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Re:[問題]BJT的主動區與飽和區判斷@electronics，共有0則留言，0人參與 ... 消耗的電壓考慮Ie BJT很簡單不要只背公式※ 引述《wayneblue (火力全開!!)》 ... ... <看更多>
很簡單因為B端接地rπ可並聯到E端此時的BJT可看成MOS 故可用從E端看進去的戴維寧等效ro視為C端電阻Ri等於把C端 ... 回一樓這不是公式唷這是小訊號戴維寧等效可以推導的. ... <看更多>
... transistor），全稱雙極性接面型電晶體（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極體， ... 上述兩個參數可以通過下面的公式相互轉換（在NPN型電晶體中） :32.
#2. 單元七BJT電晶體
BJT 的全名：雙極接⾯面電晶體（Bipolar. Junction Transistor）. 9. 以電⼦子為主要載⼦子 ... BJT三端的名稱(NPN型) ... Early效應（直流電公式修正） ...
V ，BJT 操作在主動模式的. Question 6. 圖6電路中，若電阻. 求解流經集極的電流. 參數= β100。 Sol: 利用戴維寧等效電路，原電路可改寫為:.
#4. 基本BJT放大器
基本BJT放大器. 1. 偏壓電路設計與分析 ... 常見的BJT偏壓電路. Four-resistor bias circuit ... CE BJT的基本特性及負載效應. 考慮如右圖之小訊號電路.
#5. 5電晶體偏壓電路
壓公式計算基極電壓：. 公式5-1. 知道基極電壓以後，可以算出電路的各. 個電壓與電流如下：. 公式5-2. 公式5-3 ... 茲分析BJT分壓器偏壓電路對基極電路的負載效應。從.
圖4.1 顯示一個BJT 的簡化結構. ▫ 由三個半導體區所組成：. ▫ 射極區(n 型). ▫ 基極區(p 型). ▫ 集極區(n 型). ▫ 上述的電晶體稱為npn 電晶體.
#7. 雙載體電晶體的結構與操作原理
BJT 被偏壓在順向活性區(forward active). EB接面的空乏區由於在順 ... npn電晶體的相關公式 ... •BJT有三隻接腳，每隻接腳可以給定一個電壓及一個通過的電流，總共.
BJT 電晶體開/關應用筆記- 利用某電腦DIO中的DO輸出控制24V Relay線圈開或關BJT電晶體原理及細節請參考電子學書籍及相關網路說明，本文針對電晶體的 ...
作者君继续捡自己手边的仿真图讲BJT的beta特性。 ... 重写一遍Vbe的公式，让我们考虑在不同的process Corner下面，beta的偏移：.
當做開關使用的話，則需要成為飽和狀態，Ic/IB=20/1的電流比例成了必要條件。 ∴ Ic= 20×((Vin-VBE)/R1 )- (VBE/R2 ))・・・②. 公式 ...
#11. 《BJT電晶體CE式（含RE)的電壓增益Av》算法 - YouTube
#12. CH06 電晶體放大電路
為基準來產生變動。 △圖6-3 BJT在主動區的vBE - iC 特性曲線. 公式6-1- ...
#13. 電晶體的三種工作模式- 藝能饗宴 - Google Sites
二、主動模式（Active）：VBE順偏、VBC逆偏。此時IC = βIB，電晶體工作於線性放大區，IC受控於IB，BJT可當成一訊號放大器。 三、 ...
#14. 8-4 重點掃描習題探討
類似BJT 電路中之集極回授式電路。因IG = 0，RG 上沒有壓降，可得. 閘源極電壓. VGS = VDS = VDD. ID×RD. 8-10. 代入夾止飽和區輸出電流公式，可得ID = k×(VGS.
#15. Re: [問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓- 看板Electronics - 批踢踢 ...
理論上，等號左右邊可經由一些互換而重新獲得某些參數。 不過，基於數學形式這樣的想法是沒錯，但你犯了一個邏輯上的錯誤。 Ic=Is*e^(Vbe/VT)的公式是 ...
#16. BJT商務日語能力考試
考試為使用答題卡的4選1方式，但BJT的結果並非以答對1題給1分的方式簡單計算。對于考試結果實施統計處理（IRT項目應答理論），使用能夠反映問題難易程度的換算公式， ...
