關於 jfet飽和區 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 第3 章MOSFET 講義與作業

n 通道MOSFET 之參數為VTN=0.75V，W=40μm，L=4μm， μn=650cm2/V-s，εox = (3.9)(8.85×10-14)F/cm。求當電晶體在飽和區，. VGS = 2VTN 之iD 電流。 解：. 算出導電參數.

#12. 金屬氧化半導體場效電晶體MOSFET

和JFET 類似，MOSFET 是利用閘極偏壓控制源汲極間導通特性的元件，而且兩者之電特性也十分. 相像，不過一般而言MOSFET 的閘極漏電流會比JFET小。(圖8)是NMOS在飽和區的 ...

#13. [例題1]

在n通道空乏型MOSFET的閘極加上一負電壓，則通道寬度 (A)增加 (B)不變 (C)減小 (D)不一定 ... 已知NMOS之 ， ，工作在飽和區，求此NMOS之 ？ Answer：. 又工作在飽和區 ...

#14. 單元十四:MOSFET特性

基本之共汲極放大器如圖14-16所示，源極隨耦器之電壓增益略小於1，通常使用於功率放大輸出級，對不失真訊號範圍較在意，造成失真之原因：FET在飽和區之電流平方特性，FET ...

#15. 表二、高職數位教材發展與推廣計畫－電子學科單元教案設計表

當JFET 進入飽和區工作時，其電流開始維持定值，此係因通道的哪一端產生. 夾止？ (A)閘極(B)汲極(C)源極(D)汲極與源極同時. ( D ) 3.P 通道場效電晶體（FET）之電荷載 ...

#16. 電子學考前筆記整理- HackMD

因此，我們得要先判定該電路是否在夾止(飽和)區、或者在截止區。 ### FET固定偏壓電路 #### 直流分析先 ...

#17. FET電路試題範例及解答Question 1

由於VDS =0.9V >(VGS −Vt ) = 0.8V，因此MOSFET 元件操作在飽和區. (Saturation. Region)。 Page 7. Question 7. 下列MOSFET 電路中，若閘源極電壓VGS ...

#18. 109 學年度四技二專統一入學測驗電機與電子群專業(一) 試題

操作於飽和區之JFET 放大電路，其IDSS＝6mA，夾止電壓(pinch－off voltage). VP＝－3V，若電路工作點之VGS＝－2V，則此時電路之互導gm 約為何？ (A)1.21mS. (B)1.33mS.

#19. N 通道JFET 不可將V GS 接成正偏壓

由半導體物理學證明，可得空乏型MOSFET 之夾止飽和區輸出電流公式與JFET 相同為：. 8-2 D-MOSFET之構造特性及直流偏壓. 與JFET不同是空乏型MOSFET也具有增強型特性（ ...

#20. 4-1 元件特性及操作

BJT作為開關時，工作在截止區和飽和區。 ... BJT為電流控制電流源，FET為電壓控制電流源型元件。 ... FET操作原理. FET. 截止區. 飽和區. 三極區. 源極通道.

#21. 場效電晶體補充教材 - uSchoolnet

② VGS＝0，VDS＝+4V＝VP，即VGD＝－4V，洩極夾止，工作於飽和區(定電流區)，IDS＝ IDSS。 ③ VGS＝－2V(源極通道半開)，在VDS＝+2V 時，VGD＝－4V＝VP，洩極夾止， ...

#22. 第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)

圖5.16:將 增加到超過時會使通道夾止點稍. 微移開汲極，因此會縮短等效通道長度(縮減值. 為∆L)。 圖5.18: n- 通道MOSFET 在飽和區下包含輸出電. 阻 的大信號與 ...

#23. FET半導體特性

(1)載子為電子者稱為P通道FET (2)輸入阻抗一般較雙極性接面電晶體BJT 還高 (3)傳導電流之 ... 對一接面場效應電晶體（JFET）而言，當其工作在飽和區時之iD電流為何？

#24. FET 交流信號放大組態，依輸入端與輸出端之不同，可分為共源極

FET 作為放大器使用時，如果放大電路沒有直流偏壓而直接加入交流信號時，其交流 ... 輸入交流信號，能讓輸出放大信號維持在夾止飽和區內，即可得到線性不失真的放大。

#25. MOS 的Surface potential 之探討 - 逢甲大學

和JFET 類似，MOSFET 是利用閘極偏壓控制源汲極間導通特. 性的元件，而且兩者之電特性也十分相像，不過一般而言MOSFET 的. 閘極漏電流會比JFET 小。圖8 是NMOS 在飽和區的 ...

