關於 bjt fet差異 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. MOSFET与BJT的基本特性比较 - 微桥

BJT 是电流驱动器件，必须要有一定的输入电流才能工作，其输入电阻很小（约为kT/(qIE)）。对共发射极组态的BJT，输入电流IB与电流放大系数有关：放大性能越 ...

#12. 三極管BJT與場效應管FET的區別 - 台部落

三極管BJT與場效應管FET的區別很多，簡單列幾條：. 1.三極管用電流控制，MOS管屬於電壓控制，BJT放大電流，FET將柵極電壓轉換爲漏極電流。

#13. 電晶體（Transistor） | 科學Online - 國立臺灣大學

電晶體（transistor）是半導體元件(semiconductor device)之一，一般常用於電子訊號的 ... BJT與JFET的比較載子操作型態作用反應速率功率

#14. 比較四種開關元件的效率 - 電子工程專輯

電晶體BJT 2N3055：VCE：100V、IC：7A、P：115W、 Tj：200℃，beta：70 ... 對SiC FET而言：. 四種電路的效率分別如下：.

#15. 雙極結和場效應電晶體（BJT和FET）及PN結二極管等知識詳解

場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的電晶體是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電, ...

#16. 電晶體- 維基百科，自由的百科全書

電晶體（英語：transistor），早期音譯為穿細絲體，是一種類似於閥門的固態半導體元件，可以用 ... 電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET）.

#17. 場效應晶體管放大器- TINA和TINACloud

了解FET和BJT之間的區別。 了解各種形式的FET之間的差異。 知道如何偏置FET進行線性操作。 了解小信號模型以及如何使用它們。 能夠分析FET放大器電路。

#18. 喜歡效果器的朋友們是否常在效果器的介紹上看到FET、JFET或 ...

這邊簡單來說明一下FET的分類以及特性原理： FET(Field Effect Transistor)是所謂的場效電晶體，雖然FET的構想在BJT(Bipolar Junction Transistor;...

#19. 簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三隻接腳

讀者可以和BJT的操作原理比較，JFET 的夾. 止區和BJT的基極與集極間的空乏區特性很類似。 圖7是對於不同VGS 的ID 對VDS 圖。線性區與飽和區的分界電壓VDSS(=VGS-Vp).

#20. 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...

依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面，電訊號 ...

#21. 有關BJT雙極性接面電晶體與FET場效電晶體的一般特性比較

有關BJT雙極性接面電晶體與FET場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？ ... (C)BJT的本質增益（Intrinsic Gain）A0比FET的本質增益大 (D)BJT的輸入阻抗Ri比FET的輸入 ...

#22. 積體電路中的靈魂－電晶體|最新文章 - 科技大觀園

... 兩類，分別為『雙極性接面電晶體（bipolar junction transistor, BJT）』與『場效電晶體（field-effect transistor, FET）』。 ... 矽晶圓的尺寸差異與晶片圖案。

#23. GaN FET 可提高功率密度和效率 - DigiKey

瞭解GaN FET 的原理和正確應用，藉此提高高電壓切換式電源系統的電源效率 ... 圖4：以相同電路比較GaN FET 和MOSFET 之間的效率和功率損耗差異，顯示 ...

#24. bjt fet差異-3c電腦評測情報整理-2022-12(持續更新)

bjt fet差異 在2022的情報收集，在網路上蒐集PTT/Dcard相關3c電腦資訊，找空乏型mosfet公式,空乏型mosfet英文,空乏型mosfet型號在各大社群媒體文章及新聞報導匯總都在3c ...

#25. 電子學考前筆記整理- HackMD

<特性曲線圖> ### FET與BJT之比較1. 輸入阻抗1. FET的輸入阻抗大於BJT 2. BJT的共集極輸入阻抗最高，但仍遠不及FET 3. 高輸入阻抗可以減少負載效應2. 工作載子1. FET是單一 ...

#26. 認識電晶體Datasheet 及電晶體代換 - QSL.net

電晶體(Transistor) 一詞是好幾種放大元件的泛稱，包涵BJT, J-FET, MOSFET, ... 但是這個差異不大，大約只有數mV，如果你使用的數字電表並沒有hFE 量 ...

