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回復再結晶晶粒成長 在 再結晶溫度定義在PTT/Dcard完整相關資訊 的美食出口停車場
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回復再結晶晶粒成長 在 Re: [問題] 請問材導...... - 精華區NTUMSE92PASS - 批踢踢實業坊 的美食出口停車場
※ 引述《lance0705 (By the Seine)》之銘言：
: ※ 引述《moza (ddd)》之銘言：
: : 小貝殼說
: : 越嚴重的塑性加工就是越破壞他的
: : (因為越難再找到排列方式類似的的原子而再結晶)
: : 也就是 再結晶的晶粒大小一定比原來來的小
: : 再加溫頂多讓他熔化
: : 很難再產生大的晶粒
: : 而小的晶粒和退火前的能量差較小
: : 所以所需溫度較低
: : -------------------------------------------------------------------------------
: : -------------------------------------------------------------------------------
: : spondz說
: : 塑性加工嚴重的材料
: : 內能較高 所以需要比較少的能量就能引發再結晶
: : 而顆粒較小的原因是因為差排較多
: : 產生攀爬時會有較多的等軸結晶核
: : 因此也較小......
: : 到底哪個才是對的呢？大家推文說說看吧。
: 恩 這也只是我個人的推想而已啦
: spondz講的好像比較有道理.....
(1)冷加工與應變能的關係:
冷加工(塑性變形)會造成大量差排產生->正負符號差排在"不同"滑移
面上相遇->形成空位或格隙原子->點缺陷使晶格扭曲增加->材料的應變能增加
由熱力學來看
(H=u-σε)---因為凝態(固or液)σε可忽略,所以H=u
(G=H-TS)---而冷加工使H增加,熵(S)輕微增加(原因複雜,略)->自由能(G)增加 #
(2)冷加工與再結晶晶粒大小關係:
退火有三個階段:recovey , recrystallization , grain growth
回復:驅動力為點缺陷消失或正負差排在"同一"滑移面上相消之"應變能釋放"
再結晶:驅動力為差排在回復階段形成之多邊形壁(polygonization)之應變能釋放
晶粒成長:總界面能下降(因為晶粒變大造成總晶界面積變小)
而再結晶過程是一個熱活化過程,遵守Arrhenius equation,要考慮成核成長之活化
能障,所以要有一個足夠的冷加工量才成跨過這個能障(此稱為臨界冷加工量)而進
行成核成長,而冷加工量越大->應變能越大->越容易跨過活化能障使再結晶成核越
容易->再結晶成核數目越多->完成再結晶後之晶粒大小自然越小 #
同理可想成:
(3)冷加工與再結晶溫度關係:
冷加工量越大->應變能越大->所需跨過的活化能障越低->發生再結晶所需溫度越低#
補充:
(1)符合Arrhenius equation的再結晶速率公式
再結晶速率 = A exp(-Q/RT)
A:constant ; Q:活化能障 ; R:8.314 J/mole K ; T:溫度(K)
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.32.162
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