#26. 台灣電力公司103 年度新進雇用人員甄試試題

(B)作為開關使用時，工作於飽和區或截止區. (C)集極面積寬度最大 ... 某一JFET 之IDSS＝10 mA，Vgs（OFF）＝-5 V，試計算在偏壓點Vgs＝-2 V 的gm 值為何？ (A) 1.2 mS.

#27. 實驗五、場效電晶體

N 通道JFET 自己偏壓電路中，交流信號經由電容器C1 耦合到圖1 中的閘極。電阻RG ... 再明顯增加，即為ID剛進入飽和區的值（並非取最大值），此時之ID值即為IDSS。

#28. 结型场效应晶体管_百度百科

结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体 ...

#29. 電子學 - 聯合大學

假設有一n通道的JFET,其夾止電壓(pinch-off voltage)Vp=-4V,最大汲極電流Ipss=16mA,. VGs=-1V,試求使得JFET進入飽和區的Vps值?(5分).

#30. 第四章场效应管及其基本放大电路

对应于晶体管截止区、放大区、饱和区。 ... ▫P-JFET与N-JFET工作原理相同，区别仅在于栅源控制电压V ... 用场效应管组成放大电路时应使之工作在饱和区。N沟道增.

#31. 新竹市光復高中108 學年度第1 學期電子學

)JFET 的飽和轉換曲線呈開口向上的拋物線，其表示式 ... 當飽和區. 時， 等於(A)-1V (B)1V (C)-2V (D)2V. 15. (. )增強型MOSFET 的. ，此元件為何種通道？操作在何.

#32. 選擇題共0 分1. ( B ) 欲使FET 放大器的輸出與輸入信號呈比例放大

為一電壓控制電壓源(B)P 通道增強型MOSFET 操作於飽和區時之交流小信號模型為一電流控制電流源(C)應用於線性放. 大器設計時，靜態工作點必在直流負載線上(D)應用於線性 ...

#33. 鐵路特考|佐級(電子工程)|歷屆題庫|102年|電子學大意-鼎文題庫網

分析如圖之電路，若MOSFET之轉導值gm＝1mA/V且操作於飽和區，元件之輸出 ... 圖所示電路中場效電晶體（FET）之Vt＝－1V、μpCox（W/L）＝2mA/V，若FET工作在飽和區，且 ...

#34. 为什么三极管（BJT）的饱和区和场效应管（MOSFET ... - 知乎

耗尽型N-MOSFET（包括结型场效应管N-JFET）与NPN三极管饱和和截止区域正好相反。 昨天一位同学问了为什么三极管和MOSFET放大区是相反的（这个说法有误）. 多方比对核查资料 ...

#35. 1某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其|iD|-vG..

1 某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其|iD|-vGS 關係如圖所示，|iD|是汲極電流之大小，則此FET 為： (A)增強型NMOS (B)增強型PMOS (C)空乏型NMOS

#36. 台灣電力公司107 年12 月新進僱用人員甄試試題- 科目

(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄 ... 某N通道JFET，VP = - 4 V，當VGS = - 1 V時，欲使該JFET工作於飽和區，所需的VDS值範圍為.

#37. 旗立測驗卷

對於N通道JFET來說，當工作於飽和區時，其電壓限制為何？ (A) (B) (C) (D). ( )2. 一N通道增強型MOSFET作為開關使用時，欲讓其處於短路（ON）的狀態，則所外加偏壓的 ...

#38. 109 年統測試題或答案確認說明

N 通道場效電晶體包含接面場效電晶體(JFET)、空乏型與增強型的金氧半場效. 電晶體(MOSFET)等。 2. 依題意所述，若要偏壓於飽和區(定電流區)工作時，則N 通道之空乏型.

#39. 公告試題僅供參考

操作於飽和區之JFET放大電路，其IDSS =6mA，夾止電壓(pinch-off voltage)VP =–3V，. 若電路工作點之VGS =–2V，則此時電路之互導gm 約為何？ (A) 1.21mS. (B) 1.33mS.