#17. Darlington Transistor 公式推導筆記 - 猛哥的軌跡
這是因為以前驅動熱電源元件因為需要大電流留下的方程式推導筆記，剛剛好貼上來保存與分享 因為BJT 本身是電流控制電流源(CCCS) 的元件，必須做一道 ...
#18. Bjt 日文的價格推薦- 2021年11月| 比價比個夠BigGo
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#19. BJT動作原理電流公式- 高職專業科目 - Clearnote
字跡潦草敬請見諒若內容有誤或想看更多： spiderpotato001@gmail.com 謝謝」, 年級: 高中所有年級, Keyword: 電子學,二極體,電子科,半導體,pn接面, ...
#20. 電晶體的三個工作區 - 東海大學
，BJT電晶體當成訊號放大器使用。 3）截止區（cutoff region）. 當 Latex formula 、 Latex formula 均為逆偏。此時 Latex ...
#21. 「bjt gm公式」+1 請問二題電子學的算法.? - 藥師家
「bjt gm公式」+1。1.gm=Ic/VT常溫時VT=26mV∴gm=26mA/26mV=1A/V2.gm=β/rπ而β=△Ic/△Ib=(11–9)mA/(130–110)μA=100∴gm=80m ...,BJT用作小訊號放大元件.
#22. 第5章電晶體的直流偏壓
若電晶體在活動區，求得電流値再把電流値代入公式5-4，即可求得値，如果由，及値在輸出特性曲線上定出Q點，如圖5-2所示。 另一種Q點的求法，式由負載線(load line)與 ...
#23. 快速计算BJT额定功率？记住这个公式就够了 - Digikey.cn
双极结型晶体管（BJT）是放大或切换电子信号和电力的常用电子器件。 当BJT在集电极和发射极之间传导电流时，BJT将消耗功率。那么，应该如何估算BJT ...
#24. 古文物日文原版罕見BJT 日本語能力公式概要模擬CD付有光盤 ...
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#25. 大新出版集團::BJT商務日語能力考試官方模擬試題&指南
BJT 商務日語能力考試官方模擬試題&指南; BJTビジネス日本語能力テスト公式模擬 ... 本書為測驗職場日語溝通能力之「BJT商務日語能力考試」官方編寫，專為學習者設計之 ...
#26. 單邊非重疊離子佈植式金氧半場效電晶體內之寄生BJT崩潰與 ...
Characterization of Parasitic BJT Breakdown and MOS Punch Through in ... 以有效通道長度0.25μm為例，環境的溫度上升將使得該元件之寄生BJT效應加劇，從實驗與公式 ...
#27. BJTビジネス日本語能力テスト公式ガイド（改訂版）
因近期國際貨運壅塞導致到貨延遲以及疫情影響物流業者收件與配送進度，訂單到貨時間可能將比預計配送日延遲3~4日。還請見諒。 BJTビジネス日本語能力テスト公式ガイド（ ...
#28. 認識二極體及電晶體特性曲線
BJT. 9013. 1. 三、 相關知識. 【二極體】. P. N. 順向偏壓正極端. 順向偏壓負極端 ... 下圖(5)說明在主動模式(EB 接面順偏，CB 接面逆偏)下，BJT 內電流的流向.
#29. 寄生在CMOS中之BJT的特性分析與模式
我們並導出一公式研究元件的電流增益與佈局的幾何關係. ... 關鍵字: 寄生雙載子接面電晶體; 參數萃取; 佈局幾何效應;parasitic BJT; parameter extraction; ...
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#31. 探討BJT差分放大器溫度補償- 電子技術設計 - EDN Taiwan
在實踐中，這個假設通常是有效的。 BJT通常是電路中最不理想的元件。從增益公式可以看出，增量發射極電阻re和β ...
#32. Customer reviews: BJTビジネス日本語能力テスト 公式 模擬 ...
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#33. BJT工作原理剖析 - 每日頭條
BJT 電流形成（以NPN為例）: ... 放大狀態下BJT的工作原理： ... (自由電子和空穴)參與導電，故稱為雙極型三極體或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
#34. 目前您搜尋的關鍵字為: BJTビジネス日本語能力テスト公式 ...
