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空乏型mosfet公式 在 Re: [問題] JFET和MOSFET工作區判定 - PTT Web 的美食出口停車場
已夾止第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式1.有通道(表示未截止)公式為|Vgs|<|Vp| ===>適用n p ch其中絕對值拆開是否加負號請以n-ch或p-ch所加之 ... ... <看更多>
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已夾止第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式1.有通道(表示未截止)公式為|Vgs|<|Vp| ===>適用n p ch其中絕對值拆開是否加負號請以n-ch或p-ch所加之 ... ... <看更多>
#1. 第8章場效電晶體
N通道空乏型金氧半場效電晶體(D-MOSFET)的電路符號與材料結. 構如圖8-15(a)、(b)所示。 ... 曲線建立飽和區的電流方程式(與JFET的公式8-4 相同)表示為. 飽和電流I.
#2. CH08 場效電晶體
公式 8-2-3. 光碟、紙張用得少,你我讓地球 ... 圖8-10 N通道空乏型MOSFET的結構與電路符號. (a) 結構 ... 圖8-12 N通道空乏型MOSFET工作於歐姆區(續). (c) VGS > 0時.
#3. 電子工程概論---MOSFET @ pudding's dream house - 隨意窩
一、 MOS,通常表示三層不同的物理構造,分別為:. 1. 閘極→Gate→鋁質→金屬→metal→M · 二、 MOSFET由於製造結構之不同,可分為兩大類:空乏型與增強型:. 1. 空乏型.
#4. 增強型MOSFET
如圖(1),空乏型NMOS的基體(substrate)為p型半導體,源極和汲極端為n型半導體。 ... 空乏型MOSFET有實際的通道,即使閘極電壓為零時,在通道就可產生電流。
三、N 通道型直流特性曲線(公式要背) ------ 直流計算時IG 均為0. 四、交流公式. 1. 2. JFET 及空乏型MOSFET:. 增強型MOSFET:. 3. 無RS 共源極:. 4. 有RS 共源極:.
#6. Chapter 5 The Field-Effect Transistor - 正修科技大學
n-通道增強型MOSFET(增強型NMOS電晶體) ... (單位為A/V2)再代入電流公式 ... 空乏型. MOS field-effect transistor (12/21). 電流-電壓特性:與增強型同.
#7. 場效電晶體(Field-Effect Transistors, FET)
FET 則是電壓控制裝置,利用閘極與源極間的電壓, ... 後,我們可以利用下列公式,求得轉換特性曲. 線上任一點的g ... MOSFETs有兩種基本型態:空乏型(D)與增強型(E)。
體(junction FET,JFET) 如下(圖1) ,其中MOSFET 依其通道形成方式又可分成增強型. ( Enhancement-Type )與空乏型( Depletion-Type )兩種。
#9. 單元十四:MOSFET特性
MOSFET 依其通道形成方式又可分成增強型( Enhancement-Type )與空乏型( Depletion-Type )兩種。以n channel增強型MOSFET來說明FET之動作原理:. 1. 空乏區與通道之形成.
#10. 接面場效電晶體之V-I特性曲線/鄭沂承(課程講義)
JFET相關的重要公式. 1.ID=gm*VGS ... 以IDSS示之,每一個FET都有特定的IDSS,. 此IDSS與外接電路無關。 VGS(off)-> VGS之截止電壓 ... N通道空乏型MOSFET特性曲線 ...
#11. 第一節場效性電晶體互動教學之重要性與發展演進
圖2-31 空乏型MOSFET 之偏壓公式解說圖. 增強型MOSFET 最大的特色便是它需要一個比臨界電壓VGS(th)還要高的閘源. 電壓VGS 才會使元件導通所以它不像空乏型的MOSFET ...
#12. 第七章串級放大電路
空乏型MOSFET 之特性與偏壓. (a) 等高的N通道. (b) 輸出特性曲線. 圖8-22 N通道空乏型MOSFET之歐姆區工作模式:很小時之線性電阻特性.
#13. 第1 章電學概論
JFET可分為N通道與P通道兩種。 MOSFET可分為空乏型與增強型兩種。 3. FET與電晶體做比較. (1) 電晶體採用電流控制,即IC=β IB。 (2) FET採用電壓控制,即ID=IDSS(1-) 2 ...