#27. FET 閘極端交流等效輸入電阻r ig = ∞ 1

9-1 FET放大器工作原理及交流等效電路. 9-2 共源極放大電路. 9-3 共汲極放大電路. 9-4 共閘極放大電路. 9-5 FET及BJT串級放大電路之比較. 第9章 場效電晶體放大電路.

#28. BJT与FET之间的差异 - bet188金宝搏

BJT vs FET. 本页关于BJT vs FET的描述之间的区别BJT和FET。它们主要由p型和n型不同的半导体材料开发而成。这些晶体管用于放大器、开关和振荡器等的设计。

#29. Chapter 7: 場效電晶體(Field-Effect Transistors, FET)

接面場效電晶體(JFET, junction field-effect transistor) ... 高輸入電阻是JFET相對於BJT具有優勢的地方。 ... 很不幸地，同一型JFET的轉換特性曲線，彼此差異甚.

#30. 金屬氧化半導體場效電晶體

(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). 金屬氧化半導體場效電晶體. 2003年03月13日. MOSFET 是FET主要形式之一。是在源極（Source）區與洩極（Drain） ...

#31. 半導體的原理

... 電晶體」（BJT），第二種稱為「場效電晶體」（FET），這兩種電晶體的結構與原理 ... 「雙極性電晶體」(BJT) 可分為NPN 型與PNP 型，以下是一個NPN 型的「雙極性電 ...

#32. 電子能本位訓練教材- 皆電力銚子孔件特性

低輸入阻抗雙極性電晶體(BJT)差異性相當人,FET 是電壓控制型而雙極性電晶體是. 電流控制型。 關於MOSFET: (一)FET 系列有兩種族群,接面場效電晶體(JFET)與金氧半場效電 ...

#33. 晶体管和场效应管有什么区别? - 知乎

早期的逻辑电路用的是BJT，后来发现FET比BJT省电得多，所以现在基本上都是FET了。 至于MOSFET，是场效应晶体管的一种，但是这种是现在集成电路的主流器件，目测占世界上 ...

#34. bjt_fet_opamp.txt

To: [email protected] Subject: MOSFET JFET BJT OpAmp Amplifier & switch ... 若是把正常的CE兩腳換過來用, 則hFE~1, BW就可以提昇到fT/1, 差異非常的大.

#35. 开关电源设计：何时选择BJT优于MOSFET？ - 电子工程世界

在使用BJT 控制器进行设计时，必须注意确保BJT 的基极驱动与增益足以在变压器中提供必要的峰值电流。 在稍微偏高的功率级下，FET 与BJT 的效率差异就会变 ...

#36. 單元十四:MOSFET特性

1. (1) FET與BJT之用途差別何在？為甚麼？ (2) 增強型、空乏型MOSFET與JFET三種FET之主要用途各為何？ 2. ( ...

#37. 金屬氧化半導體場效電晶體MOSFET

電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT）和場 ... 體(junction FET，JFET) 如下(圖1) ，其中MOSFET 依其通道形成方式又可分成增強型.

#38. 〈分析〉一文解析MOSFET、IGBT產業與獨領風騷之處 - 鉅亨網

至於IGBT 則是由雙載子接面電晶體(BJT) 和MOSFET 組成的複合式半導體功率元件。兼有MOSFET 的高輸入阻抗和BJT 的低導通電阻兩方面的優點。

#39. 【动画演示】什么是场效应晶体管（FET）？BJT和FET之间的 ...

【动画演示】什么是场效应晶体管（ FET ）？ BJT 和 FET 之间的 差异 与 FET 的类型. chiucey. 立即播放. 打开App，看更多精彩视频. 100+个相关视频.

#40. MOSFET(金氧半場效電晶體) 分成空乏型(DMOS)和增強型 ...

BJT 摻雜濃度:E射>B基>C集極; 是利用基極電流來控制導通電流的大小,是一種電流控制元件 ... 是一種電壓控制元件; FET 分2種JFET & MOSFET; JFET(接面場效電晶體) 分成N ...

