而通道的定義為源極到汲極的距離。此效應包括V th ... 然而這種元件可獲得極佳的次起始振翼(Subthreshold Swing)，如此可允許非常小的起始電. ... <看更多>
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而通道的定義為源極到汲極的距離。此效應包括V th ... 然而這種元件可獲得極佳的次起始振翼(Subthreshold Swing)，如此可允許非常小的起始電. ... <看更多>
#1. 亚阈值摆幅_百度百科
亚阈值摆幅（Subthreshold swing）， 又称为S因子。这是MOSFET在亚阈状态工作时、用作为逻辑开关时的一个重要参数，它定义为：.
了次臨界斜率(subthreshold swing)ヽ臨界電壓(threshold voltage)ヽ電導 ... 次臨界斜率的定義為當汲極電流增加十倍時所需要增加的閘極電壓，.
#3. 亞閾值擺幅 - 中文百科知識
簡介亞閾值擺幅（Subthreshold swing）， 又稱為S因子。這是MOSFET在亞閾狀態工作時、用作為邏輯開關時的一個重要參數，它定義為： 亞閾.
#4. 亞閾值電流 - 中文百科全書
亞閾值擺幅（Subthreshold swing）， 又稱為S因子。這是MOSFET在亞閾狀態工作時、用作為邏輯開關時的一個重要參數，它定義為：. S = dVgs / ...
#5. 亚阈值摆幅（Subthreshold swing） - 简书
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#7. Subthreshold slope - Wikipedia
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#8. subthreshold-swing - 必应词典 - Bing
必应词典为您提供subthreshold-swing的释义，网络释义： 次临界摆幅；次临界斜率；次臨界导通斜率；
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那這樣文獻上常說元件的遷移率是多少所帶的Vgs或其他電壓有一定的定義嘛~ 還是 ... 最後一個次臨界擺幅(Subthreshold swing, SS) δVgs ∣ SS=—————∣ ...
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定義 次臨界擺幅(subthreshold swing) ： S 越大，表示I D 隨V G 的變化越小， on-off 特性不明顯； S 越小，表示I D 隨V G 的變化越大， on-off 特性顯著。 PDF 檔案.
#16. S 定義： 閾下擺動-Subthreshold Swing
S是什麼意思？S代表閾下擺動。如果您正在訪問我們的非英語版本，並希望看到閾下擺動的英文版本，請向下滾動到底部，您將看到閾下擺動在英語中的含義。
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#18. subthreshold swing公式 話題討論 - winXmac軟體社群
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#71. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 141 頁 - Google 圖書結果
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#72. 英語辞典でのsubthresholdの定義と同義語 - Educalingo
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#73. Advanced MOSFET Designs and Implications for SRAM Scaling
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#74. 「dibl定義」情報資訊整理 - 熱血南臺灣
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#75. 次臨限斜率英文，subthreshold slope中文 - 三度漢語網
中文詞彙 英文翻譯 出處/學術領域 次臨限斜率 subthreshold slope 【電子工程】 臨限頻率 threshould frequency 【電機工程】 次臨限(S‑因數) sub‑thresholding (S‑factor) 【電子工程】
#76. 短通道效應ptt - Paxhg
而通道的定義為源極到汲極的距離。此效應包括V th ... 然而這種元件可獲得極佳的次起始振翼(Subthreshold Swing)，如此可允許非常小的起始電.
subthreshold swing定義 在 [問題] MOSFET一些電性參數計算- 看板Electronics - 批踢踢 ... 的美食出口停車場
一般MOSFET掃過Vgs以後就可以得到一些電性參數, 像:
場效遷移率(mobility)μ
轉導係數Gm等等.
MOSFET通道的電流為:
Ｗ １ 2
Ids = μCox－[(Vgs-Vth)Vds-－Vds]
Ｌ ２
______
假設我今天在Vds=0.1V下掃Vgs ↑ 所以這一項夠小把它忽略掉變成:
Ｗ
Ids = μCox－(Vgs-Vth)Vds
Ｌ
所以固定Vds掃完Vgs後 Ids Vgs Vth Vds都有數值,
W/L元件參數也為已知,
Cox單位電容為ε/t, t氧化層厚度也為樣品參數已知,
ε=εoεr, (εo真空介電常數: 8.85x10^-12 F/m)
今天我的氧化層是Si02
所以我可以查表找出εr(無單位)帶回,
這樣我的單位變成:
Ｆ １ 2
I = μ‧－‧－‧1‧V
ｍ ｍ
2
μ的單位是 m / V‧s, 所以數值直接帶回因次...對嘛?
例如我今天在Vds=0.1V下掃Vgs
在Vgs=1V時我的Ids=1.8x10^-7A
W/L為15/4, 氧化層厚度為300nm
Vth為-1V
所以數值帶回
3.9x8.85x10^-12F/m 15
1.8x10^-7A=μ‧‧—‧(1-(-1)V)‧0.1V
300x10^-9m ４
-3 2 2
所以μ=2.086x10 m / V‧s= 20.86 cm / V‧s
這樣計算對嗎?
所以我在計算元件的遷移率帶不同的Vgs值我的遷移率就不盡相同吧...?
那這樣文獻上常說元件的遷移率是多少所帶的Vgs或其他電壓有一定的定義嘛~
還是數量級差不多大家都不態計較
另外想問ε介電係數國內有沒有地方可以查,
像是國科會中研院教育部這類機構,
因為每種材料ε各個網站都不盡相同,
當然有些ε會因材料幾何尺寸有關所以各個網站不同也正常,
只是想問國內有沒有網站資料比較完備可以查~
再來如果我有了遷移率μ,
接著求轉導Gm:
δIds ∣ Ｗ
Gm=—∣ = —μ‧Cox‧Vds
δVgs ∣Vds=const. Ｌ
只要將數值分別帶入應該就ok了吧?!
最後一個次臨界擺幅(Subthreshold swing, SS)
δVgs ∣
SS=—∣
δlog(Ids)∣?? <= 條件是min嘛
所以求法是我去把取semi-log的數據Vgs-log(Ids)做微分,
然後得到最小的值就是我的SS嘛?
我知道這些問題好像蠻基本的,
不過以前沒啥在碰FET,
查課本都是在算一些小訊號分析為主,
問有些實驗室的 他們都一台semiconductor analyzer參數設一下,
訊號掃一下這些值都有,
所以想來這邊請益一下!
我手邊p幣不多,
如果有幫忙解答到的就送個100P(稅前)作答謝囉~
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 125.230.92.159
※ 編輯: cd20124 來自: 125.230.92.159 (06/12 09:07)
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