關於 金氧半場效電晶體pn接面 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 高中電子學實習_金氧半場效電晶體多級放大電路 - YouTube

#12. 102年公務人員特種考試交通事業鐵路人員考試試題 - 公職王

n通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET） ... p 通道接面場效電晶體（P-JFET） ... 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0，若Vi=A sinωt，下列敘述.

#13. P-N 接面二極體P-N Junction Diode

不要以為N 型半導體中的電子會不斷的透過接合面與P 型半導體的電洞結. 合，直到所有的電子與電洞都消失；實際的情形卻是，靠近接合面的N 型半導. 體失去一些電子，變成正 ...

#14. 國立中山大學電機工程學系碩士論文具厚邊襯閘極氧化層負型金 ...

負型金氧半場效電晶體源極到汲極之間相當於兩個背靠背相接的P-N 接面。 汲極端未加偏壓時，汲極與本體之間因為大的濃度梯度，汲極的多數載子電子會.

#15. Chapter 5 The Field-Effect Transistor - 正修科技大學

Preview. K兩種場效電晶體. ;MOSFET(金氧半) ... 正的D極電壓使D-基板之pn接面反偏，. 所以電流流經通道區而非經pn接面 ... 類似雙極電晶體反偏B-C接面掃出電子之程序.

#16. 國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...

穿隧型. 場效電晶體(Tunnel Field Effect Transistor, TFET) 被視為其中一種相當有潛. 力能取代MOSFET 的元件，由於TFET 能夠擁有低於60 mV/dec 的次臨界. 擺幅，以及非常 ...

#17. 超薄層矽金氧半場效電晶體在不同輕摻雜汲極與袋型離子佈值

在以往基本的MOS. 元件會因溫度的上升,使得逆向偏壓的pn 接面漏電流隨溫度成指數函數增加,但SOI有Bured Oxide的. 阻隔,使得SOI MOS 元件的漏電流可以比基本MOS 小SOI 的 ...

#18. 電機科(含電修科) | 電子學

(一)能了解基本電子元件之原理及特性，具備辨識符號的能力。 (二)能解析二極體應用電路、雙極性接面及金氧半場效電晶體放大電路，以系統思考方式，進行專業問題解決。 (三) ...

#19. 電器輕薄小之功臣--電晶體作者： 盧皇宇。私立衛道高級中學。

在pn 接面，n 型半導體的自由電子濃度比p 型半導體高，會因擴散作用通過接 ... 為金屬氧化物半導體場效電晶體的簡稱，第一個金氧半場效電晶體是在1960 年.

#20. 1 基本電子元件

波等功能(C)PN 二極體在逆向偏壓下(小於崩潰電壓)，沒有順向電流導通，但 ... 通常接面場效電晶體(JFET)輸入阻抗高是因為(A)閘極的反向偏壓漏電流.

#21. JFET 之構造及特性 - 表二、高職數位教材發展與推廣計畫 ...

以動畫呈現接面型場效應電晶體結構與單一載子運作情形。 ... 設計一個互動式場效電晶體(FET)分類表。 ... ①JFET：閘極直接PN 接觸，閘極工作逆向偏壓。

#22. National Central University Chapter 5 金氧半場效電晶體及相關 ...

... 5 金氧半場效電晶體及相關元件Materials Science and Engineering National Central University MOSFET z 為一四端元件。 z 由一個MOS二極體與兩個相鄰的pn接面所 ...

#23. 碳化矽超接面金氧半場效電晶體製程技術 - 未來科技館

在結構方面，超接面(Super Junction)的結構跟傳統垂直式的金氧半場效電晶體結構的主要差異是在飄移區中加入P型柱(P-pillar)，使元件在順向導通時，電流路徑和傳統的高功率 ...

#24. Chapter 3 場效電晶體(The Field-Effect Transistor)

給予外加電壓)，箭頭方向為電晶體的形式，此圖為P 通道元件，從圖中了解 ... 汲極到基板的PN 接面，會因施加在汲極的電壓太大而產生雪崩乘積效應.