#41. 專業E_電子學(含題庫)（105年度） - 樂學網線上學習

BJT (Bipolar Junction Transistor) ... 4.1 FET (Field Effect Transistor)種類 ... 4.4 JFET 4.5 功率FET 4.6 FET直流分析 4.7 FET小訊號分析 4.8 FET與BJT特性比較

#42. 最具體的電晶體、MOS管區別詳解 - 每日頭條

電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET）。 ... 氧化物半導體場效應管（Metal-Oxide Semiconductor FET，縮寫為MOS-FET）。

#43. 晶体管之BJT、FET、CMOS、HBT、HEM分析-KIA MOS管

晶体管之BJT、FET、CMOS、HBT、HEM分析，咱们常用的有场效应晶体管FET，Field Effect Transistor，是一种单极型晶体管。利用的一个PN结完成功能。

#44. 開關電源設計：何時使用BJT而非MOSFET？ - 壹讀

在稍微偏高的功率級下，FET 與BJT 的效率差異就會變得較為明顯，原因在於BJT 較差的開關特性與壓降。但是，對於輸入電壓高於100-240VAC 典型家用及 ...

#45. BJT & MOS 後級擴大機的聽感比較@ Auster 隨手亂彈

Power Mos-Fet好處是屬負溫度係數, 不會有熱跑脫現象, 一般來說用到Power Mos-Fet額定功率的80%都還很安全, Bi-Polar or BJT Transistor大概設定在 ...

#46. 3.4 雙極性電晶體

NPN型電晶体比PNP型電晶体使用的較多，. 那是因為電子的活性比電洞來得大，穿過晶体結. 構的速度比較快，即NPN型電晶体的速度比較. 快，在高頻電路中優於PNP型電晶体。另 ...

#47. BJT和MOSFET有什么区别? - 雷竞技钱包支付

请点击下面的链接了解更多;主要的BJT和FET的区别． ... 因此，这都是关于BJT和MOSFET之间的区别，包括BJT和MOSFET是什么，工作原理，类型的MOSFET和差异。

#48. #高中筆記#電子學筆記BJT and FET - 大學新生季板 | Dcard

BJT 跟FET的比較，流壓入出，BJT CC CB CC CB （最大的，FET CD CG CD CG （最大的，源極隨耦器是汲極！！！，如果喜歡我- 筆記,高職,高中考試筆記, ...

#49. 3. 有一FET 之轉移特性曲線如下圖所示。求

FET 與BJT 之比較何者為是？ (A)FET 為雙載子元件，BJT 為單載子元件(B)BJT 為雙載子元件，FET 為單載子元件(C)兩者皆為單載子元. 件(D)兩者皆為雙載子元件.

#50. 开关电源设计：何时选择BJT优于MOSFET？ - 行家说

在使用BJT 控制器进行设计时，必须注意确保BJT 的基极驱动与增益足以在变压器中提供必要的峰值电流。 在稍微偏高的功率级下，FET 与BJT 的效率差异就会变 ...

#51. BJT和FET何者速度較快

device的結構..ex:BJT就有base charges放電慢的問題. ... 但有超額少數載子的問題不過FET內部有許多電容效應的影響,遠比BJT來的大論開關操作速度來講 ... FET比較快!

#52. 電力電子元件簡介

(E) 功率電晶體(Power BJT) : Current control device ... (4) Continuous gate signal requirement: (IGCT, BJT, IGBT, ... Power MOSFET 與Power BJT 之比較.

#53. 台灣電力公司105 年度新進僱用人員甄試試題 - 公職王

有關BJT 與FET 之比較，下列何者正確？ BJT 製作面積比FET 小. 一般來說，FET 作為放大器的雜訊較大. BJT 是雙載子元件，FET 是單載子元件.

#54. 高普考(普考)電子工程 - 鼎文補習班

1-2-1 能隙差異語導電性. 1-2-2 半導體導電原理 ... 3-6 BJT 放大器小訊號(交流)分析. 3-6-1 電子學電路全解=直流解+小 ... 4-8 FET與BJT特性比較. 4-9 FET量測與其他.