博客來搜尋,關鍵字:BJTビジネス日本語能力テスト公式模擬テスト＆ガイド,分類:全館,
#35. 36. 若BJT 工作在主動區且基極直流偏壓電流為12.5 υA
最佳解! Chen 高二下(2018/04/23). 公式解gm = β/rπrπ = VT/☆ ...
#36. 電子學103-Chapter5 BJT電晶體
電子學103-Chapter5 BJT電晶體。輔仁大學物理系張敏娟。 ... 45 Early效應（直流電公式修正）; 54. 43 NPN BJT小訊號模型（交流電）; 55. 46 Early效應NPN BJT小訊號 ...
#37. [筆記] 電子學BJT 小信號分析| 課業板| Meteor 學生社群
[筆記] 電子學BJT 小信號分析 ... 考慮的於是寫下了這四張筆記紙一直到最近才找到大家可以參閱一下學會之後應該就不用再背電壓增益的公式了如果有需要 ...
#38. 1. 電晶體放大器之小訊號分析法則
公式. 節目錄. 按一下以編輯母片標題樣式. 按一下以編輯母片; 第二層; 第三層; 第四層; 第五層. 6. (6)圖6-4(a)為共射極h參數等效電路。
#39. 電子學下載
5雙極性接面電晶體直流偏壓公式整理.docx. 6-1電晶體放大器工作原理.docx ... BJT與FET綜合講義與第8章練習題與第9章~10-3章.pdf. 龍騰電子學第10章運算放大器.pptx.
#40. 快速计算BJT额定功率？记住这个公式就够了-电子头条
记住这个公式就够了 ... 当BJT在集电极和发射极之间传导电流时，BJT将消耗功率。 那么，应该如何估算BJT额定功率(Power Rating)？
#41. BJT商務日語能力考試: 官方指南(改訂版附MP3) | 誠品線上
不清楚「BJT商務日語能力考試」的評分方式嗎？讓官方指南告訴您！本書特色： ... BJTビジネス日本語能力テスト公式ガイド(改訂版) ...
#42. 第七章串級放大電路
C18410. 第八章場效電晶體之特性與偏壓. 8-1 增強型之特性與偏壓. 8-2 空乏型之特性與偏壓. 8-3 接面場效電晶體之特性與偏壓. 8-4 FET與BJT之功能特性比較 ...
#43. 7.4 頻率響應-BJT
7.4 頻率響應-BJT. 1. 擴展型混成π 等效電路. 內外部的內阻非常小. 順偏擴散電阻. 順偏接面電容. 反偏接面電容. 但不能忽略， Miller effect. 反偏擴散電阻.
#44. 商業日本語能力試BJT - 向日葵書屋
著者：瀬川由美/北村貞幸/植松真由美. ISBN：9784883197682 出版社：スリーエーネットワーク出版日期：2018/06 定價：HK$275.00. 商業日本語能力試BJT ...
#45. 博碩士論文行動網
在本篇論文研究中，試著以BJT與MOSFET元件的特性去了解並檢視IGBT之特性曲線，進而更 ... 曲線，使用半導體公式去貼合曲線，以求得其貼合曲線之構成函數中最佳參數值。
#46. 集極回授偏壓電路分析： 輸出迴路電流公式推導
輸入迴路電流公式推導。 5-3-2-3 集極回授偏壓電路分析： 輸出迴路直流分析. 4.
#47. <建宏>國營事業講重點【電子學】[適用經濟部新進職員
... BJT之AC分析4-3 BJT小訊號分析之重要公式4-4 BJT放大器（AC分析） 4-5 BJT之小 ... 4-8 基本BJT電流鏡(current mirror) 4-9 綜合練習第5章場效電晶體5-1 增強型金 ...
#48. 共射極放大電路-> 直流偏壓工作點
B. 工作點：利用電晶體的VCE－IC的輸出特性，由VC和IC 所交的點，稱為直流工作點，即Q點，此時IC稱為ICQ，VC稱為VCQ。 輔助動畫, 物理現象, 相關公式, 輔助視訊 ...
#49. 雙極性接面電路BJT - Coggle
雙極性接面電路BJT - Coggle Diagram: 雙極性接面電路BJT (公式(IE=IB+IC, β=IC/IB, α=IC/IE, IC=βIB, β=α/1-α, α=β/1+β), 結構( (B基極, E射極, C集極), 電路符號區分 ...