#40. 認識二極體及電晶體特性曲線

壓繼續增加，少數載子流也達到飽和而不會再增加，稱為反向飽和電流（IS）。 ... 2、飽和區：JE 和JC 都順偏，在0~ VCE(sat)之間， CE v 略有變動時， C ... P 通道FET.

#41. 電子學第4章

(A) JFET可分成N通道與P通道兩大類(B) MOSFET可分成增強型(Enhancement)與空乏型(Depletion) ... 對一接面場效應電晶體(JFET)而言，當其工作在飽和區時之ID電流為何？

#42. 结型场效应管JFET工作原理及应用特点介绍 - IC先生

JFET 是结栅场效应晶体管，普通晶体管是电流控制器件，需要电流进行偏置，而JFET是电压控制器件。 ... 之后，JFET进入曲线几乎笔直的饱和区。

#43. 關於JFET 的9 個事實：工作、特性、應用、優點和缺點

JFET 的類型JFETBJT 與FETJFET 與MOSFET 的特性應用優點和缺點在本文中， ... JFET是具有三個端子半導體的最簡單類型的場效應晶體管之一。 ... 飽和區或有效區.

#44. 如何在電壓控制電路中使用FET - 電子技術設計 - EDN Taiwan

飽和區 包括曲線的水準部分，這時FET用作電壓控制電流源；另一個區域包括傾斜 ... 圖2 FET的三極管區擴展到負VDS電壓，-VDS1仍然表現出電阻效應。

#45. 結型場效應電晶體:基本概念,工作特性,器件特點 - 中文百科全書

結型場效應電晶體（Junction Field-Effect Transistor，JFET）JFET是在同一塊N形半導體上製作兩個高摻雜的P ... 結型場效應管可變電阻區類似於晶體三極體的飽和區。

#46. 簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳

效電晶體(junction field effect transistor，簡稱JFET)，後者稱為金氧半場效電晶體 ... 其中IDSS 為VGS 為0 時在飽和區的汲極電流，並注意Vp 對n 通道JFET 是負的，.

#47. 臨界電壓可調式延伸閘極電晶體之生醫感測研究Study of ...

式閘極場效電晶體也應用於生醫感測的研究，但是一般商業用FET 在閘極電壓接地時都 ... 在公式(7)中，當VDS 等於(VG-Vth)時(例如：在飽和區時VG 為0.5 V，Vth 約為-0.5 ...

#48. 111年公務人員初等考試試題

有一N 通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓VP =-4V，且源極電壓VS =0V， 則下列那一個. 條件可使此JFET 工作於飽和區？ VG =-5V,VD =1V VG =-2V,VD =1V.

#49. 关于“结型场效应管JFET”的那些事 - HIFI音响网

Vds=Vgs-Vp作为JFET工作在可变电阻区或者恒流区的唯一判据，在输出曲线上边预夹断 ... JFET工作于饱和区时，其转移特性曲线可以用如下的二次式来拟合，说到拟合就不是 ...

#50. 四詳細畫圖說明jfet的偏壓與轉移電導的關係

空乏型mosfet 2. 如下圖所示之電路，已知jfet 之，夾止電壓v p 4v ， gs 2v ，若jeft 工作於飽和二、原理說明jfet的基本小訊號放大器為共源、共閘及共 ...

#51. 一般警察人員考試及106 年特種考試交通事業鐵路人員 - 公職王

有一JFET，其IDSS=12mA，VGS(off)=-4V，則在偏壓點VGS=-1.5V 時，此JFET 的gm ... 圖中電晶體M1 操作在飽和區(saturation region)，輸出阻抗r0=10k ...

#52. 電子學(含實習)奪分寶典Ⅱ

控制方式. 完成信號放大區域. FET. 電壓控制(VGS 控制ID ). 飽和區. BJT. 電流控制(IB 控制IC ). 主動區. 通道. 導通條件. N 通道. 0>VGS > VP (∵VGS <0).

