關於 jfet優點 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 0.25微米BCD製程之高電流增益BJT元件與JFET元件設計

BCD製程技術集合了BJT、CMOS與DMOS等電晶體元件在同一晶片上，同時可以維持各自的優點。本篇論文利用製程與電性模擬軟體分析不同佈局對0.25um BCD製程中BJT元件電流 ...

#12. CN101819950B - P沟道jfet与双极混合集成电路及制作工艺

[0019] 第四、本工艺优点是在制作双极部分的同时不需增加很多加工工艺即可得到JFET和双极器件共同的优点，加工成本较双极-互补MOS工艺(B1-CMOS)低很多。

#13. 3. 有一FET 之轉移特性曲線如下圖所示。求

如圖之JFET，其閘-源極夾止電壓VGS =－4V 時，其汲-源飽和電流IDSS = 12 mA，則使此裝置進入定電流 ... 與雙極性接面電晶體相比，下列何者不是場效電晶體的主要優點？

#14. 第1 章電學概論

FET可分為接面場效電晶體(JFET) 與金氧半場效電晶體(MOSFET) 。 ... FET的優點 ... P通道JFET， 電洞為主載子，D腳要接負電吸引電洞，且因VGS逆向偏壓，故D、G異號， ...

#15. 0.25微米BCD製程之高電流增益BJT元件與JFET元件設計

BCD製程技術集合了BJT、CMOS與DMOS等電晶體元件在同一晶片上，同時可以維持各自的優點。本篇論文利用製程與電性模擬軟體分析不同佈局對0.25um BCD製程中BJT元件電流 ...

#16. 用離散JFET放大低雜訊電路中的小訊號 - 電子工程專輯

相對於與其對應的CMOS和接面場效電晶體(JFET)而言，雙極運算放大器具有奈安培(nA)量級或更大一些的高輸入偏置電流和更低的輸入阻抗。

#17. MESFET_百度百科

1 基本概念; 2 与JFET的比较; 3 优点 ... MESFET的工作原理与JFET基本相同, 但是有两点差异: a）在短沟道(0.5~2μm) GaAs-MESFET中, 速度饱和模型能较好地描述I-V ...

#18. FET的分類

依結構區分，場效電晶體(field-effect transistor，FET)可分為接面場效電晶體(junction field-effect transistor，JFET)及金氧半場效電 ... FET和BJT的優缺點.

#19. 矽質場效電晶體壓力感測器之製作及特性研究

... 高精度、無遲滯、體積小、可體積化等優點，因此被廣泛的應用在各種領域， ... 壓阻位置與方向、壓阻濃度) 及JFET的pn接面壓縮通道的特性對感度(Sensitivity)、零點 ...

#20. FETRON：全球唯一JFET高音質兩用前級 - 惠樺音響

FETRON能同時兼有半導體與管機的優點，既能有晶體的清晰，又能有管機的韻味，在這世界上應該是沒有其它元件能與之相比了。

#21. FETRON — tube era to transistor era，不計成本，高規格產製 ...

1960年美國Teledyne做出第一顆JFET（ Junction Field-Effect… ... 這些都是促使一必需兼容、兼具晶體與真空管優點物件誕生的時代背景。 Teledyne技術底深厚，事業領域 ...

#22. CN102414984B - 包括mosfet和双栅极jfet的电子电路 - Google

示例电子电路包括处于级联配置的MOSFET和双栅极JFET。 ... 仅将RF信号加在JFET 710的顶栅极725上的优点是顶栅极725和漏极或者源极端子之间的电容比底栅极730和源极或者 ...

#23. 低功耗JFET 输入运算放大器

很低的输入偏置电流和输入失调电流更是这类运算放大器的突出优点。 TL082/TL084 内部集成的运算放大器分别两组和四组，管脚功能分布与工业流行的普通.

#24. SiC优点那么多，SiC FET的两大杀手锏是什么？ - 搜狐

如下图所示，传统的Si基的JFET的驱动电压是0～12V，而Si基IGBT的导通电压需要达到15V以上，传统第三代SiC MOSFET的驱动电压则是-4V～15V，只有United SiC ...