#25. 所謂電晶體－分類與特徵| ROHM TECH WEB

雙極性電晶體（bipolar transistor）和MOSFET有功率型和小訊號型，只不過IGBT（ ... 雙極性電晶體（圖為NPN之例）由PN接面所構成，藉由將電流流入基 ...

#26. 升科大四技電機與電子群: 電子學含實習總複習講義(2022最新版 ...

... 波形認識第02章二極體及應用電路2-1 本質、P型及N型半導體2-2 PN接面二極體2-3 ... 共汲極與共閘極放大電路之特性比較第08章金氧半場效電晶體多級放大電路8-1 疊接 ...

#27. 第一章

PN接面 有逆向電流(C)無PN接面無逆電流(D)有PN接面無逆向電. 流. D. 10. 何種電子元件不具負電阻特性？ (A)場效電晶體(B)矽控整流器. (C)單接合電晶體(D)PNPN二極體.

#28. 功率金氧半電晶體(Power MOSFET) 之簡介 - 台灣電子材料與 ...

圖三：(a) 水平式功率金氧半場效電晶體, (b) 垂直式功率金氧半場效電晶體(b) 垂 ... 於耐壓而言，主動區是一個單純的PN ... 為通道電阻，RCONT_S 源極(Source) 接面.

#29. 金氧半電晶體（MOSFET）

由一個MOS二極體與兩個相鄰的pn接面所構成。 為積體電路中最重要的電路元件，因為比起相同功能的BJT（雙極性電晶體）：; 面積小， ...

#30. N型橫向擴散金氧半場效電晶體之基板電流的探討與分析

近年來由於元件的尺寸越縮越小，操作電壓卻沒辦法有相當幅度的減降，而造成不容小覷的橫向電場，因此熱載子效應對於半導體元件而言已經成為一項不可忽視的問題。

#31. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - 崑山電子歷程

金氧半場效電晶體 在概念上屬於「絕緣閘極場效電晶體」（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非 ...

#32. 半導體第六章

金氧半二極體、電晶體及其電性討論Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件. ... </li></ul><ul><li>由一個MOS 二極體與兩個相鄰的pn 接面所構成。

#33. MOS的Surface potential之探討 - 9lib TW

1-2 金氧半場效電晶體的構造、原理與特性...6 ... FET 閘極結構有很多種類，這裡介紹兩種最常見的，一是逆向偏壓的pn 接面，另一種是閘極金屬、絕緣氧化物和半導體形成 ...

#34. 二氧化鋯鉿N 型金氧半場效電晶體製作與電性分析 ... - 中華大學

早期閘極所使用的材料為多晶矽(poly-si)，其主要原因為所搭配的閘極氧化層. 為二氧化矽SiO2，兩者有良好的接面特性，產生的缺陷較少，源/汲極可自我對準加. 速元件的微縮化 ...

#35. Af16 by 志光教育文化出版社- Issuu

第六章6-1 金氧半場效電晶體第七章7-1 頻率響應第八章8-1 回授放大器 ... PN 接面特性 半導體內的濃度與電位關係： 若電洞濃度分布不均勻（ p1 > ...

#36. FET | Sillitronics

這種場效電晶體的輸入閘極被一層氧化層，例如二氧化矽，和傳導通道隔離。 PN 接面：PN junction 傳導通道：conducting channel.

#37. FM-半導體元件物理的摘要

2. p-n接面的概念(p-n Junction) 3. 金氧半電容(MOS Capacitor) 4. 金氧半場效電晶體(MOSFET) 5. 非揮發性半導體記憶體(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM).

#38. 場效應電晶體 - 三度漢語網

在柵PN接面上加負偏壓時，空間電荷區寬度和溝道厚度隨之變化，從而溝道電阻、溝道電流（ ... 在正柵壓下才出現導電的N型溝道，這種MOSFET稱為N溝道增強型場效電晶體。

#39. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - 维基百科

通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧 ... 幾種常見的MOSFET電路符號，加上接面場效電晶體一起比較： ...