#50. 電子學 - 逢甲大學
【共15分圖2所示為一BJT放大器電路,其相關參數為:B = 100, Tec = 10V, Ves = 3 V, R&B ... NMOS在三極區之公式: in = k[ves - V)vps-vis), k = H Cox.
#51. 學子專區—ADALM2000實驗：射極隨耦器(BJT)
射極隨耦器波形。 射極隨耦器的增量增益(VOUT/VIN)理想值為1，但總是略小於1。增益一般是透過以下公式計算：. 從公式可以看出，要獲得接近1的增益， ...
#52. 線上練習-電子電路-BJT電流回授偏壓電路設計 - CubicPower
資料儲存: 請使用FIREFOX瀏覽器之"另存新檔"功能, 將資料存在不同檔名內. Home. 雲端計算-線上練習-電子電路-BJT電流回授偏壓電路設計 ...
#53. 「bjt 公式 模擬テスト ガイド」の検索結果
楽天市場-「bjt 公式 模擬テスト ガイド」9件 人気の商品を価格比較・ランキング･レビュー・口コミで検討できます。ご購入でポイント取得がお得。
#54. 第8章場效電晶體
BJT 與FET的模擬控制機構如圖8-1所示，其中BJT是「電流控制元. 件」，以基極輸入電流I ... 曲線建立飽和區的電流方程式（與JFET的公式8-4 相同）表示為. 飽和電流I.
#55. [Circuit] BJT 特性 - 子風的知識庫
電路知識：BJT 特性 簡介：特性與運用 以下敘述以NPN 為主，PNP 反之亦然. 電流公式 ... How an npn Bipolar Junction Transistor (BJT) works.
#56. BJT的特点
解说BJT商务日语能力考试的测试对象、试题构成、计分原理，帮助您了解BJT商务日语能力 ... 使用能够反映问题难易程度的换算公式，计算出参加考试者的得分（分数）。
#57. Chapter 6 Basic FET Amplifier - 正修科技大學
函數，即增加電晶體寬度則增加轉導或增益. ;Example 6.1：求轉導. 由公式先求K n→gm. 轉導(即增益)比BJT來的小，但MOSFET有較. 高輸入阻抗、尺寸小及低功率消耗之優點.
#58. 雙極性電晶體公式物理公式總表 - Edoule
· DOC 檔案 · 網頁檢視一，它具有體積小， ，有哪三個接端，這就是雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor ; 簡稱BJT)。 ， ...
#59. 臺北城市/應用外語
BJT 商務日語能力考試. BJT商務日語能力考試公式網站 ... 11名學生高分通過BJT檢定. 想活用「商務情境日語」嗎？ ... 應外系以「課程」導入BJT · (商務日語檢定) ...
#60. 雙極接面電晶體(BJTs
BJT (雙極接面電晶體) 由三個摻入雜質的半導體區域組 ... BJT當為放大器時, 正確的順向-逆向偏壓 ... 可以將公式4-7改寫為下列式子再來.
#61. 基區寬度調製效應 - 中文百科知識
基區寬度調製效應，也稱厄利效應，這是BJT在較大工作電壓時所出現的一種現象。因為BJT在放大狀態工作時，集電結上的反偏電壓（直流電壓+交流電源）是變化的，則集電結 ...
#62. Microelectronic Circuits - Course Notes - Jexus Scripts
因為BJT的大信號電流公式是exponential的(MOS是二次式)，變化比較劇烈，我們算出來iE1=I1+e−vid/VT，而另一顆BJT的Emitter電流則 ...
#63. BJTﾋﾞｼﾞﾈｽ日本語能力ﾃｽﾄ公式ガイド（改訂版） - 凡人社
日本企業や教育機関で評価の高いBJTビジネス日本語能力テスト、唯一の公式ガイドブック。BJTのテスト概要・解説とともに、サンプル問題を多数掲載。BJT対策の分析・ ...
#64. 控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體
同時，FET 輸入電阻極大，輸入電流趨近於0，所以實際應用分析比BJT 簡單很多。 ... 由半導體物理學證明，可得空乏型MOSFET 之夾止飽和區輸出電流公式與JFET 相同為：.