#25. Page 16 - C084編大.tpf

若將FET 與BJT 作比較，則FET 具有下列優點： 極高的輸入阻抗(100M 以上)，而BJT ... 接面場效電晶體(JFET，Junction FET)可分為N 通道(channel)JFET 與P 通道JFET 兩 ...

#26. Chapter 5 The Field-Effect Transistor - 正修科技大學

JFET (接面). 若是pn接面則為pn JFET. 若是蕭基接面則為金屬半導體FET (MESFET). 使用在高速高頻之應用，如微波放大器 ... 優點：D極電流與電晶體參數無關. ;組態及推導.

#27. 單元七J-FET、MOSFET的特性與基本公式 - 開南商工

劃出J-FET、MOSFET電路符號及標示出D.G.S極(20分); 寫出FET的特性及優缺點(35分); 背出J-FET ... JFET與空乏型MOSFET的轉移方程式ID=IDSS(1－) 2 ，增強型MOSFET的轉移 ...

#28. MOSFET和JFET差分式放大电路与BJT差分式放大电路比较各有 ...

MOS输入阻抗最大，JFET次之，BJT最低。阻抗大的有优点也有缺点，优点是可以匹配很多高阻抗的传感器，但缺…

#29. SiC优点那么多，SiC FET的两大杀手锏是什么？ - 腾讯网

据Richard介绍，United SiC采用了一种简单的结构来实现更好的性能表现，将一个SiC JFET和一个Si基的MOSFET采用共源共栅的方式烧结在一起。

#30. 第四代SiC FET突破效能限制- 電子技術設計 - EDN Taiwan

自從2008年寬能隙碳化矽(SiC) JFET問世和2011年SiC MOSFET問世以來， ... 在實現上述優點的同時，SiC FET仍具有可在0-12V下輕鬆進行閘極驅動的特徵。

#31. 单个JFET前端放大器，用于基于互相关的增益校准的低频噪声 ...

对于基于差分输入级的放大器，单个晶体管级尤其具有较低背景噪声的优点。不幸的是，开环方法虽然简化了实现，但具有缺点，由于有源器件的特性存在差异 ...

#32. 離子佈植對雙擴散汲極金氧半場效電晶體之影響 - 國立交通大學

的效應(Junction Field Effect Transistor；JFET)，影響其導通電阻. [3-4,7-8]。 ... 電晶體的導通電阻(On-Resistance)偏高，但其優點為易與低電壓之互補.

#33. 高職數位教材發展與推廣計畫－ 科單元教案設計表

FET 最大的優點是輸入. 端電流為零，而這個優點使它. 比BJT 簡單好用，應用更廣 ... 以N 通道JFET 為例. 2. 輸入正弦波VGS 之變化而產生相對的ID 變化.

#34. 單元十四:MOSFET特性

接面場效電晶體( Junction FET ，JFET )。 ... 壓方式採用汲極對閘極回授方式，此種偏壓方式具有實用性與彈性之優點，如將源極直接接地而免用源極旁路電容器、保證FET ...

#35. MOS簡介

UMOSFET：（优点）有效缩小了元件宽度，即增加元件. 密度，提高单位面积的电流，使导通阻抗降低，不会产生. JFET效应。（缺点）制程复杂，成本大，正处于研究阶.

#36. 電子學考前筆記整理- HackMD

JFET 請注意箭頭方向! ... (https://i.imgur.com/7xXc2BL.png) ### 接面場效應電晶體(JFET) JFET是一個單載子、三端點的原件，其中元件接腳 ... 他有以下幾點優點： 1.

#37. zt:深入理解场效应管（JFET、MOSFET、VMOSFET） - 博客园

gemfield在前面的文章提到了MOSFET的优点，那就是输入阻抗超高，所需的驱动电流也就很小（0.1uA左右）。而且开关频率也不是很低， 等等。那么不足在哪里呢 ...

#38. 第4 章MOSFET 放大器講義與作業

2 及W/L = 40。 設汲極電流ID = 1mA。求gm. 解：. MOSFET 轉導(即增益)比BJT 來的小，. 但有較高輸入阻抗、尺寸小及低功率消耗之優點. ✧ 交流等效電路( ...