#40. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告

去探討,對元件接面漏電流部分有何影響.而可靠性部分也將有些許著墨. 關鍵詞:接觸窗蝕刻停止層,金氧半場效電晶體,應變矽技術,矽鍺通道,載子. 遷移率,能帶間的散射, ...

#41. 金氧半二極體、電晶體及其電性討論 - SlideServe

Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件. 金氧半二極體、電晶體及其電性討論. MOSFET. 為一四端元件，。 由一個MOS 二極體與兩個相鄰的pn 接面所構成。

#42. 第一節場效性電晶體互動教學之重要性與發展演進

金屬氧化物半導體FET 常簡稱為金氧半場效電晶體MOSFET，它和接面型. 之FET 的最大不同點，就在於它沒更pn 接面。 常用的MOSFET 又分為空乏型(depletion)和增強 ...

#43. 第一章半導體特性與PN 二極體1-1 第二章二極體電路分析與 ...

第三章雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，BJT） 3-1. 公職類 ... 第四章場效電晶體（Field-Effect Transistor，FET） ... 單元一金氧半數位邏輯電路.

#44. 實驗五、場效電晶體

接面場效電晶體. K30A N-Channel JFET. 1. 項目：共源極放大器. 步驟：. (1)測量IDSS與VGS。 根據圖5所示電路圖，先將VGS之電壓調整至零，緩慢增加VDS之電壓使ID值達到 ...

#45. 半導體元件物理（2015秋季班）的摘要 - Ewant育網

2. p-n接面的概念(p-n Junction) 3. 金氧半電容(MOS Capacitor) 4. 金氧半場效電晶體(MOSFET) 5. 非揮發性半導體記憶體(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM).

#46. 最新2019-第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论1-PPT课件

Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元 金氧半二極體、電晶體及其電性討論. MOSFET ? 為一四端元件，。 ? 由一個MOS二極體與兩個相鄰的pn接面所構成。

#47. 接面場效電晶體(jfet)特性及其偏壓 - 台灣公司行號

JFET. 半導體物理與元件5-2. 中興物理孫允武. 電晶體簡介. 電晶體(transistor)是近代... 我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, .

#48. 新穎垂直式高集積薄膜互補金氧半技術之研究 - eThesys 國立 ...

半場(PMOS)與負型金氧半(NMOS)，並且達到源極-體極接面與閘極控制區重疊、. 汲極與體極接面 ... 負型金氧半場效電晶體源極到汲極之間相當於兩個背靠背相接的P-N 接面。

#49. MOSFET - 氧化層-半導體 - 中文百科知識

金屬-氧化層-半導體-場效電晶體，簡稱金氧半場效電 ... 若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結處於反向，因此漏源之間不能導電。

#50. 45.有關接面場效電晶體(junction field effect trans..-阿摩線上測驗

有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述，下列何者錯誤？ (A)只含一個pn 接面，是一種單極性元件(unipolar device) (B)控制pn 接面兩 ...

#51. 發明專利說明書

溝槽接面阻障蕭特基二極體;在一較佳實施例中,該MOSFET 係一平 ... 式溝槽閘極之金氧半導體場效電晶體(MOSFET)裝置及裝設有蕭特. 基源極接點之電晶體胞(cells), ...

#52. 有人可以回答我..何謂PMOS及NMOS嗎???拜託求救 - Respostas

PMOS，指的是利用電洞來傳導電性信號的金氧半電晶體。 ... 半導體用的是P形基板，靠近氧化層處摻雜N形雜質(摻雜量很低)，那會因為PN接面形成空乏區，而使得N形半導體中 ...

#53. 勁園•台科大圖書

輸入阻抗相當高，所以閘極與源極間可以說是開路接面場效應電晶體不需外加電壓即已經有通道存在所有類型的金氧半場效電晶體都需外加電壓才會有通道存在P通道的MOSFET， ...