#14. 場效電晶體- 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia
場效電晶體(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制 ... 它依靠電場去控制導電通道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載子的通道的 ...
#15. N 通道JFET 不可將V GS 接成正偏壓
空乏型MOSFET 的V-I 特性與接面場效電晶體JFET幾乎完全相同。 ... 由半導體物理學證明,可得空乏型MOSFET 之夾止飽和區輸出電流公式與JFET 相同為:.
#16. 高職數位教材發展與推廣計畫- 科單元教案設計表
9 場效電晶體放大電路-2 FET 交流等效電路. 預計本單元總教學時間 ... 當FET 工作於飽和區時,ID 只隨VGS 改變,特性與理想 ... JFET、空乏型MOSFET:gm=.
#17. 21-0 子學基礎概念
由IE=IB+IC可證明α與β的互換公式為何? ... 試比較空乏型MOS 與增強型MOS 的不同? 7. 空乏型NMOS 要在閘極加何種電壓(正或負)才能關閉通道? 屬於何種偏壓?
#18. 電子學考前筆記整理- HackMD
濃度對PN接面之影響空乏區與濃度之關係:$N_nW_n=N_pW_p$,此公式建立在每單位面積之下 ... (https://i.imgur.com/EroGFP4.png) #### D-MOS (空乏型) 請注意箭頭方向!
#19. 單元七J-FET、MOSFET的特性與基本公式 - 開南商工
JFET與空乏型MOSFET的轉移方程式ID=IDSS(1-) 2 ,增強型MOSFET的轉移方程式ID=K(VGS-VT) 2. 8. J-FET參數公式:gm=ΔID/ΔVGS︱VDS=0 、gmo =2IDSS / VDS (在VGS=0時的gm).
#20. 高中電子學_場效電晶體_單元3 D-MOSFET之結構特性及直流偏 ...
DeltaMOOCx 台達磨課師是高中/高工及大學的免費公益磨課師(MOOCs)平臺。練習題、討論、教師輔導及更多數位課程資源, ...
#21. 旗立測驗卷
(A)空乏型MOSFET本身結構中並無預設通道存在 (B)空乏型N通道MOSFET其可接負電壓 ... (A)利用輸入迴路求得電壓 (B)假定FET工作於夾止區,利用汲極電流公式求得工作電流 ...
#22. 本章目錄8-1 場效電晶體的種類8-2 接面場效電晶體(JFET)之 ...
本章目錄8-5 空乏型MOSFET之直流偏壓8-6 增強型MOSFET之直流偏壓. ... 第一章導數1 - 1 函數的極限與連續1 - 2 導數及其基本性質1 - 3 微分公式1 - 4 高階導函數.
#23. MOS 的Surface potential 之探討 - 逢甲大學
MOSFET 也可以設計成空乏型的元件,只要製作時在靠近介面. 的半導體中直接摻雜製作出通道,例如NMOS 就加入n 型摻雜即. 可,如此在沒閘極偏壓時元件是在導通的狀態。
#24. 半導體特性
截止區:FET之DS間通道被空乏區占滿或閘極感應電壓不足無法建立有效通道而無法 ... FET在求直流偏壓時和電晶體略有不同,計算時必須使用以下公式計算(請熟背): ...
#25. P-N 接面二極體P-N Junction Diode
Junction diode)時,P 型材料內的電洞與N 型材料內的電子會在接合面結合,. 使得在結合面附近的區域內缺乏載子,形成空乏區(Depletion region)或空間.
#26. 電子學分類題庫第二輯 - 亞鑫圖書出版有限公司
(一) 空乏型MOSFET方面 (二) JFET方面 6-4 FET的小信號模型 (一) 中低頻帶方面 (二) 高頻帶方面 6-5 FET與BJT的元件特性比較 (一) 電流或物理機制比較
#27. Re: [問題] JFET和MOSFET工作區判定- 看板Electronics
JFET與空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET 判別進入飽和區條件有兩個. ... 已夾止第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式1.有通道(表示未截止) 公式 ...