#39. 还没使用SiC FET？快来看看本文，秒懂SiC FET性能和优势！

SiC FET就是一个例子，它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。 ... 它们还具有其他优点，如每毫米的临界击穿电压较高、能实现较小的芯片 ...

#40. 新型固体LBCAST JFET图像传感器 - 中国传动网

而LBCAST JFET有着众多优点，这除了与放大器采用JFET有关外，还与其内部结构及工作特点有关。 2．1 LBCAST JFET的读数方式目前CCD和CMOS常用的读数方式：顺序电荷转移 ...

#41. MESFET - 快懂百科

1基本概念2与JFET的比较3优点. 基本概念. 编辑. MESFET是一种由Schottky势垒栅极构成的场效应晶体管。它与p-n结型栅场效应晶体管相比，只是用金属-半导体接触势垒代替 ...

#42. N 通道JFET 不可將V GS 接成正偏壓

控制閘為接面型的接面場效電晶體（junction FET，簡稱JFET）。 ... 場效電晶體（FET），都有放大與受控開關的功能，但是它們之間仍有差異，也各有其優缺點，到目前為止 ...

#43. SiC優點那麼多，SiC FET的兩大殺手鐗是什麼？ - 雪花新闻

據Richard介紹，United SiC採用了一種簡單的結構來實現更好的性能表現，將一個SiC JFET和一個Si基的MOSFET採用共源共柵的方式燒結在一起。

#44. 【放大器教程】共源JFET放大器解析- 电源技术论坛

与双极型晶体管相比，这些器件具有输入阻抗极高且噪声输出低的优点，因此非常适合在输入信号非常小的放大器电路中使用。

#45. 南频-动圈式麦霸 - D-Win

LSK489综合了低噪声和低输入阻抗的优点使得它是这个应用的完美器件.它对EMI的强的抵抗和自身 ... 这个输入级由退化的差分JFET对构成, 每一个都带一个电流源连接到源极.

#46. 1.0um 700V BCD - 深圳方正微电子有限公司

... 芯片，与常规芯片相比，具有转换效率高、待机功耗低、可靠性高、成本低等优点。 ... Ø 集成了700V LDMOS，700V JFET，500V耗尽LDMOS等超高压器件， 40V 高压PMOS ...

#47. 共源JFET放大器分析 - 维库电子市场网

与双极型晶体管相比，这些器件具有输入阻抗极高且噪声输出低的优点，因此非常适合用于输入信号非常小的放大器电路。 基于结型场效应晶体管或“ JFET”（ ...

#48. 场效应管-哔哩哔哩_Bilibili

科工机械很通俗的解释JFET的工作原理比MOS管简单很多结型场效应管的工作原理. 简介：请看视频吧？ ... 科学科普场效应管是如何实现放大的，它和三极管比有什么优点.

#49. SiC優點那麼多，SiC FET的兩大殺手鐧是什麼？ - 今天頭條

RDS(on)即當MOSFET完全打開時的從源極到漏極的總電阻，這個參數關係到JFET的導通損耗。目前業界650V的SiC器件的RDS(on)最小為17mΩ，而United SiC的UF3SC的 ...

#50. FET半導體特性

(1)一般可分成JFET及MOSFET二類 (2)輸入阻抗較雙極性電晶體為低(3)MOSFET又分成空乏型及 ... 與雙極性接面電晶體相比，下列何者不是場效應電晶體（FET）的主要優點？

#51. 國立成功大學機構典藏:Item 987654321/63393 - NCKU

... 其原因不外乎是因為它的微小、精密、運算快速，甚至價格便宜等優點。 ... 在感測器方面利用接合型場效應電晶體(JFET)量測地球電場在不同水平面所 ...

#52. 低功耗JFET输入运算放大器TL082/84

使这组芯片在保持低功耗的同时，实现了很高的增. 益带宽积和高压摆率。很低的输入偏置电流和输入失调电流更是这类运算放大器的突出优点。 TL082/TL084 内部集成的运算 ...

#53. 中華電信股份有限公司101 年從業人員(基層專員)遴選甄試試題

寬頻傳輸是屬於類比傳輸方式，基頻傳輸是屬於數位傳送方式，其中寬頻傳輸優點為何？ ... 一n 型通道JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage)為Vp，其操作於歐姆區(ohmic ...