#54. MOSFET - 氧化物半導體場效應電晶體 - 華人百科

金氧半場效電晶體 裏的氧化層位于其溝道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的 ... 高而跟著增加，這樣也使得在元件中pn-接面（pn-junction）導致的功率損耗增加。

#55. 微電子學(上)

面電晶體，對BJT 工作原理、電流電壓特性曲線及主動區和飽和區的行為等 ... 接面場效電晶體 ... 最後二章介紹金氧半、雙載子與高階數位電路，內容涵蓋NMOS、.

#56. 控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體

控制閘為接面型的接面場效電晶體（junction FET，簡稱JFET）。 ... 極為負電壓、N型半導體的S 極為正電壓）時，將使G、S 之PN 接面附近形成空乏區，在此通道兩側所形成 ...

#57. 台灣電力公司109 年度新進僱用人員甄試試題

有關逆向偏壓接面電容之敘述，下列何者正確？ ... (B) N 通道金氧半場效電晶體 ... 下列何種雙極性接面電晶體電路組態，適合於高頻放大器應用？

#58. 半導體製程技術 - 聯合大學

為了方便描述晶體的形狀以及容易定義晶體的方向， ... (DRAM)和互補型金氧半電晶體積體電路(CMOS IC)的性能 ... P-N接面. ➢ 僅准許電流在正向偏壓的時候通過.

#59. (PDF) 淺論電子學- | 子龍張

... 單元二：接面二極體 單元三：雙極性接面電晶體 單元四：金氧半場效電晶體2 ... 1-2 半導體中的電流 1-3 PN接面4 1-1 半導體(Semiconductor) 導體(conductor ) ...

#60. Semiconductor Note. PN… | by Vince | vswe | Medium

接面場效電晶體 (JFET). 分成N通道和P通道JFET，N型半導體當作N通道。JFET 可用作類比開關及訊號放大器，但很少用在數位電路中的邏輯運算及功率放大器。

#61. 【全華圖書】 電子學(06217) | 蝦皮購物

目錄第1章半導體與PN接面二極體1-1 電的特性1-2 半導體1-3 PN接面1-4 PN接面之偏 ... 接面場效電晶體5-2 金屬氧化物半導體場效電晶體5-3 互補式金氧半場效電晶體5-4 V ...

#62. 四詳細畫圖說明jfet的偏壓與轉移電導的關係 - Bse events

增強型mosfet 三、互補式金氧半場效電晶體(cmos) 第二節直流偏壓一、jfet的直流偏壓1. ... 溫度增高時, 輸入電阻會減少jfet是工作在pn接面逆向偏壓的狀態下, ...

#63. 電子與半導體微學程：半導體元件物理 - 中華開放教育平台

2. p-n接面的概念(p-n Junction). 3. 金氧半電容(MOS Capacitor). 4. 金氧半場效電晶體(MOSFET). 5. 非揮發性半導體記憶體(Non-Volatile Semiconductor Memory, NVSM).

#64. 半導體元件物理與製程 理論與實務 - 五南官網

2.1 P-N接面的基本結構與特性 2.2 零偏壓 ... 2.8 接面崩潰現象與機制 第三章金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎 ... 12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET

#65. 實習八 場效電晶體之特性實驗

何謂場效電晶體. 場效電晶體(Field-Effect Transistor；簡稱FET). 是另一種類型的PN接面電晶體，它是利用外加的逆. 向電壓來改變PN接面空乏區的大小，以改變通道的.

#66. 1101_Q152600 - 課程

3. pn接面二極體(pn Diodes). 4. 雙極性電晶體(BJTs). 5. 金半(MS)結構. 6. 金氧半(MOS)結構. 7. 金氧半場效電晶體(MOSFETs). 教師(teacher): 王水進.

#67. 金氧半二極體、電晶體及其電性討論 - Scribd

金氧半 二極體、電晶體. 及其電性討論. MOSFET 為一四端元件，。 由一個MOS 二極體與兩個相鄰的pn 接面所構成。 為積體電路中最重要的電路元件，因為比起相同 ...

