ldd半導體目的 在 コバにゃんチャンネル Youtube 的最佳解答
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... 解釋為甚麼要有LDD；也可考慮body effect（Vt受到body沒有與source接在 ... 理論上整合應該是最了解製程目的的單位但不知道為甚麼很多整合其實都 ... ... <看更多>
ldd半導體目的 在 IC Design 與EDA) | 《從產業特性看台積海外設廠》 的美食出口停車場
Intel總裁最近頻頻向美國拜登政府喊話，要大力支持美國本土的半導體製造業者，主要的目的就是希望能夠拿到更多的補貼經費來支持研發及購買先進製造設備，有錢能使鬼推 ... ... <看更多>
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(一) 製程概觀
參考書籍: Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology by Xiao
半導體製程主要分六個module, 分別是: 微影 (lithography) , 蝕刻 (etching) ,
薄膜 (thin film), 擴散 (diffusion), 離子植入 (ion implant),
與 化學機械研磨 (chemical mechanical polishing).
可以將電晶體的製程想成蓋房子,首先製作STI (shallow trench isolation)區分
發揮電性的silocon與絕緣的silicon oxide.植入離子產生N/P well.製作poly
gate當做電晶體的開關,接著製作contact,填入金屬稱為plug,一層層的metal line
蓋上去成為電路,每層metal layer間以via連接,最後有passivation layer保護.
習慣上把contact以前稱為FEOL (front end of line,前段),contact稱為
MEOL (middle end of line,中段),metal開始稱為BEOL (Back end of line,
後段).
其中,微影也常被稱為黃光,一部分原因是因為光阻中的PAG (photo-induced acid
generator,曝光後產生酸,接著採取連鎖反應.)怕白光,所以無塵室內微影區是以黃
光照明.黃光工程師的工作是以光阻曝光產生固定的pattern後,接著利用蝕刻將其
轉印在晶圓上(如oxide, poly, metal, via layer, layer前的名字代表將產生半導體內
的哪個單位).也有可能是光阻曝光後, 利用implant將ion植入silicon產生電性
(implant layer,其中包含: well, LDD, S/D, cell, I/O).與photo (黃光)合作關係
最密切的就是etch與implant.
(二) 黃光工作內容
(二-1)
參考書籍:
1. Sub-Half-Micron Lithography for ULSls by K.SUZUKI
2. Fundamental Principles of Optical Lithography: The
Science of Microfabrication by Mack
3. Advanced Processes for 193-nm Immersion Lithography
by Y. Wei and R. L. Brainard
4. Optical Lithography: Here is Why by B. J. Lin
5. Microlithography: Science and Technology by K. Suzuki and etl.
在介紹內容之前,要先解釋一下光罩的區別.依據製程與layout的差別,我們將光罩分
為Bright field Dark tone如Oxide, poly layer,與Dark field bright tone如
metal, via layer.簡單的想法就是,以oxide為例,我們要將大部分的光阻都曝開
才能往下etch製作STI,所以稱為bright field.對metal而言,我們是將少部分的光阻
曝開往下etch,接著填入metal,所以稱為dark field.了解這個差別,較容易進
一步了解各個layer所需要的pattern與解defect的recipe的調整.
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