濺鍍 的原理(Principle). 於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體,於靶材表面及基板間施加一高電壓,此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+),此時Argon正 ... ... <看更多>
「濺鍍原理ppt」的推薦目錄:
- 關於濺鍍原理ppt 在 [問題] 請問共濺鍍的相關問題- 看板ChemEng 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 濺鍍原理ppt、濺鍍蒸鍍、濺鍍目的在PTT/mobile01評價與討論 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 濺鍍原理ppt、濺鍍蒸鍍、濺鍍目的在PTT/mobile01評價與討論 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 濺鍍原理ppt - 全台大學開課課程資訊網 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 cvd pvd比較在PTT/Dcard完整相關資訊 - 健康急診室 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 cvd pvd比較在PTT/Dcard完整相關資訊 - 健康急診室 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 擴散製程原理在PTT/Dcard完整相關資訊 - 流行時尚選集 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 擴散製程原理在PTT/Dcard完整相關資訊 - 流行時尚選集 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 2022何謂薄膜製程-運動賽事熱門討論及分析,精選在PTT ... 的評價
- 關於濺鍍原理ppt 在 [其他] 抗反射薄膜AR Coating、AG Coating - stock | PTT職涯區 的評價
濺鍍原理ppt 在 濺鍍原理ppt、濺鍍蒸鍍、濺鍍目的在PTT/mobile01評價與討論 的美食出口停車場
濺鍍 的原理(Principle). 於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體,於靶材表面及基板間施加一高電壓,此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+),此時Argon正 ... ... <看更多>
濺鍍原理ppt 在 濺鍍原理ppt - 全台大學開課課程資訊網 的美食出口停車場
標籤: 濺鍍原理ppt ... 濺鍍沉積技術專題哪所大學有開課?本篇整理了東海大學濺鍍沉積技術專題課程資訊,包含:開課年度、開課學期名稱、校名[…] Read MoreRead More ... ... <看更多>
濺鍍原理ppt 在 cvd pvd比較在PTT/Dcard完整相關資訊 - 健康急診室 的美食出口停車場
提供cvd pvd比較相關PTT/Dcard文章,想要了解更多cvd公司、cvd原理、cvd製程有關健康/ ... [PDF] 物理氣相沉積(PVD)介紹而PVD 的濺鍍製程,可以達成快速的沈積速率、. ... <看更多>
濺鍍原理ppt 在 cvd pvd比較在PTT/Dcard完整相關資訊 - 健康急診室 的美食出口停車場
提供cvd pvd比較相關PTT/Dcard文章,想要了解更多cvd公司、cvd原理、cvd製程有關健康/ ... [PDF] 物理氣相沉積(PVD)介紹而PVD 的濺鍍製程,可以達成快速的沈積速率、. ... <看更多>
濺鍍原理ppt 在 擴散製程原理在PTT/Dcard完整相關資訊 - 流行時尚選集 的美食出口停車場
A圖13-9 薄膜蒸镀與濺鍍原理(參考書目34) ...[DOC] 多晶矽鍺閘極技術http://www.ndl.gov.tw/ndlcomm/P5_2/12.htm ... (四), 避免高溫製程下,因摻雜元素或金屬成份擴散 ... ... <看更多>
濺鍍原理ppt 在 擴散製程原理在PTT/Dcard完整相關資訊 - 流行時尚選集 的美食出口停車場
A圖13-9 薄膜蒸镀與濺鍍原理(參考書目34) ...[DOC] 多晶矽鍺閘極技術http://www.ndl.gov.tw/ndlcomm/P5_2/12.htm ... (四), 避免高溫製程下,因摻雜元素或金屬成份擴散 ... ... <看更多>
濺鍍原理ppt 在 2022何謂薄膜製程-運動賽事熱門討論及分析,精選在PTT ... 的美食出口停車場
半導體晶圓用濺鍍靶材-沒有它...晶圓產業應該可以收工了! | 方格子 ... 光學薄膜的光學原理是基於干涉(interference),當光波遇到一膜界面. ... <看更多>
濺鍍原理ppt 在 [其他] 抗反射薄膜AR Coating、AG Coating - stock | PTT職涯區 的美食出口停車場
把表面霧化讓眩光散射,讓反射不會刺眼: http://ppt.cc/GWIS 但是這兩個方法各有缺點。 ... 註:濺鍍(sputtering) 下面影片是把奈米銀,濺鍍到布上。 ... <看更多>
濺鍍原理ppt 在 [問題] 請問共濺鍍的相關問題- 看板ChemEng 的美食出口停車場
各位版友好,小弟最近在做畢業專題實驗有遇到一些問題
目前我是用三靶磁控共濺鍍
平衡DC靶:Ta
平衡RF靶:Ag
非平衡RF靶:Ga2O3
基版偏壓:40W
背景壓力:7E-6~5E-6
氣體:Ar 35 sccm. N2 4.5 sccm
濺鍍時間隨Ag功率增加而增加,最少1hr30min
目前問題是共濺鍍時Ag功率在7-12W時會遇到電漿不穩的現象,而在10W下甚至會電漿熄滅
,而在濺鍍完後靶的中心區域會隨功率的降低,會產生黃色及黑色的範圍會變大,正常表
面應該是銀白色的
緊急解決方式是開關靶的擋板,電漿會重新點起,中間時間不超過一秒即可
真正解決方式是在清靶時開高功率長時間清靶,將上面的黑黃區域清除,再進行濺鍍,這
個問題就會消失,濺鍍時的Ag功率越小,清靶時的Ag功率和時間會越大
在和專題老師討論時
我認為是
因為Ag功率過小,在靶材表面產生毒化,或是其他2支靶在Ag上沉積,進而影響電漿強度
,這樣交互影響後使靶表面的毒化層擴大,最後電漿熄滅
而老師的想法是
靶材熱脹冷縮,使電路產生短路,電漿熄滅,擋版蓋起後,靶才冷卻電路導通,電漿才會
恢復
而中心區域的黑黃部分,是說磁控濺鍍中心本來就不會有鍍率,根本就不會有影響
我想請教各位版友的看法,又或者是有其他可能性,因為老師覺得我對濺鍍原理的理解有
問題,我反覆看了好幾遍濺鍍原理還是找不到問題的原因
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 223.136.131.46 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/ChemEng/M.1582283965.A.FD8.html
... <看更多>