#54. 京都大學成功利用SiC半導體實現350°C高溫之積體電路基本 ...

但是以一般方法製作的JFET由於無法如同MOSFET般在同一基板上構成n型與p型 ... 此外，京都大學表示此次研究的優點在於提案的電路可利用SiC半導體的標準 ...

#55. 场效应管缓冲区偏差计算器 - 电子工程专辑

一款JFET缓冲区（共漏放大器）是很有用的，因为与晶体管相比它具有非常高的输入阻抗。 ... 的驱动电路MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。

#56. 基于Normally-on SiC JFET自供电断路器的研究-手机知网

基于Normally-on SiC JFET自供电断路器的研究,Normally-on SiC JFET;; ... 器因其体积小、速度快、接通或断开时无电弧产生等优点,在中低压输电领域得到了迅猛发展。

#57. 第七章串級放大電路

接面場效電晶體之特性與偏壓. 2.JFET之工作模式與特性曲線. 1.工作原理. (a) 空乏區的形成. (b) 截止區工作模式：通道完全夾止. 圖8-36 N通道JFET之工作原理 ...

#58. 何者正確？ (A)雙極性接面電晶體(BJT)在基-射極接..-阿摩線上測驗

(B)場效應電晶體(FET)中應用較廣的是接面場效電晶體(JFET) (C)互補式金氧半導體(CMOS)的優點是具有很高放大率 (D)金氧半場效電晶體(MOSFET)的三個接腳分別稱為閘 ...

#59. 结场效应晶体管（JFET）的优点和缺点 - 狗万服务器

接合场效果晶体管（JFET）有一些重要的优点如下，. 结场效果晶体管（JFET）是多个电荷载体器件，因此它具有较少的噪音。 这JFET.具有高输入阻抗。

#60. 高中電子學實習_金氧半場效電晶體(MOSFET)之判別 - YouTube

... 電路_單元4 頻率響應Part B 各類耦合電路的頻率響應與 優缺點 _陳以熙 ... 高中電子學_場效電晶體_單元2 JFET 之結構特性及直流偏壓Part A JFET 之 ...

#61. SiC優點那麼多,SiC FET的兩大殺手鐧是什麼? - 人人焦點

據Richard介紹，United SiC採用了一種簡單的結構來實現更好的性能表現，將一個SiC JFET和一個Si基的MOSFET採用共源共柵的方式燒結在一起。

#62. 什么是结场效应晶体管?-工作，优点和缺点

定义:JFET是一个缩写吗结型场效应晶体管。JFET的工作原理是:流过器件的电流，更准确地说，是输出电流随所施加的栅极电压而变化。 因此，施加在栅极末端的电场控制了 ...

#63. Sansui 山水俱樂部- MyAV視聽商情網

1977年大概Dual JFET 2SK97問世了,所以山水開始用在AU-717上面. 大概當年Dual JFET ... 既有類似真空管的效果,又有電流回授速度快失,聲音自然的優點.

#64. 台灣電力公司103 年度新進雇用人員甄試試題

下列何者非為變壓器耦合之優點？ (A)具高效率. (B)頻率響應佳 ... 某一JFET 之IDSS＝10 mA，Vgs（OFF）＝-5 V，試計算在偏壓點Vgs＝-2 V 的gm 值為何？ (A) 1.2 mS.

#65. MOSFET与BJT的基本特性比较 - 微桥

MOSFET的输入电阻几乎为∞，是一个电容，则它具有的一个重要优点就是0输入电流。这就使得MOSFET在应用中的输入回路比较简单，而且可以使用其输入电容 ...

#66. 低導通電阻高壓功率半導體元件研製研究成果報告(精簡版)

JFET 元件的優點，整合在同一晶片上。 本計劃討論製程與電性間的影響，進而設計出符合電路需. 求的高壓元件。提供電路操作需求，設計負閘極電壓關閉的元.

#67. FET（场效应晶体管）的应用 - 二极管

FET具有非常高的输入阻抗（在JFET的情况下为100兆欧姆，在MOSFET的情况下为10 4至10 9兆欧），普通晶体管的主要缺点即输入阻抗低，从而加载了信号源 ...