#28. FET半導體特性
(1)一般可分成JFET及MOSFET二類 (2)輸入阻抗較雙極性電晶體為低(3)MOSFET又分成空乏型及增強型兩種 (4)可分成N通道及P通道兩種; 下列有關場效應電晶體FET之敘述何者不 ...
#29. 國立交通大學
一般MOSFET 的閘極驅動電路不適合直接用來驅動氮化鎵功率元件的原因. 有很多,其中最重要的是,氮化鎵功率元件為空乏型電晶體(Depletion Mode. Transistor),其零電壓 ...
#30. 勁園•台科大圖書
有一個N通道JFET,若,則其轉換特性曲線公式為 ... (1) MOSFET有空乏型及增強型兩種型式(2) MOSFET有N通道及P通道兩種(3) MOSFET是電流控制元件(4) MOSFET閘與源極間, ...
#31. 半導體第六章 - SlideShare
理想MOS 曲線( C-V 圖) <ul><li>空乏情形下,正偏壓加的越多,半導體空乏區寬度 ... 平帶電壓狀態介於聚積狀態與空乏狀態之間: </li></ul><ul><li>由平帶電壓公式 ...
#32. 認識二極體及電晶體特性曲線
因此,在接面處將形成內建電場,由N 型區朝向P 型區,如圖(2-b)。在接面處. 兩側,因為流失大量載子,使得此區間的載子濃度明顯減少,遂稱為空乏區.
#33. 升科大四技電子學總複習講義全(電機與電子群2018 附解答) - 誠品
2-122-4 PN 二極體的開路特性........2-152-4-1 空乏區. ... 空乏型N 通道MOSFET ..8-518-11 空乏型P 通道MOSFET...8-55第9 章場效電晶體放大器電路9-1 FET 的交流分析 ...
#34. MOS-阿摩線上測驗
35在N-通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)的小信號等效電路中,其互導(transconductance)gm 與其閘 ... ID公式中有個k值,kp=k. ... (C)空乏型MOSFET 內部有預設通道
#35. 國立中山大學電機工程學系研究所碩士論文具有雙嵌入式氧化物 ...
logic) , MOS(Metal-oxide semiconductor) 及CMOS(Complementary Metal-oxide ... 而| (max)|為空乏區每單位面積之電容值其公式如下式(13)[28]所示. | (max)|.
#36. 全華‧科友高職教育資源網
範例解題採用公式代入、圖示解法,逐一步驟解析,易學易上手。 3.重點表格化整理,讓學生直接瞭解各電路公式解法及特性差異。 ... 8-4 空乏型MOSFET 之直流偏壓
#37. Semiconductor Note. PN… | by Vince | vswe - Medium
MOSFET 的輸入阻抗更高於JFET,V=IR,輸入阻抗越高越好,因為阻抗越高,要驅動的電流就可以越小。JFET 是耗盡型的元件,而MOSFET 有增強型和耗盡型。 空乏型(Depletion) D- ...
#38. 半導體元件與積體電路之學習內容
空乏 區內由於載子濃度小,因此電阻係數比起中性區大,所以外加偏 ... 金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor, MOS)元件 ... 面的臨界電壓公式就都可使用。
#39. 106 年公務人員高等考試三級考試試題 - 公職王
壓為正值或負值:1空乏型場效電晶體(Depletion-Type Field-Effect Transistor)。2加強型場效電 ... 對於P型基板而產生的反轉N通道空乏MOSFET元件而言,.
#40. 金氧半電晶體(MOSFET)
高頻下的反轉情形,屬於少數載子的反轉電子無法及時反應,空乏區的寬度也無太明顯的變化,所以電容不會增加,維持在最低值。 理想MOS曲線(C-V圖)(n型半導體). 6.1.2 SiO2 ...
#41. GaN單晶片整合升級功率電路性能- 電子技術設計 - EDN Taiwan
最常見的替代方案是以電阻器取代P型MOS元件,RTL電路也被用於GaN晶片,但是必須在開關速度與功耗之間取捨。 Decoutere指出:「我們在SOI基板上將空乏型 ...
