胡振國金氧半電容元件 ... 小弟想請問有修這堂課的同學，第一堂課的時候有提到哪些上課規則嗎？如：上課錄影，考試內容等等謝謝各位！ ... <看更多>
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[評價] 109-1 胡振國金氧半電容元件. ＋收藏. 分享. 看板NTUcourse作者 ... Ψ 總結 課名「金氧半電容元件」顧名思義，主要討論的就會是MOS，而非MOSFET ... ... <看更多>
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... 金氧半電容元件」， 主要內容就是介紹MOS與一些MOSFET， 也是出自於熱愛所以有把修課筆記整合到上面提到的半導體元件物理電子筆記中。 該門課真心大推 ... ... <看更多>
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（是／否／其他條件）：是
哪一學年度修課：
107-1
ψ 授課教師 (若為多人合授請寫開課教師，以方便收錄)
胡振國
λ 開課系所與授課對象 (是否為必修或通識課 / 內容是否與某些背景相關)
電子所 選修
δ 課程大概內容
1. Field Effect
2. Metal Oxide Silicon Capacitor at Low Frequencies
3. Metal Oxide Silicon Capacitor at Intermediate and High Frequencies
4. Extraction of Interface Trap Properties from the Conductance
5. Extraction of Interface Trap Properties from the Capacitance
6. Measurement of Silicon Properties
7. Charges, Barrier Heights, and Flatband Voltage
8. Charge Trapping in the Oxide
9. The Two-Terminal MOS Structure
10. The Three-Therminal MOS Structure
11. The Four-Terminal MOS Structure
12. Small-Dimension Effects
Ω 私心推薦指數(以五分計) ★★★★★
★★★★★
η 上課用書(影印講義或是指定教科書)
MOS Physics and Technology (E. H. Nicollian)
Operation and Modeling of the MOS Transistor (Yannis Tsividis)
μ 上課方式(投影片、團體討論、老師教學風格)
教授手寫講義及教授講義投影片上的大量筆記
σ 評分方式(給分甜嗎？是紮實分？)
雖然還沒公佈成績，但我感覺應該是偏甜？
ρ 考題型式、作業方式
1. 考題大概有一半跟作業相似，其餘則是教授上課時提點的「必考」
2. 作業都是各種重要公式的應用，前幾次作業會用到程式來畫些方程式的圖。
ω 其它(是否注重出席率？如果為外系選修，需先有什麼基礎較好嗎？老師個性？
加簽習慣？嚴禁遲到等…)
首先這堂課會需要你能"接受"能帶圖隨電壓改變的基本觀念。所謂的
接受，有很多種程度之分。你可以只是看過很多個電壓對能帶的影響，
然後知道能帶較低的地方，就是電位較高。你也可以是知道如何在
Semiclassical model 底下，去了解電位 potential 如何影響到電子
在特定能帶 n 上的 Hamiltonian，進而影響到 band energy 的上下平移。
有的人會覺得難接受，有的人覺得好接受。在這基礎上，會比較好理解
後面的 VG = VFB + Vox + ψs 公式（或是 VG = ΔVox +Δψs？）在
考慮介面缺陷與氧化物電荷時的公式修正原理。不過老師都會努力用
各種方式讓你接受這些非常基礎的公式，所以即便不太懂能帶，我想
也是可以很快就接受的。
再來是，因為老師希望能盡量多教一點，所以有一些概念或定義可能
不會講得非常清楚，這時我個人就非常推薦讀課本。因為我的資質比較
不好，我看有人覺得簡單，但我學的時候經常充滿問題 XD 所以我基
本上是把教授教的所有範圍的課文都讀了一次。教授的講義完全是濃縮
Nicollian & Tsividis 的書。撇除 Nicollian 在電場或高斯定律(?)
的莫名其妙寫法以外，其他部分我都覺得寫得非常好！經常半夜讀得
欲罷不能。任何不清楚的地方，都可以從課本找到很好的答案。因為
教授知道大家不太能接受太數學的東西，此時如果你剛好跟我一樣想
多了解一點為什麼，像是 Nicollian 究竟如何探討主要載子與少數載
子的響應時間？或是那些等效電路到底是怎麼「化簡」出來的？課本
都能給你很詳細的推導。再來，讀課本可以讓你用比較廣的視野去看
教授的講義。例如說，我們在學 Four-terminal MOS 時會提到一個
所謂的δ參數，用以線性近似在 strong inversion region 之空乏區
電荷分佈。課本會讓你知道原來教授教的只是 Source-referenced model，
實際上還有 Body-referenced model，以及更廣義的寫法等。
不過如果你只是想考高分的話，那當然完全不需要知道這些，事實上
教授的講義已足以讓大家掌握觀念，只要你上課有勤抄筆記，應該
都不成問題，筆記是非常重要的，而且據我所知教授也不外流筆記。
另外我個人很推薦教授的一點是他的教學熱忱。就我過去的經驗，教
授是少數不僅對教育有熱忱（應該有吧？雖然我只修過教授這堂課）
且又剛好是這門學科的專家，所以這堂課應該可以讓你感受到大師的
風範？他的第一堂入門課是最吸引我的。雖然我忘記具體內容，但他
用非常神乎其技的方式，完整說明了我們接下來到底要學些什麼。所
謂台上十分鐘，台下十年功，真的是這樣。
另外我個人每堂課都有錄音，雖然我自己都沒在聽 XD 不過有同學覺
得錄音檔幫助非常大，所以我想應該滿推薦大家錄音的。
最後是，因為我自己的研究主題就是跑模擬，所以我經常會用到許多
公式的近似，這堂課會讓你額外學到很多近似的精神。其實很簡單，
例如說，很多時候雖然這條公式不好用，但若我們恰當地選擇區間，
就可以將這公式用比較直觀的方式表達，像是恰好與其對數呈正比或
恰好呈線性等。也因為我的主題讓我必須了解「究竟一個元件是怎麼
運作的？」，所以雖然主題是 MOS，金屬—氧化物—半導體電容元件，
但其實我也從這了解到非常多探討元件諸多特性的基本方法，像是怎
麼用電容測量掺雜濃度，介面缺陷密度如何影響電容，什麼樣的缺陷
才能對 SRH 載子複合產生速率有所貢獻，怎麼去評估元件啟動與關閉
的速率等。雖然實際在處理這些議題時所使用的公式或觀念可能都遠
比課堂內容複雜非常非常多，但就以一門導論課而言，這堂課應該可
為你省下一些初步了解那些艱澀觀念所需的心力。
Ψ 總結
如果你跟我一樣，對於奈米電子元件的運作原理如何從單純的PN接
面建構出許許多多奇妙功能感到很有興趣的話，那麼這應該會是一
門很適合你的課。
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※ 編輯: Philethan (123.192.0.245), 01/11/2019 17:13:55
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