#65. RE:【討論】電子學有問題都來問!! - 哈啦區
自重好嗎 真實BJT的公式. 2020-11-11 12:26:26 ... 百事可樂 飽和電流Is消掉，具體應該BJT或二極體章節有推導。 2020-11-11 13:24:13 編輯.
#66. 工程技術類篇名： 數位積體電路TTL VS. CMOS邏輯族之比較作者
數位積體電路又可分為兩類，一種為雙極性技術，簡稱BJT，另一種為單極性技術，. 簡稱FET。 ... 電壓之數值為VDD 和0.7VDD，將其帶入公式為：︳VDD－0.7VDD︳=0.3VDD 。
#67. 怎麼計算放大電路放大的倍數？ - 劇多
化簡後可得Vout=Vin（1+RP1/R24），這就是同相比例放大器的計算公式。 ... 接下來我講下BJT和mosfet放大電路的原理和計算方法。
#68. Re: [問題] BJT的主動區與飽和區判斷 - PTT Web
Re:[問題]BJT的主動區與飽和區判斷@electronics，共有0則留言，0人參與 ... 消耗的電壓考慮Ie BJT很簡單不要只背公式※ 引述《wayneblue (火力全開!!)》 ...
#69. 電子學準備要領- 休閒- 功率放大器,電子學,電路 - 卡提諾論壇
電子學繁雜的公式推導，有看沒懂. ... 定義◇ BJT差動對小訊號分析◇ BJT電流鏡電路分析◇ 具主動負載之BJT的差動放大器電路分析◇ 具主動負載之MOS的 ...
#70. Formats and Editions of BJT bijinesu nihongo nōryoku tesuto ...
BJT ビジネス日本語能力テスト公式ガイド = BJT Business Japanese proficiency test /. Bījētī bijinesu nihongo nōryoku tesuto kōshiki gaido = BJT Business ...
#71. 雙極性電晶體
... 全稱雙極性接面型電晶體（bipolar junction transistor, BJT），俗稱三極體，是一種具有三個 ... 上述兩個參數可以通過下面的公式相互轉換（在NPN型電晶體中） :32.
#72. BJTビジネス日本語能力テスト 公式 模擬テスト&ガイド
BJT ビジネス日本語能力テスト 公式 模擬テスト&ガイドをメルカリでお得に通販、誰でも安心して簡単に売り買いが楽しめるフリマサービスです。新品/未使用品も多数、 ...
#73. BJT额定功率估算公式_电子技术基础 - 面包板社区
双极结型晶体管（BJT）是放大或切换电子信号和电力的常用设备。 当BJT在集电极和发射极之间传导电流时，BJT将消耗功率。 那么，应该如何估算BJT额定 ...
#74. 模擬電路設計之BJT（一）Nf - GetIt01
這幾篇，作者君想談談包括BJT的設計時，需要注意到的一些參數。這篇的大部分圖和公式，來源於(膜拜Delft大牛們)：PRECISION TEMPERATURE SENSORS IN ...
#75. 第二章双极型晶体三极管（BJT）. - ppt download
建立BJT交流小信号模型的意义线性化BJT是非线性器件线性器件线性化非线性电路线性 ... 2.8 函数的微分1 微分的定义2 微分的几何意义3 微分公式与微分运算法则4 微分在 ...
#76. 無標題- [PPT 短網址/ 文章閱讀(BBS版)]
半導體物理: mass-action law drift和diffuse current depletion region公式，built-in voltage公式 3.BJT active、saturation、cutoff三個工作區Early effect ...
#77. bandgap referece中的BJT - Analog/RFIC討論區 - Chip123 ...
bandgap referece中的BJT的电流即IPTAT的电流一般取多少啊？与什么因素有关？或者受什么约束？ ... 公式推導可以看razavi的書 ...