#55. 第1章二極體及其特性 - 3people.com.tw - /

FET 與一般電晶體之優缺點比較：. FET. BJT. 操作模式. 靠多數載子的漂移電流 ... JFET的輸入阻抗比MOSFET？ (A)低(B)高(C)大約相等(D)不一. 定. A. 7. 當JFET的.

#56. 第四章雙極性接面電晶體

電晶體(BipolarJunctionTransisor 簡稱BJT)為一個三層半導體元件，有PNP 及NPN 兩種型式。 2.雙極性：乃表示電晶體之傳導電流是由不同極性之電子與電洞共同所組成(即其 ...

#57. 21 有關BJT 雙極性接面電晶體與FET 場效電晶體的一般特性比較

21 有關BJT 雙極性接面電晶體與FET 場效電晶體的一般特性比較，下列何者錯誤？(A)BJT 的轉導（Transconductance）gm比FET 的轉導大(B)BJT 的輸出電阻ro比.

#58. [調查]各式BJT、FET、MOSFET的替代番號看全部 - 痞酷網

有鑑於維修時，零件的替代性有些人不是很清楚....(我就是..~hm256~ )發個調查帖....請大家回覆一下....在維修POWER的時候遇到BJT、FET、MOSFET有故障 ...

#59. 开关电源设计：何时使用BJT而非MOSFET？ - 智汇工业

特别是在离线电源中，成本和高电压（大于1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大 ... 在稍微偏高的功率级下，FET 与BJT 的效率差异就会变得较为明显，原因 ...

#60. 電子物理研究所 - 國立交通大學

的電性差異，以及外加閘極電壓對元件電性的影響。 ... field-effect transistor. ... 圖2-7 連結式(Coupled)NW FET元件(a)元件示意圖(b)輸入訊號到G1-G4，輸出訊號.

#61. 第八章電流鏡與積體式放大器

本章將從電晶體縮小化的課題談起，探討其得失，並比較MOS 與BJT. 兩者。接著，論及於電晶體電流器，首先說明理想電流源的條件，然後切入. BJT 電流鏡電路，包含了基本 ...

#62. FinFET-摩爾定律的救世主 - Semiknow 半知半解- Medium

... 新一代的電晶體-FinFET (Fin Field-Effect Transistor)，中文名為「鰭式場效電晶體」。 ... Planar FET為本文介紹的MOSFET，GAAFET 則是上述提到 ...

#63. MOS管-传输特性曲线的细微之处 - 文章详情

A：BJT；. B：N沟道-增强型-MOS管；. C：N沟道-耗尽型-MOS管；. D：N沟道-JFET； ... ②讲解了三种传输特性曲线的差异点及对应的FET；. ③重点说明了JFET的Vgs为什么 ...

#64. FET特性与应用电路 - 百度文库

由特性曲線可看出，和前面兩種FET最大的差別在於VGS為零時，增強型MOS是沒有電流的，其他特性則完全類似。 接下來讓我們看看MOS的特性曲線方程式，在歐姆區ID和VDS的 ...

#65. 21-0 子學基礎概念

試解釋類比與數位訊號的差異? ... 12. BJT 把電流(變化)放大了，是否代表違反能量守恆? ... BJT 的集極類似FET 的汲極(Drain)，BJT 的基極類似FET 的閘極(Gate)。

#66. 第8章場效電晶體8-1 JFET之構造特性及直流偏壓8-2 D ...

154 8-4 FET與BJT之功能特性比較 電阻功能 2 FET在VDS 很小時，因為通道特性如同線性電阻，而且其電阻值可藉由閘極電壓VGS 控制，如圖8-33 所示，所以FET 可當作電壓控制 ...

#67. Chapter 7 Frequency Response - 正修科技大學

KHigh-frequency response of transistor circuits ... 本質上兩電容值差異很大，所以時間常數差異數個級數，意味著 ... 實際BJT或FET皆有內電容會影響高頻響應.

#68. 淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

事實上，三星（Samsung）已於近期趕在台積電之前，發表了最新一代採用環繞式閘極場效電晶體（Gate-All-Around FET；GAAFET）的全新架構3 奈米製程。

#69. 實驗五、場效電晶體

N 通道JFET 的動作情形可以用轉換特性曲線和汲性曲線來說明，如圖2 所示。圖2(a)為. 弦波Vgs 之變化而產生相對的Id 變化。當Vgs 由Q 點朝負向移動時，Id 會因此下降。當Vgs.