#68. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - 中文百科全書

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模擬電路與 ...

#69. 逢甲大學電子系FCU ADPR LAB - 研究資訊

此問題近年已可使用新型無接面場效電晶體結構(junctionless ... Lilienfield在1925年提出的，在source/drain與通道之間沒有摻雜接面(p-n junction)，而是源/汲極與通道 ...

#70. 鐵路特考|佐級(電子工程)|歷屆題庫|102年|電子學大意-鼎文題庫網

(A)n通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET） ... (D)p通道接面場效電晶體（P-JFET）。 ... 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0，若Vi＝Asinωt，下列敘述何者 ...

#71. 博碩士論文91521036 詳細資訊 - 中大機構典藏

(Study and Processing of Hetero-SiGe/Si S/D Structure and P-N Diode) ... 矽鍺/矽異質接面動態啓始電壓金氧半電晶體之研製, ☆ 應用於單電子電晶體之矽/鍺量子點 ...

#72. 2021電子學：各章皆附課後試題【八版】【國民營事業／經濟部

電晶體的小信號分析、直流分析年年必考，計算能力要爐火純青。 ... 第二章PN接面二極體電路 ... 第五章接面場效電晶體(JFET) 5-1 元件結構

#73. 半導體元件物理學第三版(上冊)

1.8 基本方程式與範例第二部份元件建構區塊第二章p-n接面 2.1 簡介 2.2 空乏區 ... 5.5 異質接面雙載子電晶體第六章金氧半場效電晶體(MOSFET) 6.1 簡介

#74. 元智大學109 學年度碩士班招生試題卷- 1. 電機工程學系碩組別

(5%) 金氧半場效電晶體(MOSFET)中,理想的開極電流(Gate Current)是. 多少?:(a) 0A(b) 1 mA (c) 10A (d) 1000 uA. 5. (5%)考虑一於溫度300K之PN接面,其逆偏飽和電流為: ...

#75. 第一章晶體性質與半導體成長

晶體 晶格. 1.2 晶體晶格. 1.3 厚材晶體成長. 1.4 磊晶成長 ... 半導體是指導電率介於金屬與絕緣體之間的材 ... 時，可以形成歐姆性的金半接面. 時可以形成歐姆性的金半 ...

#76. 一般警察人員考試及108年特種考試交通事業鐵路人員、退除役

16 共源極接面場效電晶體（JFET）放大器的輸入電阻很大，是因為輸入端為？ 未加電壓. 絕緣材質. 順向偏壓. 逆向偏壓. 17 圖示電路中，A1 及A2 為理想運算 ...

#77. 場效電晶體與MOS管是一回事嗎？ - 劇多

所謂MOSFET是指金氧半導體場效應電晶體；而JFET是結型場效應電晶體。 ... JFET是結型場效電晶體，這裡的結是指PN接面，結型場效電晶體按照結構分類 ...

#78. TWI384556B - Microwave activation annealing process

在該微波活化退火製程中，係利用一微波裝置將該互補式金氧半場效電晶體進行微波 ... 場效電晶體、雙載子接面電晶體、發光二極體、雷射二極體、薄膜電晶體或具有PN接面 ...

#79. 高中郭浩鵬電子學場效電晶體FET簡介與分類1080 1110 ...

這之後我們會介紹為什麼這符號會這樣子畫. 接面場效電晶體最重要的是它有P N接面. 有P N接面就有一些特性比如說輸入阻抗會比較低. 之後如果有二氧化矽它就沒這個接面.

#80. 電21-0 子學基礎概念

2.金氧半場效電晶體的英文簡稱為? 3.MOS 的設計上為何電極只設計在同一面上? 4.試述空乏型MOS 的原理?

#81. 111 學年度四技二專統一入學測驗考試大綱

(二) P-N 接面二極體. (三) 稽納二極體 ... (一) 雙極性接面電晶體之構造及特性. (二) 雙極性接面電晶體之特性曲線 ... (一) 金氧半場效電晶體放大器工作原理.