#78. 電子電路題庫大全（上） - momo購物網
考型11：有階半導體的基本觀念考型12：PN接面的特性計算女十考型13：重要公式推導十考型14： ... 考型40：BJT直流分析－圖解法考型4l：BJT直流分析－電路分析法
#79. bjt商務檢定班-永漢日語|| 日語教學第一品牌for mobile-永漢日語
index02 一般進階課程家教班日會話日文檢定班更多課程概要: 永漢日語針對bjt檢定 ... 換算公式計算出考生的得分，和TOEIC （多益考試）相同採取成績制，滿分為800分。
#80. 微電子學(上)
面電晶體，對BJT 工作原理、電流電壓特性曲線及主動區和飽和區的行為等. 重要單元作一詳細介紹。 ... 利用本節中電阻係數的公式評估下列兩種半導體材料其電阻係數之溫.
#81. 1. 共源極第一種型式一、共源極放大器（源極未接）
(2) BJT中的CE、CC與CB放大器在FET中所對應. 的電路是CS、CD與CG放大器。 (1) 三種組態 ... 公式. 精確解. 近似解（若）. 1. 電路：源極含有 ，但未接旁路電容，它.
#82. Re: [理工] [電子] BJT的輸入阻抗- 看板Grad-ProbAsk - PTT網頁版
很簡單因為B端接地rπ可並聯到E端此時的BJT可看成MOS 故可用從E端看進去的戴維寧等效ro視為C端電阻Ri等於把C端 ... 回一樓這不是公式唷這是小訊號戴維寧等效可以推導的.
#83. 行政院國家科學委員會工程技術發展處晶片設計製作中心
使用到BJT 的跨壓會隨溫度上升而下降的特性，以下是電流公式推導: ... 從電流公式中，跟製程有關只有VBE、R，且VBE 因製程上造成的變異除以RB，受製程.
#84. 20個 トランジスタ Transistor (BJT) 2SA1213Y SOT-89 (SOT ...
20個 トランジスタ 公式 Transistor BJT SOT-89-3 SOT-89 2SA1213Y 20個,(SOT-89-3),/debauched607625.html,(BJT),2SA1213Y,2SA1213Y,621円, ...
#85. BJT-共基極
在電子學裡，共基極放大器是三個基本單級BJT放大器結構的其中一種，通常被 ... 器也很有用，因為它有大約一致的電流增益（current gain，公式見下）。
#86. 功率MOSFET基础知识详解 - 大大通
图2中标明了功率MOSFET和双极结型晶体管BJT各自的电压限值和电流限值。 ... RG是电路总的栅极电阻，可通过下列公式计算出它的压降：.
#87. Resistors, Diodes and Transistors - 電阻器, 二極體與電晶體
Resistance Formula 電阻公式 ... rectangular conductors 此公式適用於圓形與. 方形的導體 ... BJT on conditions導通條件: B-E接forward voltage.
#88. BJT | ビジネス日本語能力テスト - ピアソンVUE
BJT のくわしい 説明 ( せつめい ) は、 公式 ( こうしき ) ウェブサイトを 見 ( み ) てください。 申 ( もう ) し 込 ( こ ) みから、 ...
#89. PTAT电流存在曲率如何解释？ - Analog/RF IC 设计讨论
最近一直在研究BandGap，发现ΔVBE产生的PTAT电流，即使BJT偏置在理想电流源的 ... 而如果使用这个带有曲率项的公式算ΔVbe，在Ic1=Ic2且Ic=FT时(Ic为 ...
#90. 【bjt pnp】BJT基本觀念 +1 | 健康跟著走
標籤; 電子學電晶體公式 · bjt pnp. 文章 參考資訊. BJT基... BJT基本觀念雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)依結構區分，有npn型及pnp型兩種，其電 ...
#91. 半導體：原理與發展（二）電晶體簡介 - 科學Online
雙極性電晶體(bipolar junction transistor, BJT) ... 精細的校準，因此，現在的npn 型BJT 作法是：取一塊n 型的半導體，將表面蝕刻出一個凹槽，填入p ...
#92. 电子电路的计算机辅助分析与设计方法 - 第 88 頁 - Google 圖書結果
设 X 是 BJT 晶体管的直流参数矢量,我们选择 BJT 晶体管集电极电流 I 和基极电流 Is 的公式为模型参数公式,它是 UE , Unc 及模型参数矢量 XX 的函数, ...
#93. BJT－商務日語能力考試大補包 - TKB購課網
BJT 考試並不是答對一題就得一分，而是根據IRT(項目應答理論)對考試結果進行統計處理，推算每道試題的難易度以及考生的能力值，並運用換算公式計算出考生的 ...