#42. 考點速習掃描011 考例迅學研析121
137 第四章JFET 與MOSFET 考例 ... (1) P型和N型半導體結合處會因為電子和電洞結合,形成空乏區, ... 逆向飽和電流IS:逆向電壓,空乏區加大,只剩少數載子通行. 考點.
#43. 「gm算法」+1 - 藥師家
【趙亮電子學】FET等效模型之gm證明.趙亮.Loading. ... 空乏型與增強型mosfet之差異 ... 例4.1: n-MOSFET 之參數為VTN = 1V,(1/2)μnCox = 20μA/V. 2 及W/L = 40。
#44. bjt fet差異-3c電腦評測情報整理-2022-12(持續更新)
bjt fet差異在2022的情報收集,在網路上蒐集PTT/Dcard相關3c電腦資訊,找空乏型mosfet公式,空乏型mosfet英文,空乏型mosfet型號在各大社群媒體文章及新聞報導匯總都在3c ...
#45. CN101540497A - 过温度保护电路及其方法 - Google Patents
其中,温度传感器是利用空乏型晶体管(Depletion MOS)及加强型 ... 进而,要计算所产生的电压(VTC)的温度系数时,则加入温度变异来计算,可得以下公式:.
#46. 338. 第二部分歷屆試題與解析
MOSFET,Q3、Q4及Q為N 通道增強型MOSFET,則. 輸出Y為: (A)A+B (B) AB (C) A+B (D) AB ... 電流公式In = ... 層為絕緣體(C)通道中的空乏區(depletion)缺少可以.
#47. 半導體元件物理授課人:電機系羅文雄學分 - Course Hero
單極: JFET , MESFET 、 MOSFET( 以上含空乏型、增強型之n 與p 通道) 範例:二極體中 ... 公式如果要達到完美的轉換電阻器,射極注入效率當然是愈大愈好,理想值為1 ...
#48. 邱國珍老師直流高頻切換式電源供應器
形,利用理論原理推出公式,畫出Simulink Model,取實際電路數據來做模. 擬比對。 ... 圖4-3(a)所示,為一n 型通道空乏型MOSFET,它是利用兩層重度摻雜.
#49. 按
載入公式後,再把已知的值輸入,但是剩下ID空白,對一個典型的2N5458, (IDSS = 6 ... 空乏型D-MOSFET. 摘要. 在操作中, D-MOSFET 有獨特的特性,可以操作在零偏壓。
#50. MOS測試原理解析
成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底 ... 分立器件測試機均是由此公式換算得出 ... 下方的汲極領域的空乏區會擴展,閘極- -汲極間的.
#51. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告- 接觸蝕刻截止層厚度 ...
圖2.15 MOS 於空乏區(a)能帶圖(b)電荷分佈圖[7] . ... 圖2.24 n 型MOSFET 通道中的電子受到電場作用示意圖[11] . ... W 為空乏區寬度,公式可由(2.29)顯示。
#52. 接面深度與陽極寬度對開關IGBT元件相關性及不同通道長度 ...
絕緣閘雙極型電晶體IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),結合了雙極型電 ... 則矽鰭狀基體空乏效果就能壓抑源極和汲極間的漏電流,相較於傳統的MOSFET, ...
#53. 4970J051的學習歷程檔案- 維基知識
上述的公式也是理想狀況下,MOSFET在飽和區操作的電流與電壓關係式。 ... 空乏式MOSFET在製造過程中改變摻雜到通道的雜質濃度,使得這種MOSFET的閘極 ...
#54. principle-isfet - betahcy.github.io
空乏型MOSFET ... 他發現將一般MOSFET 的金屬閘極去除後,再將其浸入溶液時,元件之通道電流會隨H+濃度不同 ... pH-ISFET基本公式$$ \begin{array}{l} ...
#55. 全面解读MOSFET实用性- ROHM技术社区
MOS 受到基板效应影响,临界电压会有所改变,公式如下: ... 一般而言,空乏式(depletion mode)金氧半场效电晶体比前述的加强式(enhancement mode) ...