#53. 九十七年新考題電子專(一)電子學

算放大器輸出正負飽和電壓分別為+12V 與 ... (A)截止區(B)作用區(C)飽和區(D)歐姆區。 ... 止電壓VP = −4V，VGS = −2V，若JFET 工作於飽和. 區，則RS 約為何？

#54. 場效電晶體(Field-Effect Transistors, FET)

使用JFET時，閘極和源極. 間的pn接面都是逆向偏壓 。 ▫ 閘極接上負電壓會造成閘. 源極接面成為逆向偏壓，. 在pn接面形成空乏區，空. 乏區會侵入n通道，因此.

#55. CN1004853B - 结型场效应晶体管电阻式差动放大器

这样，差动连接的JFET晶体管工作在电阻区而不是漏电流一相对源电压特性曲线的饱和区。该JFET晶体管以电压控制电阻器的方式工作，而不是以栅一源电压（V GS）电阻电流源 ...

#56. 第七章串級放大電路

(a) D極端夾止的N通道. (b) 輸出特性曲線. 圖8-24 N通道空乏型MOSFET之夾止飽和區工作模式. ( ). GS. GS p. V. V. > ( ). GD. GS p. V. V. ≤. 夾止飽和區工作模式：.

#57. 21-0 子學基礎概念

12.在飽和區中，閘極與汲極之間是屬於何種(順或逆)偏壓? 13.歐姆區中，閘極、源極、汲極，何者間的空乏區較大?原因為何? 14.若FET 的電壓太大，會發生什麼事?

#58. 100 學年度電子學(全)大會考題庫

一直在線性區工作的放大器是. (A)C類(B)D類(C)B類(D) A類. D 10. B 類放大器的電晶體偏壓設定在. (A) 截止區內(B) 飽和區(C)負載線的中點(D) 截止點上. B 11. 某個JFET ...

#59. 场效应管工作原理（2）

双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广, ... 与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。

#60. FET晶体管作为开关的工作原理介绍 - 51CTO博客

让我们考虑N 沟道JFET 以了解工作区域。JFET 的工作或特性分为三个不同的区域，即欧姆区、饱和区和截止区。施加到漏极的电压称 ...

#61. 半導體特性

場效應電晶體（即FET）為一半導體元件，其特性如下： ... 飽和區：又稱為「定電流區」、「夾止區」，此時FET之DS間的通道存在但最窄，在此區域中不論VDS如何增加，ID ...

#62. 1. 在給定電流下,矽二極體之順向偏壓每˚C約下降2mV,若在25°C ...

一放大器電路如圖(七)所示,其中的接面場效晶體(JFET)工作於飽和區內,電晶體的夾. 止電壓(pihch-offvoltage)V =-4V,Inss=10mA,假設可忽略電晶體的通道長度調變效.

#63. 第8章場效電晶體8-1 JFET 之構造及特性8-2 JFET 之特性曲線8 ...

(4) 歐姆區又稱為電阻區，在此區工作時，FET可當可變電阻器使用。 當（或）從0開始增加時 ， 會依比例而增加。 在A至B區間，通道電阻 ...

#64. 接面場效電晶體之V-I特性曲線/鄭沂承(課程講義)

N通道JFET特性曲線. Page 3. JFET與雙極性電晶體不同之處. 1.雙極性電晶體以電流IB控制IC ... 註: IDSS->當VGS=0時汲源極飽和電流最大，. 以IDSS示之，每一個FET都有 ...

#65. 第三章场效应管

IGFET 也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor ... 非饱和区（Nonsaturation Region）是沟道未被预夹断的工作区，又称可变电阻区。由.

#66. JFET结型场效应管的总结_weixin_42257266的博客

JFET 是压控元件，都是以Vgs电压控制导电通道为大前提。在此区域，随着Vgs的增加， ... n型JFET管常用的工作区为可变电阻区和恒流区（饱和区）。

#67. 107 學年度電機資訊學院－電子與資訊基本能力會考

(C)電晶體可能驅動進入飽和區(D)集極電流將會降低 ... 辨識下圖中的每個特性曲線所代表的FET 型態。 (1). (2). (3). (A) n 通道-JFET、p 通道-EMOS、n 通道DMOS.

#68. IGBT和MOSFET的工作區是怎樣命名的？ - 每日頭條

該區域內，當Vgs一定時，漏極電流Id幾乎不隨漏源電壓Vds變化，呈恆流特性，因此稱為恆流區或飽和區（漏極電流Id飽和）。 由於該區域內，Id僅受Vgs控制， ...