#68. JFET、MESFET)、IGFET(MOSFET/MISFET、HFET)

它属于电压控制型半导体器件，与双极型晶体管和功率晶体管是同一阶层的王者。按照一般分类标准有，结型场效应管（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体 ...

#69. 還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優勢

SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個矽MOSFET以共源共柵方式構成。 ... 它們還具有其他優點，如每毫米的臨界擊穿電壓較高、能實現較小的晶片 ...

#70. 结型场效应管JFET知识详解（附上图文）结构及四个工作区

场效应管（JFET）它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单, ...

#71. 安森美各代IGBT的技术说明 - 大大通

由于它将MOSFET 和GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快， ... 这样IGBT 通态压降中剔除了JFET 这部分串联电阻的贡献，通态压降可大大降低。

#72. SiC器件与Si技术的对比优势及在PFC和Boost转换器 - 科技- 新浪

SiC器件的优点 ... 还可以使用基于SiC JFET的共源共栅FET，由于SiC JFET通道具有更高的整体迁移率，因此芯片尺寸更小。在本文的其余部分中，除非有 ...

#73. 结场效果晶体管（JFET） - 万博棋牌

它具有低电压增益和小跨导。 JFET的增益带宽产品也很小。 这完全是JFET的优点和缺点。虽然它由一些缺点组成，但它 ...

#74. AOS美国万代(万国)半导体授权一级MOS管代理商泰德兰电子

简单场效应管功放+mos管功放优点缺点的作用+mos管功放电路原理图分析输出和 ... 三极管功放里的电压推进三极管换成JFET，JFET才真正具有电子管音色。

#75. FET晶体管作为开关的工作原理介绍 - 51CTO博客

诸如高输入阻抗、制造简单、操作简单等多种优点使得场效应晶体管（FET）广泛 ... JFET 的工作或特性分为三个不同的区域，即欧姆区、饱和区和截止区。

#76. IGBT原理與設計 - CTIMES

Trench IGBT最顯而易見的優點是消除了寄生的JFET的效應。因為MOS的Channel改為垂直方向，所以Depletion Region是往下擴展，而不會如Planar IGBT般的向兩旁水平方向擴展 ...

#77. 新型固体LBCAST JFET图像传感器 - 电子工程世界

但噪声成为CMOS成功路上最大的障碍，将导致图像质量的下降。这也是噪声问题必须得以解决的原因之一。而LBCAST JFET有着众多优点，这除了与放大器采用JFET ...

#78. 接面場效電晶體 - Wikiwand

接面場效電晶體（JFET，英語：junction gate field-effect transistor）是單極場效應管中最簡單的一種。 ... 優點和真空管一樣是幾乎不需要任何功率的放大控制。

#79. 交互式正激電路拓撲及其優點

交互式正激电路拓扑及其优点 ... 该端子内有一高压JFET用于起动.其漏极直接引出接外部高压源，而其源极接到VDD，起动过程中，JFET给出12mA电流到VDD, ...

#80. 所謂電晶體－分類與特徵| ROHM TECH WEB

何謂碳化矽﹙Silicon Carbide﹚ · SiC功率元件的開發背景和優點 ... 線性穩壓器的分類 · 線性穩壓器的電路構造和特徵 · 優點和缺點、應用 ...

#81. Nikon LBCAST器件

随着D2H的推出，Nikon宣布了自主开发的新型JFET影象传感器器件： ... 指定各像素的地址实现每个数据的传输和读取信号，为此具有可以随意地提取高密度像素数据的优点。

#82. 场效应管的工作原理及优点分析-技术资讯

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应 ...

#83. A-15 純A類綜合放大器設計概要 - DA&T 谷津音響

真空管有一個非常特殊的優點與非常特殊的缺點，這是真空管在聲音部份能 ... 真空管的高輸入動態範圍，半導體幾乎難以比擬，除了JFET、MOSFET可約略 ...

#84. JFET当二极管用比普通二极管有什么优点？ - 阿莫电子论坛

看到一个电路里面把JFET的源漏短接当二极管用，这样比用普通二极管有什么优点吗？ 本帖子中包含更多资源. 您需要登录 才可以下载或查看，没有帐号？

#85. Mosfet 是甚麼

所以在运输,存放,焊接,测试一mosfet管是fet的一种（另一种是jfet），可以 ... 开关速度越快对应的优点是开关损耗越小High-Side MOSFET的意思是：桥式 ...