#56. SPICE元件模型:二極體範例其1 - 電源設計技術資訊網站- ROHM
另外,二極體的正向電流Id和空乏層電容Cj可通過以下公式來表示。 二極體的參數. 下圖是二極體的等 ... SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source電壓的動作.
#57. principle-isfet | Emily
資料來源: 江榮隆教授中州技術學院電子工程系MOSFET 基本原理空乏型MOSFET P型基底鑲入兩塊N型區,分別為Source以及Drain 在這兩極之間以參雜成N型的 ...
#58. High k/metal gate 金氧半場效電晶體交流電壓下可靠度研究The ...
隨著MOSFET 尺寸不斷的微縮,氧化層厚度越作越薄,以藉以提昇電晶體的 ... 因為除了由gate厚度所算出來的電容外,實際上還有poly si的空乏區.
#59. Re: [問題] JFET和MOSFET工作區判定 - PTT Web
已夾止第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式1.有通道(表示未截止)公式為|Vgs|<|Vp| ===>適用n p ch其中絕對值拆開是否加負號請以n-ch或p-ch所加之 ...
#60. 國立宜蘭大學電子工程學系(研究所) 碩士論文Department of ...
結構,與圖1-1 相同為簡單示意圖,在通道區域可分為完全空乏型(Fully Depletion, ... MOSFET 所利用的公式如(2-8),而在奈米線方面則修正為(2-9)來做量測。在此公式中W.
#61. 半導體物理與元件期末考
MOSFET 之公式: ... 空乏區平均分佈在n 型與p 型半導體內(D) 以上皆非. 4. 二極體I 之內建電位為 ... 二極體I 之空乏區寬度(未加偏壓)約為.
#62. Mos 飽和區
上述的公式也是理想狀況下,金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。 ... 假如將一個加強型MOS 的G 和D 極短路,外加DS 偏壓,則MOS 只會在截止(cut off)或 ...
#63. 期末考題目卷ex20110117 - Yumpu
你可能需要的數據及公式: ... (A)p 型中性區(B) n 型中性區(C) 空乏區(D) 半導體金屬接點處(E) 以上 ... 續上題,何者為空乏型的MOSFET?
#64. 重要確認重點:MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極體的耐壓
請教電子學大大mosfet 三極區id 公式有兩種? ... 時之汲極飽和電流故空乏型mosfet,以n通道為例,加正(gs可以作為增強型操作;加負(gs可以作空乏型 ...
#65. 空乏型與增強型MOSFETs 結構之主要差異- 汲極與源極端子間 ...
n- 型摻雜區域. 無通道. 金屬接點. ( Sub Strate) 基體. p - 型基體有時內↓ s. SS. 矽基板. n- 型摻雜區域. § 6-8 增強型MOSFET.
#66. 请问mosfet饱和求Id的公式里各个量都代表什么?_百度知道
このN型の層の部分をチャネルといい、 mosfet id 公式表Kn為通道增強 ... 故空乏型mosfet,以n通道為例,加正(gs可以作為增強型操作;加負(gs可以作 ...
#67. 電子學場效電晶體構造與特性 - Coggle
電子學場效電晶體構造與特性(FET的優點, 工作特性, 工作原理, 金氧半場效電 ... 希望老師在講課時能夠讓我更容易想起公式的計算方式。, 38號陳重元心得:透過搜尋資料 ...
#68. 109年電子學[歷年試題+模擬考] - 第 58 頁 - Google 圖書結果
此題的題目I DSS 給9mA,但公式內卻表示成0.009A,幸好四個選項均相同,較無大礙。 ... 空乏型MOSFET(D- MOSFET)係預先設置載子通道,增強型MOSFET(E-MOSFET)則需以閘極 ...
#69. 電子學實驗 - 第 96 頁 - Google 圖書結果
式( 1 ) ~ ( 2 ) '是描述 MOSFET 之直流 z-v 特性的公式。 ... 的正負值可以區分 MOSFET 是屬於空乏型(Depletion type)或強化型(Enhancement type)。
#70. Mosfet soa 的量測方法
外灘浦華大酒店; 分立器件測試機均是由此公式換算得出2; 理想はRon=0Ωです。 ... 1 漏源測試與量測. mosfet jfet 增強型. mosfet 空乏型. mosfet 二.
