 45%，並將能源效率提高了 50%。
雖然，三星電子決心要趕在台積電前，將新一代 3 奈米 GAA 製程技術商業化。然而，晶圓代工良率才是企業利潤的關鍵。.....
#今日頭條
#三星 大動作投資 2000 億美元，再次上演叫陣 #台積電 戲碼。不過半導體業者表示，三星 #3奈米 GAA 預計明年量產，其實已較既定時程延遲，但不論何時推出，台積電持續沿用 FinFET 架構的 3 奈米製程，即可 #輕鬆應戰。
台積電3奈米finfet 在 三星GAA結構較台積電FinFET複雜為何在3奈米製程仍難超車 ... 的美食出口停車場
三星GAA結構較 台積電FinFET 複雜為何在 3奈米 製程仍難超車? 關鍵還有良率和成本!半導體關建設備「鑽石碟中砂如何一步步站穩寶座? ... <看更多>