#94. 用BJT做一個放大器?
這是我們要實習的實驗如何用BJT做放大器需求: 放大. ... bjt電晶體 bjt特性 bjt原理 bjt fet bjt 開關 bjt放大器 bjt工作原理 bjt 飽和區 bjt 腳位 bjt公式BJT 放大器 ...
#95. 比較四種開關元件的效率 - 電子工程專輯
電晶體BJT 2N3055：VCE：100V、IC：7A、P：115W、 Tj：200℃，beta：70 ... 集電極-發射極或汲極-源極通道的等效電阻計算公式為：.
#96. Basic BJT Amplifiers
To use the circuit as an amplifier, the transistor needs to be biased with a dc voltage at a quiescent point (Q-point), such that the transistor is biased ...
#97. 108年電子工程專業科目歷年試題澈底解說: [初考/五等]
B 國考 CP 值命題核心 BJT單極放大器小訊號公式運算。澈底解說此為CE組態,其輸入電阻公式為 Rin=560k//(1+β)× 400 37kΩ D 國考 CP 值。命題核心記憶體特性。
bjt公式 在 Re: [問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓- 看板Electronics - 批踢踢 ... 的美食出口停車場
※ 引述《hadbeen (你在哪)》之銘言：
: BJT的電流公式Ic=Is*e^(Vbe/VT)
: 如果我直接把直流I電流打進C極 E接地
: B極接一個電阻(不要讓B極和地短路)再接地的話
: 由公式逆推得Vbe("如果"bjt流I的話 Vbe應該是如此如此)
: 但B極實際上真的會產生電壓嗎?(還是說這是一種可行的偏壓該BJT的方式?)
: 課本上在講BJT的一般運作時都是 BE接面正偏壓 CB接面逆偏壓
: 在還沒產生這樣的推動載子偏壓條件時(如上直接打直流電流) 也會有Ic或Vbe?
: 一樣的情況看NMOS Id=XXXX*(Vgs-Vt)^2 大概公式長這樣 不考慮通道會縮的情況
: 直接把直流電流I打到D極 B接地 S接地
: G極接一個電容再接地的話 亦可由公式推得Vgs("如果"mos流I的話 Vgs應該是如此如此)
: 但G極實際上真的會產生電壓嗎? 不是要先產生通道才會有Id嗎?
: 通道還沒產生就先打電流給mos mos就會買單嗎?0.0?
: 把值帶到公式裡反推電壓 都是先假設"如果它導通的話"
: 但是實際的電子元件它真的會導通嗎?如果導通的話機制是什麼?
: 由電壓到電流的機制課本有說 但由電流到電壓的機制(如果存在的話)是?
: ps.直流電流I如果打不進去元件的話 會把自己關掉(它是活生生實際的電流源)
理論上，等號左右邊可經由一些互換而重新獲得某些參數。
不過，基於數學形式這樣的想法是沒錯，但你犯了一個邏輯上的錯誤。
Ic=Is*e^(Vbe/VT)的公式是基於BE順偏，CB逆偏而得來。
以你目前所使用的條件，
『如果我直接把直流I電流打進C極，E接地，B極接一個電阻再接地的話』
基本上是不適合使用上述的公式。
當你使用公式去反推時，一定要了解它背後的條件與假設。
ps.最者，這條公式是簡化過的，它最初推導是假設:
1.C、B、E三極的參雜濃度是均勻的；
2.是處在低階注入的狀態(low level injection)；
3.在空間電荷區(spcer charge region)沒有載體復合(re-combination)與產生
(generation)電流；
4.不考慮內部低值的串聯電容。
最後，舉個例:
好比馬英九常說自己看報紙才知道發生某些事，今天，民進黨偷偷地把接進總統府
的電視線拔掉，這樣一來，民進黨認為馬英九就會一無所知。
實際上呢?他還是每天看報紙治國，電視對他而言是沾不上邊。
看報紙 = BE順偏，CB逆偏
治國 = Ic=Is*e^(Vbe/VT)
拔掉電視線 = 直流I電流打進C極，E接地，B極接一個電阻
治國與否? = B極實際上真的會產生電壓嗎?
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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話!
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡)
但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 203.66.222.12
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