#82. 半导体元件物理-第10章金氧半场效电晶体（二） - 网易公开课

第10章金氧半场效电晶体（二）：5-理想的MOS（金氧元）元件（5） 理想的MOS（金氧元）元件（5） 本课程由刘传玺教授授课讲解：半导体元件物理课程，本课程共12个单元 ...

#83. 半导体元件物理-第6章PN接面的基本结构与特性（二）

第10章金氧半场效电晶体（二）：... 1.2万播放.

#84. 【公开课】半導體元件物理- 臺灣師範大學（半导体器件物理 ...

#85. pn junction 能帶圖

P-N Junction Diode 將P 型屜導體與N 型屜導體相互結峯，形成P-N 接面二極 ... 依序疊在一起所形成類似電容的結構（氧化層當做介電質），故命名為金氧半場效電晶體。

#86. 二極體製程

本課程將針對半導體的基本原理與對半導體元件，如PN接面二極體、金氧半電容器(MOS capacitor) 、及金氧半場效電晶體(MOSFET)的運作原理及物理，做詳細 ...

#87. 電晶體基本知識：採用2N3904、2N3906 - DigiKey

電晶體 也稱為雙極性接面電晶體(BJT)，是一種由電流驅動的半導體元件，可用 ... 要決定使用正或負電流(即分別為NPN 或PNP 型) 對電晶體開關施加偏壓或 ...

#88. 材料也神奇:科技學者許樹恩的一生傳奇 - 第 324 頁 - Google 圖書結果

他的發明以後再被進一步的改進,變成場效電晶體(FET),更改為接面場效電晶體(JFET)以及金氧半場效電晶體(MOSFET),並將金屬(導體)、氧化矽(絕緣體)半導體(pn接面的電晶體) ...

#89. 電子學實驗 - 第 93 頁 - Google 圖書結果

一明'口"學習電子元件從結構及物理性質開始 o 場效電晶體依構造的不同, ... 縮寫 JFET ) o MOSFET 及 JFET 的電流不穿越 PN 接面,是由單一型的載子在同型材質的通道 ...

#90. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 73 頁 - Google 圖書結果

3 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎 MOS 電容的結構與特性理想的 MOS(金氧半)元件實際 ... 自從第一個金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor CHAPTER 2 P-N 接面 73.

#91. 自然科學與生活科技概論 - 第 142 頁 - Google 圖書結果

場效電晶體 是以電場來控制放大作用,依產生場效機制的不同,分為接面場效電 ... JFET通常利用閘一源極PN 接面逆向偏壓來工作(圖3.62-14),此時,會在N型通道中產生空乏區, ...

#92. 電子學ch8教案

... 沿著汲極至源極方向P-N接面所承受的逆向偏壓並不相等， 以致其空乏區寬度也不相等。 ... 互補式MOSFET 節目錄(1) 互補式金氧半場效電晶體（CMOS）是將P 型金氧 ...

#93. FET 場效電晶體

FET 場效電晶體(場效應電晶體的類型, FET工作(閘極電壓對電流的影響, ... MESFET用一個蕭特基勢壘替代了JFET的PN接面；它用於GaAs和其它的三五族半導體材料。

#94. 什麼是mosfet

早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更 ... 本體或與之連結之源極），源極與汲極間只是像兩個反向串接的pn 接面，互 ...

#95. 學習使用電晶體/(2)半導體的P-N接面

4. P-N接面的導電上回我們談到N型半導體和P型半導體內導電的情形,現在我們來談談由N型和P型半導體接合而成的接面二極體的特性。 如圖十五所示, ...

#96. 下列何者不是金氧半場效電晶體的特性？(A) 高頻響應 ... - 題庫堂

32. 金氧半場效電晶體( MOSFET )與雙載子接面電晶體(BJT )比較，下列何者不是金氧半場效電晶體的特性？(A) 高頻響應佳(B) 輸入阻抗大(C) 以電壓控制輸出電流(D) 消耗 ...