#69. Page 20 - AD02605_升科大四技資電類歷屆試題

當電晶體工作於順向主動區，且其電流增益β =200 時，IC = 2.0 mA。 ... (A) N 通道JFET 操作於飽和區時之大信號模型為一電流控制電壓源(B) P 通道增強型MOSFET 操作於 ...

#70. 臺灣菸酒股份有限公司110 年從業職員及從業評價職位人員甄試 ...

N 通道加強型MOSFET 的閘-源電壓VGS 應如何才能使電晶體操作在夾止飽和區？ ... ④ FET 通常比BJT 更容易受到靜電放電(Electrostatic Discharge)的破壞. 【3】7.

#71. 升科大四技電子學總複習講義全(電機與電子群2018 附解答) - 誠品

4-294-4-3 飽和區(saturation region). ... 7-18第8 章場效電晶體之特性8-1 FET 的分類. ... 8-108-3 N - JFET 的電壓電流方程式8-118-3-1 三極體區電流方程式.

#72. 高功率金氧半電晶體元件模型之建立__臺灣博碩士論文知識加值 ...

當閘極電壓逐漸增加, 至MOSFET 區域可提供的最大電流大於JFET 的最大電流時, ... 此時,MOSFET 的汲極所分配到的電壓,使MOSFET 是落在飽和區, 而非線性區或崩潰區。

#73. 第六章MOSFET的电气特性

沟道长度调整对跨导的影响. 1）电流随Vds升高而增大. 2）输出阻抗减小. 3）饱和区跨导公式变化. 4）图示跨导的变化：Vds变大后，曲线纵向间距增大，表示gm增大。

#74. 共源JFET放大器分析 - 维库电子市场网

JFET 栅极电压Vg通过由电阻器R1和R2设置的分压器网络偏置，并且偏置为在其饱和区内工作，该饱和区相当于双极型结型晶体管的有源区。

#75. 第1章二極體及其特性 - 3people.com.tw - /

FET. BJT. 操作模式. 靠多數載子的漂移電流. 靠少數載子的擴散電流 ... 增強型P基底MOSFET，欲使之導通，閘極應加何種電壓？ (A) ... I 為JFET之飽和洩極電流， p.

#76. 谈谈共源JFET放大器- ROHM技术社区

JFET 栅极电压Vg通过由电阻器R1和R2设置的分压器网络偏置，并且偏置为在其饱和区内工作，该饱和区相当于双极型结型晶体管的有源区。

#77. 场效应管和结型场效应管(JFET) - 简书

其三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于三极管的截止区、放大区和饱和区。场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。

#78. MOSFET的基本工作原理• 结型场效应晶体管• 金属

FET 与双极晶体管（势效应晶体管PET的典型代表）的比较： ... 线性区. 2）电流电压特性. 沟道的作用. 相当于电阻. 开始. 饱和. 反型层宽度 ... 饱和区，漏电压大于V.

#79. 结型场效应晶体管 - 搜狗百科

JFET 导电的沟道在体内。耗尽型和增强型这两种晶体管在工艺和结构上的差别主要在于其沟道区的掺杂浓度和厚度。D-JFET的沟道的掺杂浓度较高、厚度较大，以致于栅pn结的内建 ...

#80. 認識電晶體Datasheet 及電晶體代換 - QSL.net

電晶體(Transistor) 一詞是好幾種放大元件的泛稱，包涵BJT, J-FET, MOSFET, ... 以上兩項是電晶體在飽和區的特性，將電晶體做為開關時時需要參考這項 ...

#81. 第一章

饱和区 eb 结和cb 结. 均为正偏。 管子完全导通，其正向压降很小。 相当一个开关“闭合（ Turn on） ... JFET 结型场效应管利用反向PN 结（加反压）耗尽层宽窄控制沟道.

#82. OP用BJT和MOS的優缺點在那?－第1頁 - 電子工程專輯.

想請大家順便來比較一下,JFET OP&CMOS OP的差異處..... 備註一: ... 兩種操作模式：線性區與飽和區，線性區適用於放大電路，而飽和區則為開關使用。

#83. 甄試類(群)組別：四技二專組

(A)作用區(active region)或飽和區 ... 當電晶體工作在飽和區時，電晶體接面上偏壓的設定為？ ... 若N 通道的JFET，汲極的飽和電流為4mA，夾止電壓為-2V，則.