#86. jfet Characteristics-Merits,缺点,下水道,传输特性- betway西汉姆 ...

什么是结田效应晶体管？ JFET是一种具有3个端子的半导体，可采用n通道或p通道类型。它是单极的，但与它的双极表亲有着相似的特征。JFET不是PN结，而是在集电极和发射 ...

#87. 電晶體開關優點

嵌入Download presentation Similar presentationsMore Presentation on theme: "第8章場效電晶體fsplayer 8-1 JFET 之構造及特性8-2 JFET 之特性曲線8-3 ...

#88. 運用JFET輸入放大器於高速應用的優勢- taiwan - TI E2E

JFET 輸入放大器可用於測試與量測類比前端、電流感測放大器、類比數位轉換器（ADC）驅動器、光電二極體轉阻放大器（photodiode transimpedance amplifiers ...

#89. 電晶體開關優點"8DP6TLA"

近年來由於技術的進步，已有大量的耐高壓、能承受大功率的晶体被製造出來，因此 起司水餃。 (1)JFET:接面場效電晶體,分為P 通道(閘極為N 型材料)及N 通道( ...

#90. 電晶體開關優點

電晶體- 道客巴巴; BJT電晶體開/關應用筆記- MU HAN的部落; 第8章場效電晶體8-1 JFET 之構造及特性8-2 JFET 之特性。 電晶體的工作原理、結構、優點及 ...

#91. 電晶體開關優點|1QXYN0C|

嵌入Download presentation Similar presentationsMore Presentation on theme: "第8章場效電晶體8-1 JFET 之構造及特性8-2 JFET 之特性曲線8-3 JFET ...

#92. 电子技术基础 (模拟部分) 学·练·考 - 第 60 頁 - Google 圖書結果

C2 100μF I 1 + 24V R4 R1 4.7k52 ] 10uF 100k2 更换:卝 S1 R2 10uF 10M2 JFET C3 RL ... ( 5 ) JFET 的 CS 结构的优点是输入阻抗高;缺点是输入阻抗随输入电压变化明显, ...

#93. 现代电力电子器件及其应用 - 第 158 頁 - Google 圖書結果

SIT 和 SITH 具有功耗低,开关速度高,输入阻抗高,可用栅压控制开关的优点,在感应加热、超声波 ... 就得到了 3 种对应的大功率器件,即 GTR 、功率 MOSFET 和功率 JFET 。

#94. 110年電子學 - 第 199 頁 - Google 圖書結果

下列何者不是場效電晶體的優點: ( 8 )輸入阻抗高 B )雜訊較低 C )增益與頻寬乘積甚大 D )製作簡單。( )「 16 .若 n 通道 JFET 在歐姆區內正常工作, ...

#95. 105年電子學(含概要、大意) - 第 199 頁 - Google 圖書結果

12 試求圖假設兩個參數相同的 JFET 皆在夾止區工作。 ... 15 下列何者不是場效電晶體的優點: ( A )輸入阻抗高( B )雜訊較低( C )增益與頻寬乘積甚大( D )製作簡單。

#96. 實驗物理方法 - 第 86 頁 - Google 圖書結果

... 低雜訊等優點,適合作前置城大器;由其結構可分爲接面( iunction )場效應電晶體( JFET ) ,及金氧( metal - oxide )牛導體場效應電晶體( MOSFET ) ,其基本之型態可 ...

#97. 模拟集成电路基础 - 第 58 頁 - Google 圖書結果

由于 VMOS 管独特的结构设计,使得它具有以下一些优点。 ... 结型场效应管的结构结型场效应管(用 JFET 表示)按其导电沟道的类型不同,也分为 N 沟道和 P 沟道两种。

#98. 现代电子线路 - 第 206 頁 - Google 圖書結果

... 好的优点互相结合,生产许多高性能的 BiFET 集成运放。由于结型 FET 与双极型晶体管的集成工艺兼容, BiFET 集成运放大都由 JFET 做输入级,后面全用双极型晶体管。