#71. MOSFETの相互コンダクタンスgm | kennzoの備忘録重要確認 ...
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等, mosfet id 公式故空乏型mosfet,以n通道為例,加正(gs ...
#72. 簡介- MOSFET
mos )在發展之前,唯一較高速、適中功率元件 ... 件為達至一大電流的應用,因此與傳統MOS不 ... 在閘極正下方的汲極領域的空乏區.
#73. 金屬氧化物半導體場效應電晶體 - 中文百科知識
有時也會將代表通道的直線以虛線代替,以區分增強型MOSFET(enhancement mode MOSFET)或是耗 ... 上述的公式也是理想狀況下,MOSFET在飽和區操作的電流與電壓關係式。
#74. 電子儀表1. (1) (本題刪題)下圖為彩色電視機PIF 電路調整時
N-channel 的空乏型MOSFET 用作A類放大時,其閘極所加偏壓何者不 ... 串聯型負回授。 63. (3) 產生對稱方波之無穩態多諧振盪器的週期公式T 約為①0.7RC ②RC ③.
#75. 金氧半二極體 - 道客巴巴
金氧半二極體、電晶體及其電性討論MOSFET 為一四端元件,。 ... 帶電壓狀態介於聚積狀態與空乏狀態之間: oxFBFBCC ' 由平帶電壓公式可知:(Qo ...
空乏型mosfet公式 在 Re: [問題] JFET和MOSFET工作區判定- 看板Electronics 的美食出口停車場
我的方法如下
首先JFET與MOSFET分類成兩大類
1.JFET與空乏型MOSFET
2.增強型MOSFET
判別進入飽和區條件有兩個
1.有通道
2.已夾止
第一類JFET與空乏型MOSFET判別飽和區公式
1.有通道(表示未截止)
公式為|Vgs|<|Vp| ===>適用n p ch
其中絕對值拆開是否加負號請以n-ch或p-ch所加之電壓決定
n-ch正常來說Vgs及Vp皆為負電壓
p-ch正常來說Vgs及Vp皆為正電壓
2.已夾止
a.Vgd < Vp ===>適用n-ch
b.Vgd > Vp ===>適用p-ch
其中Vgd=Vgs-Vds
第二類增強型MOSFET判別飽和區公式
1.有通道
公式為|Vgs| > |Vt| ====>適用n p ch
Vgs加的感應電壓夠大才有通道產生
其中絕對值拆開是否加負號請以n-ch或p-ch所加之電壓決定
n-ch正常來說Vgs及Vp皆為"正"電壓
p-ch正常來說Vgs及Vp皆為"負"電壓
2.已夾止
a.Vgd < Vt ===>適用n-ch
b.Vgd > Vt ===>適用p-ch
其中Vgd=Vgs-Vds
以上稍做整理記憶法如下
1.判別未截止 與 Vgs Vp Vt有關
第一類小於,第二類大於,且不分n p ch
2.判別已夾止 與 Vgd Vp Vt有關
無論哪一類,n-ch都小於,p-ch都大於
只要將Vp換成Vt即可
3.最後更要知道當時FET的Vgs、Vp、Vt為正或負
書本上判別公式方法很多,以上僅供參考嚕
如有誤請指正,謝謝
※ 引述《maks74 (藍藍香)》之銘言:
: JFET和MOSFET工作區判定,
: 我手邊的資料感覺有點奇怪,
: JFET:
: 三極區:Vgs-Vds>Vp
: 飽和區:Vgs-Vds>Vp
: 上網查到的資料:
: 三極區:Vgd>Vp
: 飽和區:Vgd<Vp
: 三極區:Vgs>Vp
: 飽和區:Vgs<Vp
: 三極區:Vgs-Vds>|Vp|
: 飽和區:Vgs-Vds<|Vp|
: MOSFET:
: 三極區:Vgs-Vds>Vt
: 飽和區:Vgs-Vds>Vt
: 上網查到的資料:
: 三極區:Vgs>Vt
: 飽和區:Vgs<Vt
: 被搞的有點混亂,能請問大家工作區怎麼判定嗎?
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 163.23.155.141
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