#70. PMC技術通報280期－積體電路設計技術概論

目前的發展趨勢是把更多的電子系統製成CMOS VLSI 晶片，CMOS VLSI 晶片的基本構成元件為「場效電晶體」（fieldeffect transistor，縮寫成FET）以下將 ...

#71. 台積電半導體製程競爭力關鍵：FinFET 工作原理 - StockFeel 股感

場效電晶體（FET：Field Effect Transistor） · MOSFET 的工作原理與用途 · 閘極長度： 半導體製程進步的關鍵 · FinFET將半導體製程帶入新境界 · 掌握FinFET ...

#72. 矽功率MOSFET在電源轉換領域的發展已經走到盡頭了嗎？

宜普公司在2009年6月推出了首款增強型矽基GaN功率電晶體，這種電晶體專門設計用於替代功率MOSFET。這些產品可以使用標準矽製造技術和設備，以低成本大批量生產, 其結構比較 ...

#73. BJT vs FET-新闻 - FMUSER FM / TV广播一站式供应商

以下是FET 的有用特性，其中提到了BJT 和FET 特性之间的差异。 • 它是大约100 Mohm 及以上的高输入阻抗设备。 • 与BJT 不同，FET 在用作开关 ...

#74. 場效電晶體 - 本章目錄

8-1 場效電晶體的種類. 場效電晶體(field effect transistor，簡稱FET)。FET的 ... 效電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistor， ... 差異而使I.

#75. FET - 场效应晶体管偏置电路类型及工作原理 - 合晶芯城

与BJT-双极结型晶体管不同，FET-场效应晶体管不会发生热失控，正如我们已经讨论过的那样。然而，最大和最小传输特性的巨大差异使得ID电平不可预测， ...

#76. 最具體的電晶體、MOS管區別詳解 - 今天頭條

電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET）。 ... 氧化物半導體場效應管（Metal-Oxide Semiconductor FET，縮寫為MOS-FET）。

#77. BJT 与MOSFET：区别与比较

它们是集成电路的有源元件。 主要有两种类型的晶体管； BJT，Bipolar junction transistor的缩写，FET，Field-effect ...

#78. 功率半元件市場及供應鏈解析 - 昇陽國際半導體

X-FET. Bipolar. Thyristors. Rectifiers. USD M$. Source: YOLE ... Transistor (BJT) ... 差異化與獲利2X2 矩陣→ 全部In House、全部外包、部分外包、退出市場.

#79. 开关电源设计何时使用BJT？ - 行业资讯

在使用BJT 控制器进行设计时，必须注意确保BJT 的基极驱动与增益足以在变压器中提供必要的峰值电流。 在稍微偏高的功率级下，FET 与BJT 的效率差异就会变 ...

#80. 知識力

混合型電晶體：將場效電晶體(FET)與雙極性接面電晶體(BJT)結合起來形成 ... 上述內容經過適當簡化以適合大眾閱讀，與產業現狀可能會有差異，若您是 ...

#81. 开关电源设计：何时使用BJT而非MOSFET？ - 锂电池

在使用BJT控制器进行设计时，必须注意确保BJT的基极驱动与增益足以在变压器中提供必要的峰值电流。 在稍微偏高的功率级下，FET与BJT的效率差异就会变得 ...

#82. BJT三种基本应用组态的性能比较- 谢孟贤的博文

由于晶体管（BJT和FET）都是三端器件，则在电路应用中可以有三种接地方式（ ... 从势垒电容的影响上来看，即可了解BJT三种基本组态的频率特性的差异。

#83. JFET和MOSFET的区别(带有符号 - 188宝金博bet

当我们讨论静电计的应用时，mosfet比jfet更有用。 相关条款: 结型场效应晶体管 · BJT和JFET之间的区别 · 金属氧化物半导体 ...