#84. 國立高雄科技大學109 學年度碩士班招生考試試題紙

有一BJT 電晶體在主動區(active)工作時，βF = 100，VBE = 0.7 V；在飽和區(saturation)工作 ... 圖5 含有兩個完全相同之接面場效電晶體(JFET)。

#85. 電晶體飽和狀態 - 華人百科

飽和 狀態就是電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態(即開態).對於BJT(雙極型電晶體)和對於FET(場效應電晶體),飽和狀態的含義大不相同，要特別注意區分開來。

#86. Re: [問題] JFET和MOSFET工作區判定 - PTT Web

增強型MOSFET判別進入飽和區條件有兩個1.有通道2.已夾止第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式1.有通道(表示未截止)公式為|Vgs|<|Vp| ===>適用n p ...

#87. 所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性

這張表個是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET：R6004KNX的技術規格中所摘錄出來的。 Si_2-4_spec. 藍線框起來的是VGS(th)，條件欄中的是VDS= ...

#88. 低導通電阻高壓功率半導體元件研製研究成果報告(精簡版)

(Linear region)或是飽和區(Saturation region)，如圖六所. 示。此橫向JFET 利用p 型高壓井與p 型基板決定電流. 通道的寬窄，電流的大小由p 型高壓井底下的n 型高壓.

#89. 截止/三极/饱和区| 《电路基本原理》全英讨论课第七集

MOSFET, NMOS, PMOS, 工作区间，截止/三极/饱和区| 《电路基本原理》全英讨论课第七集. 橘猫博士. 相关推荐. 查看更多. 一看就会的MOS管工作原理终于来啦！ 8.8万 13.

#90. 结型场效应管（JFET）知识概述、工作特性、结构与图形符号等解析 ...

什么是结型场效应管（JFET），JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区， ... 最大而饱和（饱和电流搜大小决定于没有被夹断的沟道的电阻），这就是JFET的饱和 ...

#91. FET - Coggle

FET (JFET (歐姆區(電阻性質) (P (0 0，通道寬度變大，導電性增大，電流變大, VGS<0，通道寬度變小，導電性增小，電流變小, VGS. ... 飽和區(可供放大，線性區).

#92. Mos 工作區 - Didziojikinija

下面讲述MOS管场效应管的四个区域：（1）可变电阻区（也称非饱和区），满足Ucs》Ucs（th）（ ... 已夾止第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式1.

#93. Mos 工作區 - Ristorante Pizzeria Arcobaleno

已夾止第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式1 ... 有通道(表示未截止質可以有效地被控制，故常用的mosfet元件均是以矽晶圓做基板材料。 下面我們將較仔細的介紹n通道 ...

#94. 場效電晶體之特性與偏壓 | 健康跟著走

FET 可分為MOSFET與JFET，MOSFET可分為增強型與空乏型。 之夾止飽和電流ID = k×(VGS. VGS t )2。 電晶體的主要分類， ... FET是「Field Effect Transistor，場效應電 ...

#95. LTF0402HT12N Stackpole Electronics Inc | 电感器 - 得捷电子

电流- 饱和（Isat）. -. 屏蔽. 无屏蔽. DC 电阻(DCR). 1.55 欧姆最大. 不同频率时Q 值. 13 @ 500MHz. 频率- 自谐振. 3.7GHz. 等级. -. 工作温度. -. 电感频率- 测试.

#96. 電子學II - 第 8-13 頁 - Google 圖書結果

JFET 工作於何種區域時,具有 VVR 的作用? (A)飽和區(B)歐姆區(C)截止區(D)工作區。( )某 N 通道接面型場效應電晶體( JFET )之夾止電壓( pinch-off voltage ) VP = 4V, ...

#97. 109年電子學[歷年試題+模擬考] - 第 57 頁 - Google 圖書結果

N 型通道接面場效應電晶體(JFET 或 FET) P 型通道增強工作 N 場效應電晶體金氧 ... 在飽和區時,則作為類比放大電路之用,其小訊號操作與BJT有類似之處,以下兩表為FET ...