美國「天才少年」19歲 Sam Zeloof 耗時3年,純手工自製1200個晶體管的CPU。自稱可以與上世紀70年代的英特爾 4004 CPU 相媲美,網友驚呼:超越摩爾定律!
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各節重點:
00:00 前導
01:27 什麼是「半導體」?
02:39 台灣的半導體產業
04:19 IC封裝測試是什麼?
06:30 高科技的加工出口區
07:59 我們的觀點
09:34 結尾
【 製作團隊 】
|企劃:冰鱸
|腳本:冰鱸
|編輯:土龍
|剪輯後製:絲繡
|剪輯助理:范范、歆雅
|演出:志祺
——
【 本集參考資料 】
→一顆新5G晶片的誕生會經過哪些步驟?白話文解析IC產業鏈全貌:https://bit.ly/2FQpS0s
→半導體(wiki):https://bit.ly/2HzGhH7
→積體電路封裝(wiki):https://bit.ly/362QNRj
→隨著半導體技術與需求不斷演進的封測產業:https://bit.ly/3mTuG5R
→5G時代封測端如何打破「三明治」格局?:https://bit.ly/3i3SGzi
→半導體產業鏈簡介:https://bit.ly/3j3ocim
→什麼是IC封測:封裝與測試的流程步驟:https://bit.ly/33Z6V3t
→晶圓代工爭霸戰:半導體知識(前傳):https://bit.ly/3mQtpMO
→一看就懂的 IC 產業結構與競爭關係:https://bit.ly/3j3OXTV
→『半導體產業』:晶片有如人腦般聰明,運用在人類 6 大領域,迎接智能新時代!:https://bit.ly/3mOdAWN
→謝金河:誰來經營大高雄?:https://bit.ly/3jgbf53
→一顆晶片翻轉世界:https://bit.ly/331nDA5
→差距擴大?!中國封測行業最「接近」海外競爭對手的幾個真相:https://bit.ly/2HqFVSN
→〈分析〉後摩爾定律時代 先進封測設備前景怎麼看?:https://bit.ly/369O08O
→超越南韓!2019 年台灣重回半導體產值第二,2020 年市場將谷底翻揚:https://bit.ly/2RXhYob
→百位先鋒回娘家!加工出口區管理處歡慶53週年:https://bit.ly/3mOdCxT
→高雄電子走過半世紀 百名老員工「回娘家」歡聚:https://bit.ly/3csVN2P
→特別企畫》走過50年…看台灣半導體 如何由勞力賺外匯 成功扭轉成全球指標產業?:https://bit.ly/3cuTCvo
→台灣半導體科技的幕後推手與展望:https://bit.ly/362R9Y9
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林本堅發明的「濕式曝光技術」,讓當時業界認為已經走到盡頭的摩爾定律一口氣往前推進七個世代,在那5年間,為台積電有將近47%的營收來自這項新技術,更從此奠定在業界的龍頭地位💪
最後借用一下影片的最後一句話,努力每個人都做的到,但是如何讓自己的努力發揮更大的價值?要如何讓自己的資金發揮更大的價值?可以先從看股感知識庫開始☺️ 並關注臺 積 電 股票
延伸閱讀:
《最前線 | 台積電 市值超越英特爾,市值差 1900 億美元》
https://www.stockfeel.com.tw/?p=104012
《台積電ADR是什麼?是台股嗎?》
https://www.stockfeel.com.tw/?p=103830
股感:https://www.stockfeel.com.tw/
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xfastest
Intel 多項技術突破推動摩爾定律超越 2025
SINCHEN ·2021-12-13
在不斷追尋摩爾定律的道路上,英特爾揭曉其關鍵封裝、電晶體和量子物理等根本性突破
,推進和加速運算進入下個十年。於IEEE International Electron Devices Meeting(
IEDM)2021,英特爾概要地論述採用混合鍵合(hybrid bonding)技術,在封裝中提升超
過10倍互連密度的過程、電晶體微縮達成30%至50%的面積改善、新電源和新記憶體技術的
重大突破,以及未來某個時刻將徹底顛覆運算的新物理概念。
摩爾定律已經隨著運算創新,滿足從大型電腦至行動電話每個科技世代的需求,這條演化
之路隨著我們進入無限資料和人工智慧的新運算時代得以延續。
持續不斷地創新為摩爾定律的基石。英特爾的元件研究事業群致力於橫跨3個關鍵領域創
新:提供更多電晶體的必要微縮技術、提升電源和記憶體的新矽功能、探索新物理概念以
便革命性地改變世界運算的方式。藉由元件研究的工作,許多創新已打破先前摩爾定律的
障礙,並實際應用於當今產品之中-包含應變矽、Hi-K金屬閘極、FinFET、RibbonFET,
以及包含EMIB、Foveros Direct在內的封裝創新。
1.英特爾正追尋基本微縮技術的重要研究,能夠在未來的產品之中提供更多的電晶體:
公司研究人員為混合鍵合互連設計、製程和組裝挑戰提出解決方案綱要,展望在封裝中超
過10倍的互連密度改善。於7月舉行的Intel Accelerated活動,英特爾宣布導入Foveros
Direct的計畫,達成10微米以下的凸點間距,為3D封裝提供一個量級的互連密度提升。為
了讓生態系能夠從先進封裝當中受益,英特爾同樣也呼籲建立業界新標準和測試步驟,促
成混合鍵合小晶片(chiplet)生態系。
展望環繞式閘極(gate-all-around)RibbonFET,英特爾正在透過堆疊多個(CMOS)電晶
體的方法,掌握即將到來的後FinFET時代,藉由在每平方毫米放入更多的電晶體,目標達
成最高30%至50%的邏輯微縮改善,繼續推進摩爾定律。
英特爾同時透過前瞻性研究,為摩爾定律鋪設前進埃(angstrom)時代的道路,展示僅有
數個原子厚度的新型材料,如何能夠做出克服傳統矽通道限制的電晶體,讓每個晶片面積
上增加數百萬個電晶體,為下個十年提供更為強大的運算。
2.英特爾同時為矽帶來新功能:
在300mm晶圓上,達成全球首創整合以氮化鎵(GaN)為基礎的電源開關和以矽為基礎的
CMOS,推進更有效率的電源技術。為CPU提供低損失、高速的電源供應,並同時縮減主機
板元件和空間。
另一項進展為英特爾使用新型鐵電材料,達成領先業界、低延遲讀寫能力,且有可能成為
次世代嵌入式DRAM技術,提供更多的記憶體資源,解決從遊戲到AI等運算應用日益複雜的
問題。
3.英特爾正在追尋以矽電晶體為基礎的量子運算
所帶來的強勁效能,以及與新型室溫裝置搭配運作,擁有巨量能源效率運算的全新開關。
在未來,這些採用全新物理概念的揭示,可能會取代傳統MOSFET:
於IEDM 2021,英特爾展示於室溫運作的全球首款實驗性磁電自旋軌道(
magnetoelectric spin-orbit、MESO)邏輯裝置實作,顯示出基於開關奈米規模磁鐵的新
型電晶體可製造性的潛力。
英特爾和IMEC在自旋電子材料研究取得進展,將裝置整合研究更進一步帶往實現全功能自
旋轉距(spin-torque)裝置。
英特爾還展出與CMOS生產製造相容,用來實現可擴展量子運算的完整300mm量子位元製程
流程,並確定未來研究的下一步。
https://news.xfastest.com/intel/105116/intel-iedm-2025/
台GG和AMD瑟瑟發抖
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