#84. 電晶體 - Wikiwand

電晶體. 泛指一切以半导体材料为基础的单一元件 / 維基百科，自由的 百科全書. 晶體管（英語：transistor），早期音譯為穿細絲體，是一種類似於閥門的，可以用於放大、 ...

#85. 它們的不同之處是什麼？ TVS 二極體定義Littelfuse SMAJ Series

裝置結構比較： 肖特基二極體由金屬半導體結構成。它通過多數載流子輸送電荷，並快速回應處理， ...

#86. 初级模拟电路：3-2 BJT的工作原理 - 博客园

与此类似的，晚几年发明的场效应管（FET）是一种压控电流源（VCCS），它用一个较小的电压来控制一个较大的电流。 1. BJT的结构. BJT由三层掺杂半导体构成 ...

#87. MESFET:基本概念,與JFET的比較,優點 - 中文百科全書

與微波矽BJT相比，GaAs-MESFET不僅工作頻率高(可達60GHz)、噪聲低，而且飽和電平高、可靠性高等；這是由於與矽相比，n-GaAs外延材料的電子遷移率要大5倍、峰值漂移速度要大 ...

#88. 超薄層矽金氧半場效電晶體在不同輕摻雜汲極與袋型離子佈值

在n-FET 可以發現到隨著汲極電壓的上升,高摻雜對抑制短通道效應的情況會下降, ... of the lightly doped drain-source (LDD) insulated gate field-effect transistor.

#89. 第5 章金氧半場效電晶體(MOSFETs)

雙極接面電晶體(BJT). ▫ Q: 為何MOSFET更常被使用？ ▫ 大小(較小) ... 緣閘FET(或IGFET）. ▫ 元件由兩個pn接面組成，而 ... Q: n-通道與p-通道間的主要差異.

#90. 什么是JFET？什么是MOSFET？区别？_电子技术基础

这是一种用于电子开关，电阻器和放大器的三端单极半导体器件。 它期望输入和输出之间具有高度隔离，这使其比双极结型晶体管更稳定。 与BJT不同，允许的电 ...

#91. 微／奈米生物電子元件之發展現況與前瞻 - 台灣儀器科技研究中心

在場效電晶體(field effect transistor, FET) 中， ... BJT)，場效電晶體並不需要閘極電流來達成電晶體 ... 第二世代酵素固定化感測器和第一世代的差異.

#92. 電晶體[半導體器件] - 中文百科知識

電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET）。 電晶體有三個 ... hFE或β既有區別又關係密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。

#93. 討論一下有關BJT+MOSFET 電源開關的問題，請各位幫幫忙

另外，不作soft start，源頭vcc3在切開關時，不會有drop嗎？ 加個0.1u或1uF，比較保險。 choke應該是多餘的，錢太多，除非你電真的很髒 ...

#94. 聊聊～半導體基礎概論半導體產業電晶體及真空管 - 痞客邦

電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體（BJT）和場效應電晶體（FET）. 電晶體一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，( ...

#95. 8月2013 - 作敏

... S21 和Gmax 的差異，就變成評估匹配電路損耗的一個很重要的指標了。 ... 而電晶體又有好多種，例如MOSFET, pHEMT, mHEMT, JFET, BJT, HBT .

#96. 开关电源设计何时使用BJT？-唯样电子商城

特别是在离线电源中，成本和高电压（大于1kV）是使用BJT而非MOSFET的两大 ... 在稍微偏高的功率级下，FET 与BJT 的效率差异就会变得较为明显，原因 ...

#97. BJTとMOSFETの動作 | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社

OFF状態への移行は、ゲートに溜まった電荷を放電しチャネルを取り除くことで行います。 (BJTに比べ駆動電圧が高い、小さなドライブ電力). BJTのスイッチング動作 ...

#98. 運算互導放大器

和FET 不一樣的地方，OTA 有一個 gm 可以藉由偏壓電流來「規劃」。 ... 當一個BJT 被使用在回授路徑，輸出不是以虛接地而是以基極接地做參考點。

#99. P通道和N通道MOSFET在開關電源中的應用- 電子技術設計

當用作門控整流器時，MOSFET是主開關電晶體且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P通道(channel)和N通道增強型MOSFET進行比較 ...